温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，包括预抽真空腔体、若干个镀膜腔体、破真空腔体、以及数量均为若干个的自动门、载板驱动组件、抽气系统和发热件，预抽真空腔体和破真空腔体之间设有若干个镀膜腔体，各腔体两侧开口且彼此密封连接，...
该专利属于江西汉可泛半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西汉可泛半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。