基板处理装置、气体供给组件、喷嘴、基板处理方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种能够防止喷嘴外周与喷嘴转接器直接接触、防止因直接接触而产生微粒的技术。具备：喷嘴，具有形成于一端的安装部，将供给到所述安装部的气体向处理室内喷出；喷嘴转接器，配置于所述处理室内，与所述安装部的外周面以规定的间隔间隙配合；以及多个环状缓冲部件，分别配置于所述安装部，与所述喷嘴转接器抵接，在所述喷嘴的所述安装部安装于所述喷嘴转接器的状态下，所述环状缓冲部件中的至少一个在对应的环状缓冲部件的半径方向上压缩变形。压缩变形。压缩变形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、气体供给组件、喷嘴、基板处理方法以及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及基板处理装置、气体供给组件、喷嘴、基板处理方法以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]作为基板处理装置之一，包括一次处理规定数量的基板的分批式基板处理装置，而作为分批式基板处理装置之一包括具备立式处理炉的立式基板处理装置。处理气体向构成处理炉的石英制的反应管内的导入使用沿着反应管的内壁竖立设置的多个气体供给喷嘴。气体供给喷嘴由金属制的喷嘴支架等的喷嘴支撑构件支撑(例如，参照日本特开2009
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224765号公报、日本特开2018
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56280号公报)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
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224765号公报
[0006]专利文献2：日本特开2018
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56280号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]由于成为石英制的气体供给喷嘴与金属制的喷嘴支撑构件的嵌合构造，因此有时在石英与金属之间产生微小的间隙。由于从该间隙向喷嘴内混入处理气体以外的气体而产生微粒，有时会随着处理气体的流动而落下到基板上。进而，石英与金属的直接接触会引起由石英与金属的摩擦引起的微粒的产生、或者喷嘴的破损。
[0009]本公开的课题在于，提供一种能够防止由喷嘴、特别是喷嘴与喷嘴转接器的连接构造引起的微粒的产生的技术。
[0010]其他的课题和新颖特征将通过本说明书和附图的描述进行说明。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]根据本公开的一个方式，提供一种技术，具备：喷嘴，其具有形成于一端的安装部，将供给到所述安装部的气体向处理室内喷出；喷嘴转接器，其配置于所述处理室内，与所述安装部的外周面以规定的间隔间隙配合；以及多个环状缓冲部件，分别配置于所述安装部，与所述喷嘴转接器抵接，在所述喷嘴的所述安装部安装于所述喷嘴转接器的状态下，所述环状缓冲部件中的至少一个在对应的环状缓冲部件的半径方向上压缩变形。
[0013]专利技术的效果
[0014]根据上述技术，由于设置有环状缓冲部件，因此能够抑制由喷嘴引起的微粒的产生。
附图说明
[0015]图1是本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的概略斜透视图。
[0016]图2是说明处理气体输送管、喷嘴转接器、喷嘴的连接的图。
[0017]图3是说明将喷嘴插入喷嘴转接器的状态的立体图。
[0018]图4是说明将喷嘴插入喷嘴转接器的状态的剖视图。
[0019]图5是表示本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的控制器的概略构成的框图。
[0020]图6是本公开的实施方式的基板处理工序的流程图。
具体实施方式
[0021]以下，使用附图对实施方式进行说明。但是，在以下的说明中，有时对相同的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。需要说明的是，为了使说明更明确，附图有时与实际的方式相比示意性地表示，但只不过是一例，并不限定本公开的解释。附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0022](实施方式)
[0023](基板处理装置的结构)
[0024]使用图1对基板处理装置400进行说明。图1是表示本专利技术的一实施方式的基板处理装置的结构例的纵剖视图。
[0025]基板处理装置400具备由反应管构成的反应管401。反应管401例如由石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等具有耐热性的非金属材料构成，成为上端部封闭、下端部开放的圆筒形状。反应管401的下端部经由O形环414被歧管405支撑。将在反应管401和歧管405的内侧构成的空间称为处理空间402。另外，将反应管401和歧管405统称为处理室。
[0026]在歧管405形成炉口。炉口是基板支撑部30插入处理空间402时通过的出入口。也将歧管、炉口等统称为炉口部。
