含良溶剂及不良溶剂的清漆制造技术

本发明专利技术涉及一种清漆，其中含有：由分子量２００～１０００的有机化合物或分子量２００～５０万的低聚物或聚合物构成的基质；以及，含良溶剂及具有比良溶剂至少低２０℃的沸点（７６０ｍｍＨｇ下）的不良溶剂的溶剂，上述基质溶于该溶剂中。以该清漆制成的薄膜，由于几乎不含杂质，故可适用作电子器件用薄膜及其他技术领域的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含良溶剂及不良溶剂的清漆。
技术介绍
有机化合物，特别是当采用聚合物及低聚物作为电子器件材料时，多数用作薄膜。例如，可以举出绝缘膜、电荷输送性膜、保护膜及平坦性膜。在有机电致发光(下面简称EL)元件中，空穴输送层(缓冲层)、电荷注入层使用由聚合物及低聚物等制成的电荷输送性薄膜(例如，参见专利文献1)。电荷输送性薄膜要求是均匀的无凹凸的薄膜。薄膜的凹凸，促使黑点的发生以及、因阳极与阴极短路造成的元件特性下降，成为有机EL元件生产时产品率降低的原因。该凹凸可以认为是因材料的凝集而引起的，可以认为是薄膜中某一部分发生隆起或沉降，薄膜均匀性降低造成的。另一方面，薄膜中有时产生非常细小的粒子。该粒子的发生原因也认为是由于材料的凝集而引起。该材料凝聚成细小的粒状，称作杂质。杂质的发生，也给元件以上述不良影响。一般的有机EL元件的有机层厚度仅200～1000nm，杂质的存在成为阳极与阴极间电短路的直接原因，对元件来说成为深刻的问题。为了解决杂质问题，有人考虑把所用的材料用其他材料代替的方法，但多数情况下，得不到良好的元件特性，而且，材料的选择必然存在很大的试验错误。该杂质的问题，不仅在电子器件用薄膜中，而且在使用薄膜的其他从以上理由可知，希望开发出不存在杂质的薄膜及其制造方法。专利文献1特开2002-151272号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况，提供一种可适于电子器件用薄膜及其他
薄膜的，在制造薄膜时几乎不产生杂质的清漆，以及几乎不存在杂质的薄膜及其制造方法。另外，本专利技术还提供一种作为电子器件用的具有几乎不存在杂质的电荷输送性薄膜的有机EL元件。本专利技术人为了达到上述目的，对此前作为能给出均匀的无杂质薄膜的方法中，未进行研究的溶剂组成进行悉心探讨的结果，惊奇地发现，通过清漆的溶剂组成，可显著地抑制杂质的发生，结果发现了能给出几乎不存在杂质的薄膜的清漆。具体地说，本专利技术人发现，通过把良溶剂及具有比良溶剂至少低20℃的沸点(760mmHg下)的不良溶剂加以组合，可有效抑制薄膜中杂质的发生，从而完成本专利技术。即，本专利技术提供下列～的专利技术。一种清漆，其特征在于，其中含有由分子量200～1000的有机化合物或分子量200～50万的低聚物或聚合物构成的基质；以及，含良溶剂及具有比良溶剂至少低20℃的沸点(760mmHg下)的不良溶剂的溶剂，上述基质溶于该溶剂中。上述中所述的电荷输送性清漆，其中，上述基质是由电荷输送性单体、或数均分子量200～50万的电荷输送性低聚物或聚合物构成的电荷输送物质；或该电荷输送物质及电子接受性掺杂剂物质或空穴接受性掺杂剂物质所构成的电荷输送性有机材料。上述中所述的电荷输送性清漆，其中，上述电荷输送物质是具有共轭单元的电荷输送性单体、或具有共轭单元的数均分子量200～5000的电荷输送性低聚物，并且，单一的上述共轭单元相连续，或不同的2种以上的上述共轭单元以任意的顺序加以组合而相连续。上述中所述的电荷输送性清漆，其中，上述共轭单元为选自下列化合物中的至少一种取代的或未取代的并且为2～4价的苯胺、噻吩、ジチイン(dithiin)、呋喃、吡咯、亚乙炔基、亚乙烯基、亚苯基、萘、蒽、咪唑、唑、二唑、喹啉、喹喔啉、シロ一ル(silole)、硅、吡啶、嘧啶、吡嗪、亚苯基亚乙烯基、芴、咔唑、三芳基胺、金属-或无金属-酞菁、以及金属-或无金属-卟啉。上述中所述的电荷输送性清漆，其特征在于，上述电荷输送物质为用通式(1)表示的低聚苯胺衍生物或是通式(1)的氧化体的醌二亚胺衍生物 (式中，R4～R11分别独立地表示氢原子、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磺酸基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基，m及n分别独立地表示1以上的整数，满足m+n≤20)。]