有机EL器件制造技术

一种顶部发射型有机ＥＬ器件，包括：一个基板和至少一个反光阳极、包括第一和第二空穴注入层的空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和透光阴极，这些层顺序地层叠在基板之上，其中空穴注入层的反光阳极侧（第一空穴注入层）掺杂有金属氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于得到顶部发射型有机EL器件更高的发光效率和更长的工作寿命的方法，在该顶部发射型有机EL器件中，光从器件的上电极取出。
技术介绍
目前，其中有机EL器件能被实际用作显示器件的显示装置正处于积极地研究和开发中。特别地，一种其中光通过设置在基板相对侧上的上电极被发射出来的顶部发射型有机EL器件，与其中光通过基板一侧上的下电极被发射出来的底部发射型有机EL器件相比具有优势，特别是当被用于其中采用TFT(薄膜晶体管)的有源矩阵型显示装置中时。这是因为可以增加该显示器件的孔径比，因为没有TFT矩阵的光遮蔽，并且可以实现更高的亮度和更长的寿命。图3是示出常规技术的底部发射型有机EL器件的相关部分的剖面侧视图，其中1表示透明基板，2表示包括透明电极的阳极，3表示包括发光层(未示出)的有机层，并且4表示阴极。在图3中显示的底部发射型有机EL器件中，经由阳极2从透明基板1中取出从有机层3中的发光层发射的光(参见，例如L.S.Hung，C.W.Tang和M.G.Mason，Applied Physics Letter，卷70(2)，152(1997))。这种底部发射型有机EL器件通常使用玻璃用于透明基板1，使用ITO(氧化铟锡)用于包括透明电极的阳极2，并且使用Al用于阴极4。此外，也有使用LiF/Al结构的情况，该结构是在其与有机层3的交界面上具有LiF电子注入层的Al阴极，以便于从阴极4到有机层3的电子注入。图4是示出常规技术的顶部发射型有机EL器件的相关部分的剖面侧视图，其中11表示绝缘基板，12表示阳极，13表示包括发光层(未示出)的有机层，并且14表示包括透光电极的阴极。在图4中示出的顶部发射型有机EL器件中，从包括透光电极的阴极14中取出从有机层13中的发光层发射的光。透明电极，例如ITO，通常用于顶部发射型有机EL器件中的阴极14。然而，据说当半透明电极，例如Mg薄膜或Ag薄膜用于阴极14，并且反光电极，例如Pt、Au或Cr薄膜用于阳极12时，在阴极14和阳极12之间发生多重干涉，产生微腔效应，由此使发射光谱比底部发射型有机EL器件的发射光谱更陡，因此增加了色纯度(例如参见WO01-039554)。通过使用如Ag或Al的高度反光金属用于阳极12，可以期待发光效率的进一步改善。然而，电子空穴可能不会轻易地被直接从Ag或Al层注入到有机层13中，引起有机EL器件的工作电压上升。为了克服这样的问题，已经得知改善顶部发射型有机EL器件的空穴注入特性的方法，例如设计一种阳极，以具有Al-Cu/Ni/NiOx/V2O5结构(例如，参见日本专利No.3488474的说明书)、Ag/ITO结构(例如，参见日本专利申请特开平No.2004-192890)和Al/Ni结构(例如，参见J.Appl.Phys.，卷94，No.8，5290(2003))。此外，作为一种为了获得与常规底部发射型有机EL器件相比不只是色纯度更好而且发光效率更好的方法，已经公开了使用一种顶部发射型有机EL器件，在该器件中使用Ag阳极、包括CFx和MoOx的空穴注入层和阴极中的Ag半透明电极，并且优化有机层的厚度(例如，参见日本专利特开平公报No.2004-228082)。作为使用Ag薄膜作为阴极的技术，已经报道了一种方法，其中厚度为0.6nm的Al超薄膜被夹置在LiF电子注入层和Ag薄膜阴极之间，从而得到良好的电压一电流密度特性(例如，参见日本专利申请特开平No.2001-52878)。因此，就是说顶部发射型有机EL器件，使用上述微腔效应，可能实现具有改进的色纯度和发光效率、高亮度、发光效率和颜色再现性的有源矩阵型显示装置。然而，根据本专利技术者的发现，顶部发射型有机EL器件仍然有着与工作寿命相关的技术问题，并且还没有报道实现足够长的寿命以满足实际应用的情况。特别地，例如，在上述J.Appl.Phys.，卷94，No.8，5290(2003)中公开的包括Al/Ni阳极的器件展现出较差的寿命特性。
