一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备制造技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，包括预抽真空腔体、若干个镀膜腔体、破真空腔体、以及数量均为若干个的自动门、载板驱动组件、抽气系统和发热件，预抽真空腔体和破真空腔体之间设有若干个镀膜腔体，各腔体两侧开口且彼此密封连接，自动门设置在各腔体连接处和预抽真空腔体以及破真空腔体的一侧，载板驱动组件设置在各腔体上用于驱动载板在腔体内移动，抽气系统用于对各密封腔体抽真空，发热件设置在镀膜腔体上，破真空腔体上设有用于给其内部输入保护气体的供气装置。本发明专利技术中，工艺全过程中无氧，且腔室为不锈钢腔体，无硼硅玻璃生成，不会损坏石英件，硼源层制备速率快，效果好，能大规模生产。能大规模生产。能大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备


[0001]本专利技术涉及晶体硅太阳电池
，尤其是一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备。

技术介绍

[0002]目前，在n型Topcon晶体硅太阳电池的制造中，硼扩散制备pn结是其中的核心工序之一。其中硼扩散的制备工序目前大规模量产中普遍采用的是氯化硼或溴化硼扩散法，这两种方法都存在绕镀的问题无法完全解决。为解决这一问题，近些年正在研究的一类方法是：用热丝CVD法或者PECVD法方法在硅片表面沉积一层含硼的薄膜，作为扩散源层，然后将镀膜的硅片放在炉子中进行加热，将硼原子扩散进硅片中形成pn结。但用于硼扩散工序的量产型的热丝CVD设备，目前还没有很好的产品推出，我们针对目前产业化要求的特点，充分兼顾高性能、大产能、高性价比，专利技术了适宜光伏产业大规模量产用的热丝CVD装备。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决上述技术问题，而提供一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备。
[0004]本专利技术的技术方案：一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，包括预抽真空腔体、若干个镀膜腔体、破真空腔体、以及数量均为若干个的自动门、载板驱动组件、抽气系统和发热件，所述预抽真空腔体和所述破真空腔体之间设有若干个所述镀膜腔体，各腔体两侧开口且彼此密封连接，所述自动门设置在所述各腔体连接处和所述预抽真空腔体以及破真空腔体的一侧，所述载板驱动组件设置在所述各腔体上用于驱动载板在腔体内移动，所述抽气系统用于对各密封腔体抽真空，所述发热件设置在所述镀膜腔体上，所述破真空腔体上设有用于给其内部输入保护气体的供气装置。
[0005]优选的，所述预抽真空腔体、镀膜腔体和破真空腔体一侧均可拆卸地设有门板。
[0006]优选的，所述预抽真空腔体和所述破真空腔体内均设有填充件。
[0007]优选的，各所述腔体均为不锈钢腔体。
[0008]优选的，所述镀膜腔体外部设有水冷系统。
[0009]本专利技术的有益效果是：本专利技术中，工艺全过程中无氧，且腔室为不锈钢腔体，无硼硅玻璃生成，不会损坏石英件，硼源层制备速率快，效果好，能大规模生产，性价比更高。
附图说明
[0010]图1是本专利技术优选实施例的整体结构俯视图；
[0011]图2是本专利技术优选实施例中预抽真空腔体示意图；
[0012]图3是本专利技术优选实施例中镀膜腔体示意图。
[0013]附图标记：预抽真空腔体10、镀膜腔体2、破真空腔体3、自动门4、载板驱动组件5、抽气系统6、发热件7、门板8、水冷系统9。
具体实施方式
