用于高效率传热的单块式基座制造技术

一种用于衬底处理系统的衬底支撑件包含：单块式基座板，其具有第一表面和第二表面，所述第一表面被设置成支撑衬底，所述第二表面被设置成与基座杆对接。沟槽形成在所述单块式基座板的所述第二表面中。所述沟槽具有蜿蜒的形状，且所述沟槽的深度从所述单块式基座板的所述第二表面往上延伸。加热器线圈被布置在所述沟槽内。间隙被限定在所述加热器线圈与所述单块式基座板的所述第二表面之间，以及间隙材料被布置在所述间隙内以将所述加热器线圈密封在所述沟槽内。在所述沟槽内。在所述沟槽内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高效率传热的单块式基座
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年6月3日申请的美国临时申请No.63/033,979的利益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开内容涉及衬底处理系统的衬底支撑件。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统用于在例如半导体晶片之类的衬底上执行例如膜的沉积和蚀刻之类的处理。例如，可使用化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)、和/或其他沉积工艺来执行沉积，以沉积导电膜、介电膜、其他种类的膜。在沉积期间，将衬底布置在衬底支撑件(例如基座)上，并且在一或更多工艺步骤期间，可将一或更多种前体气体供应至处理室。在PECVD或PEALD工艺中，在沉积期间，在处理室内使用等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，所述衬底支撑件包含：单块式基座板，其包含第一表面和第二表面，所述第一表面被设置成支撑衬底，所述第二表面被设置成与基座杆对接；沟槽，其形成在所述单块式基座板的所述第二表面中，其中所述沟槽具有蜿蜒的形状，且所述沟槽的深度从所述单块式基座板的所述第二表面往上延伸；以及加热器线圈，其被布置在所述沟槽内，其中(i)间隙被限定在所述加热器线圈与所述单块式基座板的所述第二表面之间以及(ii)间隙材料被布置在所述间隙内以将所述加热器线圈密封在所述沟槽内。2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述单块式基座板由包含铝的材料构成。3.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述加热器线圈包含铝。4.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述间隙材料包含铝。5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述单块式基座板与所述间隙材料由相同的材料构成。6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述间隙材料的导热率与所述单块式基座板的导热率相差在5％以内。7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述沟槽的所述深度为所述单块式基座板的厚度的40
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60％。8.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其还包含形成在所述单块式基座板的所述第二表面中的凹部，其中所述基座杆被布置在所述凹部内。9.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述沟槽的形状为环形、螺旋形和振荡形中的至少一者。10.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述沟槽通过以下方式中的至少一者形成：机器加工、...

【专利技术属性】
技术研发人员：普拉哈拉德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：