[0027]被基板支撑部30支撑为水平姿势的晶圆(半导体基板)14以在铅垂方向上呈多层排列的状态收纳于处理空间402。收纳于处理空间402的基板支撑部30构成为，通过利用旋转机构403使旋转轴404旋转，能够在保持处理空间402内的气密的状态下以搭载有多个晶圆14的状态旋转。
[0028]在反应管401的下方，与该反应管401呈同心圆状配设有歧管405。歧管405例如由不锈钢等金属材料构成，成为上端部以及下端部开放的圆筒形状。反应管401被该歧管405从下端部侧纵向支撑。即，形成处理空间402的反应管401经由歧管405在铅垂方向立起。
[0029]炉口构成为在晶舟升降机(未图示)上升时被密封盖406气密地密封。在歧管405的下端部与密封盖406之间设置有将处理空间402内气密地密封的O形环等密封部件407。
[0030]另外，在歧管405上分别连接有用于向处理空间402内注入处理气体、吹扫气体等的喷嘴408和用于排出处理空间402内的气体的排气部410。排气部410具有排气管410a和APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)410b。
[0031]喷嘴408是向处理室内喷出气体的喷嘴(喷射器)，沿着装载于处理室内的多个晶圆的排列方向延伸。在基板处理装置喷嘴408的下游侧设置有多个气体供给孔，喷嘴408的
管内构成为与反应管401连通。处理气体等从气体供给孔向处理空间402供给。喷嘴408例如由石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等具有耐热性的非金属材料构成。
[0032]喷嘴408例如设置有两根。在该情况下，一根是供给原料气体的第一喷嘴408a，另一根管是供给与原料气体反应的反应气体的第二供给管408b。另外，在此对两根供给管进行了说明，但不限于此，根据工艺的种类，也可以是3根以上。
[0033]喷嘴408在上游侧与处理气体输送管409连接。处理气体输送管409将气体从气体源等输送到喷嘴408。第一处理气体输送管409a与第一喷嘴408a连接，第二处理气体输送管409b与第二喷嘴408b连接。喷嘴408与处理气体输送管409的连接结构为使用图2～图4说明的连接结构。
[0034]在处理气体输送管409上连接有非活性气体输送管413。非活性气体输送管413向处理气体输送管409供给非活性气体。非活性气体例如是氮气(N2)，作为处理气体的载气、或者作为反应管401、喷嘴408、处理气体输送管409的吹扫气体发挥作用。
[0035]在第一处理气体输送管409a上连接有第一非活性气体搬送管413a，在第二处理气体输送管409b上连接有第二非活性气体搬送管413b。
[0036]在处理气体输送管409设置有控制处理气体的供给量的质量流量控制器431、阀432。在第一处理气体输送本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：喷嘴，其在一端具有安装部，将供给到所述安装部的气体向处理室内喷出；喷嘴转接器，其配置于所述处理室内，与所述安装部的外周面以规定的间隔间隙配合；以及多个环状缓冲部件，分别配置于所述安装部，与所述喷嘴转接器抵接，在所述喷嘴的所述安装部安装于所述喷嘴转接器的状态下，所述环状缓冲部件中的至少一个在对应的环状缓冲部件的半径方向上压缩变形。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个环状缓冲部件在所述安装部的长度方向上设置于不同的位置。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个环状缓冲部件分别配置于在所述安装部的两端附近的外周分别设置的凹槽，并构成为从所述凹槽突出。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述安装部形成为管状，所述环状缓冲部件设置为，使所述喷嘴的所述安装部的外周面与所述喷嘴转接器之间分开规定量，以防止彼此的接触。5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，还在所述环状缓冲部件之间设置用于使所述喷嘴的朝向一致的固定支架。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴转接器以使所述喷嘴直立的状态进行支撑。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述安装部沿着长度方向具有恒定的外径，所述喷嘴转接器的供所述安装部插入的部分具有恒定的内径。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个环状缓冲部件中的1个环状缓冲部件设置于安装部的下端，构成为防止所述喷嘴的底部与所述喷嘴转接器接触。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴构成为沿着装载于所述处理室内的多个基板的排列方向延伸，并相对于所述排列方向呈大致直角地喷出气体。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴转接器为金属制，所述喷嘴为非金属制。11.一种气体供给组件，其特征在于，具备：喷嘴，其在一端具有安装部，并喷出供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部贤卓，清水宏修，森田慎也，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：