[0014]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0015]参照图1至图3，一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，包括预抽真空腔体10、若干个镀膜腔体2、破真空腔体3、以及数量均为若干个的自动门4、载板驱动组件5、抽气系统6和发热件7，预抽真空腔体10和破真空腔体3之间设有若干个镀膜腔体2，各腔体两侧开口且彼此密封连接，自动门4设置在各腔体连接处和预抽真空腔体10以及破真空腔体3的一侧，载板驱动组件5设置在各腔体上用于驱动载板在腔体内移动，抽气系统6用于对各密封腔体抽真空，发热件7设置在镀膜腔体2上，破真空腔体3上设有用于给其内部输入保护气体的供气装置。本专利技术中，打开预抽真空腔体10一侧的自动门4，将放有硅片的载板放入预抽真空腔体10内，自动门4关闭，抽气系统6将预抽真空腔体10内的空气抽出，使预抽真空腔体10处于真空状态，预抽真空腔体10与镀膜腔体2连接处的自动门4打开，载板驱动组件5带动载板移动进入镀膜腔体2内，连接处的自动门4关闭，抽气系统6工作将镀膜腔体2内的空气抽出，镀膜腔体2上设有硼气管，带有硼元素的气体从硼气管进入，发热件7通电发热，气体在加热的发热件7上发生催化分解反应，产生B等“不带电”的活性基团，这些活性基团落到晶体硅表面上发生粘附、迁移、化学成键等反应，形成薄膜，镀膜腔体2之间的自动门4打开，载板进入第二个镀膜腔体2内镀膜，以此类推，晶体硅进入若干个镀膜腔体2内镀膜，保证每个晶体硅上镀膜的均匀度，同时能控制镀膜的厚度，当镀膜弯曲按后，镀膜腔体2与破真空腔体3之间的自动门打开，载板带着晶体硅进入破真空腔体3内时，抽气系统6工作将破真空腔体3内空气抽出，供气装置工作往其内部输入氮气，有效防止晶体硅氧化，整个工序完成后，破真空腔体3一侧自动门4打开，晶体硅从破真空腔体3输送出，镀膜全过程中无氧，且腔室为不锈钢腔体，无硼硅玻璃生成，不会损坏石英件，镀膜效率高。具体的，预抽真空腔体10、若干个镀膜腔体2和破真空腔体3上均设有感应载板的传感器，若干个镀膜腔体2上设有真空传感器，自动门4、载板驱动组件5、抽气系统6和供气装置的动作及其先后顺序，通过传感器检测到载板和真空传感器检测腔体内压力值，将检测到载板信号和压力值超过预设值信号发送给外部控制系统，外部控制系统控制动作，且该控制为设备运行中常规技术，在此不再陈述；自动门4包括翻板门、翻板轴和电机，翻板门顶部和底部一侧均设有避让槽，避免转动与腔体内壁出现干涉，翻板门上下左右均设有弹性密封垫，翻板门通过翻板轴设置在腔体开口处，电机带动翻板轴转动使翻板门转动，达到腔体两侧开口处密封或打开，自动门4也可为现有其它能实现腔体开口处密封或打开的门结构；载板驱动组件5包括若干个电机和齿轮，载板上端两侧均设有齿条，电机带动齿轮转动进而带动载板移动，移动过程中会与另一个齿轮抵接，进而使载板从一个腔体移动到另一个腔体内；抽气系统6包括抽气泵和抽气管，抽气管连接抽气泵和腔体；发热件7为钽丝；供气装置包括两个气管，氮气从进气管进入，从另一个气管流出。
[0016]作为本专利技术的优选实施例，其还可具有以下附加技术特征：
[0017]本实施例中，预抽真空腔体10、镀膜腔体2和破真空腔体3一侧均可拆卸地设有门板8，拆下门板8可对腔体内部清理。具体的，门板8通过螺栓与腔体壁连接。
[0018]本实施例中，预抽真空腔体10和破真空腔体3内均设有填充件，减小腔体内部空间，缩短抽气时间。
[0019]本实施例中，各腔体均为不锈钢腔体。
[0020]本实施例中，镀膜腔体2外部设有水冷系统9。具体的，水冷系统9包括水管和水泵，水管设置在腔体上，水在水管内流动带着热量，对腔体外部降温。
[0021]需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，其特征在于：包括预抽真空腔体(10)、若干个镀膜腔体(2)、破真空腔体(3)、以及数量均为若干个的自动门(4)、载板驱动组件(5)、抽气系统(6)和发热件(7)，所述预抽真空腔体(10)和所述破真空腔体(3)之间设有若干个所述镀膜腔体(2)，各腔体两侧开口且彼此密封连接，所述自动门(4)设置在所述各腔体连接处和所述预抽真空腔体(10)以及破真空腔体(3)的一侧，所述载板驱动组件(5)设置在所述各腔体上用于驱动载板在腔体内移动，所述抽气系统(6)用于对各密封腔体抽真空，所述发热件(7)设置在所述镀膜腔体(2)上，所述破真空腔体(3)上设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥远，董仕轩，刘翠翠，
申请(专利权)人：江西汉可泛半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：