晶片的转移方法技术

本发明专利技术提供晶片的转移方法，能够不损伤晶片而转移晶片。该晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的第一框架的该开口部中，该晶片的一个面与第一框架一起通过第一带而压接，该转移方法将该晶片转移至压接于第二框架的第二带，其中，该晶片的转移方法包含如下的工序：第二带压接工序，将压接于第二框架的第二带压接于晶片的另一个面，其中，该第二框架具有比该第一框架的开口部的内径小的外径；第一带切断工序，沿着该第二框架的外周将第一带切断；压接力降低工序，对该第一带赋予外部刺激而使压接于晶片的一个面的压接力降低；以及剥离工序，从压接于该第二带的晶片的一个面剥离该第一带。一带。一带。

【技术实现步骤摘要】
晶片的转移方法


[0001]本专利技术涉及晶片的转移方法，将一个面与第一框架一起压接于第一带的晶片转移至压接于第二框架的第二带。

技术介绍

[0002]由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过切割装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]另外，还提出了如下的技术：在晶片的正面上粘贴带而保持于卡盘工作台，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射而在晶片内部形成改质层，赋予外力而以该改质层作为分割的起点将晶片分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。
[0004]另外，在从带拾取各个器件芯片时，必须成为在晶片的背面上粘贴有带且使晶片的正面露出的状态，因此提出了如下的技术：使晶片从一个带转移至其他带而使正面露出(例如参照专利文献2)。
[0005]专利文献1：日本特许第3408805号公报
[0006]专利文献2：日本特许第6695173号公报
[0007]在执行上述专利文献2所公开的技术时，必须将粘贴于晶片的带沿着晶片的外径切断，根据情况，存在损伤晶片的问题。