技术实现思路
本专利技术是在考虑到上述情况而做出的，而且本专利技术提供了一种有机EL器件。本专利技术的一个方面提供了一种有机EL器件，包括具有至少一个反光阳极、包括第一和第二空穴注入层的空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和透光阴极的基板，这些层顺序地层叠在基板上，其中空穴注入层的反光阳极侧(第一空穴注入层)掺有金属氧化物。附图说明图1是示出本专利技术一个实施例的有机EL器件的相关部分的剖面侧视图；图2是示出当驱动电流为15mA/cm2时使用的器件的亮度降低的图；图3是基于常规技术的底部发射型有机EL器件的相关部分的剖面侧视图；以及图4是基于常规技术的顶部发射型有机EL器件的相关部分的剖面侧视图。具体实施例方式本专利技术的有机EL器件基本上提供了一种有机EL器件，包括一个基板和由至少一个反光阳极、包括第一和第二空穴注入层的空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和透光阴极构成的层，这些层顺序地层叠在该基板之上，其中空穴注入层的反光阳极侧(第一空穴注入层)掺有金属氧化物。将要掺杂到空穴注入层中的金属氧化物(其是有机膜)优选是氧化钒(V2O5)或氧化钼(MoO3)；优选用于反光阳极的材料是Al、Al合金，如Al-Nd；优选用于阳极缓冲层的材料可选自氧化钼、氧化钒、氧化镍(NiO)、钼(Mo)、镍(Ni)等，并且特别优选氧化钼。通过应用上述器件，顶部发射型有机EL器件的工作寿命能变得更长；并且如果使用Al或Al合金用于反光阳极变得可能的话，则发光效率可以变得更高，其中Al或Al合金据说不只具有更高的光反射率而且还有更短的工作寿命；此外通过在Al或类似物的反光阳极和空穴注入层之间淀积一个阳极缓冲层可以降低工作电压，该阳极缓冲层包括功函数为4.3eV或更高的金属或其金属氧化物。因此，可以实现一种具有总体上更宽的色彩再现范围、更长的工作寿命、更高的效率和更低的工作电压的顶部发射型有机EL器件。图1是示出本专利技术一个实施例的有机EL器件的相关部分的剖面侧视图，其中21表示基板，22表示反光阳极，23表示阳极缓冲层，24表示包括第一空穴注入层25和第二空穴注入层26的空穴注入层，27表示空穴输送层，28表示发光层，29表示电子输送层，30表示透光阴极，并且31表示覆盖层。作为图1中有机EL器件的基板21，可以使用玻璃、石英等的透明绝缘基板、PET或类似物的柔性基板、Si或类似物的半导体基板、或安装有用于构成形成为矩阵的如TFT的开关元件的有机EL器件的开关控制电路的这些类型的基板。当柔性基板用作基板21时，由于其柔性，则可以获得一个柔性显示器，其可以设置在器件外壳的限制(curbed)表面上。作为柔性基板，如日本专利申请特开平No.2002-82627中所示，可以使用含有例如不锈钢、Fe、Al、Ni、Co、Cu和其合金的金属膜基板；含有例如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、PES(聚醚砜)和PO(聚烯烃)的塑料膜基板；或者在表面上设置有气体阻挡层的塑料膜基板。作为用于反光阳极22的材料，可以使用Al或其合金如Al-Nd、Ag或其合金、Mo、Cr等。常规地用于阳极的ITO不适合于柔性显示器，因为ITO由于其弱柔性而易于断裂(“Printing 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机ＥＬ器件，包括：具有至少一个反光阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和透光阴极的基板，这些层顺序地层叠在该基板之上，其中该空穴注入层的反光阳极侧掺杂有金属氧化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中山昌哉，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]