上述中所述的电荷输送性清漆，其特征在于，上述电荷输送物质是通式(4)表示的低聚苯胺衍生物或是通式(4)的氧化体的醌二亚胺衍生物 (式中，R1～R7、m、n的含义同上。)上述～中任何一项所述的电荷输送性清漆，其特征在于，上述电子接受性掺杂剂物质为用通式(5)表示的磺酸衍生物 (式中D表示苯环、萘环、蒽环、菲环或杂环，R12及R13分别独立地表示羧基或羟基)。上述～中任何一项所述的电荷输送性清漆，其特征在于，上述电子接受性掺杂剂物质为用通式(6)表示的磺酸衍生物 (式中R14～R18分别独立地表示氢原子、未取代或取代的一价烃基或卤原子，X表示单键、O、S或NH，A表示氢原子、卤原子、O、S、S(O)基、S(O2)基或未取代或取代基结合的N、Si、P、P(O)基，或一价以上的未取代或取代的烃基；y为与A的价数相等、满足1≤y的整数，x表示与1，4-苯并二烷骨架中的苯环部分结合的磺酸基数，1≤x≤4。)一种薄膜，其特征在于，使用上述中的清漆而制成。一种电荷输送性薄膜，其特征在于，采用～中任何一项所述的电荷输送性清漆制造。上述中所述的电荷输送性薄膜，其特征在于，以固体成分1.0％的电荷输送性清漆制成，用KLA-Tencor社制造的表面杂质检查装置Surfscan(商标)6220，在能够以80％的捕获率检测出直到0.5μm为止的杂质的条件下测定的缺陷数，当膜厚30nm时达到100以下。一种有机电致发光元件，其中具有或的电荷输送性薄膜。上述中所述的有机电致发光元件，其中，上述电荷输送性薄膜是空穴注入层或空穴输送层。一种薄膜的制作方法，其特征在于，使用的清漆。一种电荷输送性薄膜的制作方法，其特征在于，使用上述～中任何一项所述的电荷输送性清漆。一种电荷输送性薄膜，其特征在于，以固体成分1.0％的电荷输送性清漆制成，用KLA-Tencor社制造的表面杂质检查装置Surfscan(商标)6220，在能够以80％的捕获率检测出直到0.5μm为止的杂质的条件下测定的缺陷数，当膜厚30nm时达到100以下。通过采用本专利技术的清漆，可以再现性良好地得到平坦性及均匀性高、杂质的发生被显著抑制的薄膜。对此，通过本专利技术人在有机EL元件的电荷输送性薄膜中的杂质定量而得到证实。此前，电荷输送性薄膜的杂质评价，通过容易产生个人差异的目视的显微镜观察以及，采用原子间力显微镜(AFM)或电子显微镜(SEM)等，只局限于基板的一部分的观察，故很难说是对整个基板的杂质的定量评价，缺乏客观性。实际上，使用电荷输送性薄膜制造有机EL元件时，即使基板的一部分中杂质发生少，但整个基板的杂质发生多时，因制造的产品合格率低而使生产效率显著降低。本专利技术人为了半定量地评价大面积基板中杂质的发生，采用KLA-Tencor社制造的表面杂质检查装置Surfscan(商标)6220进行了杂质的定量。通过此测定可以确认，通过本专利技术的清漆得到的薄膜，是平坦性及均匀性高的、杂质的发生被显著抑制的膜。本专利技术的清漆可采用不含水的有机溶剂简单地进行制造。该清漆，可采用旋转涂布法、印刷法、喷墨法或喷雾法等各种湿式工艺成膜，可价廉地并以良好的产品合格率在基板上形成薄膜。有机EL元件中使用的电荷输送性清漆的涂布方法，从元件的产品合格率、生产效率的观点看，与旋转涂布法相比，印刷法、喷墨法或喷雾法等，作为工业方法的现实性高。本专利技术的电荷输送本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清漆，其特征在于，其中含有：由分子量２００～１０００的有机化合物或分子量２００～５０万的低聚物或聚合物构成的基质；以及，含良溶剂及具有比良溶剂至少低２０℃的沸点（７６０ｍｍＨｇ下）的不良溶剂的溶剂，上述基质溶于该溶剂中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤拓，吉本卓司，小野豪，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]