技术实现思路

[0008]由此，本专利技术的目的在于提供晶片的转移方法，能够不损伤晶片而将晶片从一个带转移至其他带。
[0009]根据本专利技术，提供晶片的转移方法，该晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的第一框架的该开口部中，该转移方法将一个面与该第一框架一起压接于第一带的该晶片转移至压接于第二框架的第二带，其中，该晶片的转移方法具有如下的工序：第二带压接工序，将压接于该第二框架的该第二带压接于该晶片的另一个面，其中，该第二框架具有比该第一框架的该开口部的内径小的外径；第一带切断工序，沿着该第二框架的外周将该第一带切断；压接力降低工序，对该第一带赋予外部刺激而使压接于该晶片的所述一个面的压接力降低；以及剥离工序，从压接于该第二带的该晶片的所述一个面剥离该第一带。
[0010]优选该压接力降低工序在该第二带压接工序之前实施。优选该第一带是紫外线硬化型带，对该第一带照射紫外线而实施该压接力降低。
[0011]根据本专利技术的晶片的转移方法，能够不损伤晶片而将晶片从第一带转移至第二带。
附图说明
[0012]图1是示出使作为本实施方式的被加工物的晶片、第一框架和第一带成为一体的方式的立体图。
[0013]图2的(a)是示出在晶片的分割预定线的内部形成改质层的激光加工的实施方式的立体图，图2的(b)是示出在晶片中形成有改质层的状态的立体图。
[0014]图3是示出切削加工的实施方式的立体图。
[0015]图4是示出第二带压接工序的实施方式的立体图。
[0016]图5是示出第一带切断工序的实施方式的立体图。
[0017]图6是示出压接力降低工序的实施方式的立体图。
[0018]图7是示出剥离工序的实施方式的立体图。
[0019]标号说明
[0020]10：晶片；10a：正面(一个面)；10b：背面(另一个面)；12：器件；14：分割预定线；20：激光加工装置；22：聚光器；30：切割装置；31：切削单元；32：主轴壳体；33：主轴；34：切削刀具；35：切削水喷嘴；36：刀具罩；40：刀具切割器；42：旋转电动机；44：切削刀具；50：紫外线照射单元；100：改质层；110：分割槽；120：切削线；F1：第一框架；F2：第二框架；T1：第一带；T2：第二带；T3：带。
具体实施方式
[0021]以下，参照附图对本专利技术实施方式的晶片的转移方法进行详细说明。
[0022]例如在晶片的正面上粘贴带而保持于卡盘工作台，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部进行照射而形成改质层，然后实施以下说明的晶片的转移方法的实施方式。并且，在实施本专利技术的晶片的转移方法而使晶片的正面向上方露出之后，赋予外力而将晶片分割成各个器件芯片，然后实施拾取工序。
[0023]在图1中示出在本实施方式中作为被加工物的半导体的晶片10。晶片10由交叉的多条分割预定线14划分而在正面10a上形成有多个器件12。
[0024]与上述晶片10一起，如图1所示，准备具有能够收纳晶片10的开口部F1a的环状的第一框架F1以及在正面上具有粘接层的第一带T1。使晶片10的一个面即正面10a朝向下方、使另一个面即背面10b朝向上方而定位于该开口部F1a的中央，将晶片10的正面10a与第一框架F1一起压接于第一带T1，如图1的下部所示，借助第一带T1而将晶片10保持于第一框架F1。
[0025]在如上述那样将晶片10保持于第一框架F1之后，搬送至图2的(a)所示的激光加工装置20(仅示出一部分)。激光加工装置20具有：省略图示的卡盘工作台；以及照射对于晶片10具有透过性的波长的激光光线LB的激光光线照射单元的聚光器22。该卡盘工作台具有：将该卡盘工作台和该聚光器22在X轴方向上相对地进行加工进给的X轴进给机构；将该卡盘工作台和该聚光器22在与X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进行加工进给的Y轴进给机构；以及使该卡盘工作台旋转的旋转驱动机构(均省略图示)。
[0026]搬送至激光加工装置20的晶片10按照晶片10的背面10b侧成为上方的方式吸引保持于该卡盘工作台。对于该卡盘工作台所保持的晶片10，使用具有能够照射红外线并拍摄从晶片10的背面10b透过的该红外线的反射光的红外线拍摄元件的对准单元(省略图示)实
施对准工序，检测形成于正面10a的分割预定线14的位置，并且通过该旋转驱动机构使晶片10旋转而使沿第一方向延伸的分割预定线14与X轴方向一致。检测出的分割预定线14的位置的信息存储于未图示的控制单元。
[0027]根据通过上述对准工序而检测的分割预定线14的位置信息，将激光光线照射单元的聚光器22定位于沿第一方向延伸的分割预定线14的加工开始位置，从晶片10的背面10b将激光光线LB的聚光点定位于分割预定线14的内部而进行照射，并且将晶片10与该卡盘工作台一起在X轴方向上进行加工进给，沿着晶片10的沿第一方向延伸的规定的分割预定线14形成改质层100。若沿着规定的分割预定线14形成了改质层100，则将晶片10在Y轴方向上按照分割预定线14的间隔进行分度进给，将在Y轴方向上相邻的沿第一方向延伸的未加工的分割预定线14定位于聚光器22的正下方。并且，与上述同样地将激光光线LB的聚光点定位于晶片10的分割预定线14的内部而进行照射，将晶片10在X轴方向上进行加工进给而形成改质层100，重复进行上述过程，沿着沿第一方向延伸的所有分割预定线14形成改质层100。另外，改质层100形成于分割预定线14的内部，实质上无法从外部进行目视，但在图2以后的说明中，为了便于说明，用虚线示出改质层100。
[0028]接着，使晶片10旋转90度，使沿与已经形成有改质层100的第一方向的分割预定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的转移方法，该晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的第一框架的该开口部中，该转移方法将一个面与该第一框架一起压接于第一带的该晶片转移至压接于第二框架的第二带，其中，该晶片的转移方法具有如下的工序：第二带压接工序，将压接于该第二框架的该第二带压接于该晶片的另一个面，其中，该第二框架具有比该第一框架的该开口部的内径小的外径；第一带切断工序，沿着该第二框架的外周将该...

【专利技术属性】
技术研发人员：柿沼良典，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：