基板成膜装置和基板处理装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种基板成膜装置和基板处理装置，包括容器、开闭阀、基座、内轴、外轴和第一吹扫机构；容器开设有排气孔，容器布置有反应室和加热室；基座转动布置在反应室，基座开设有贯穿的配接孔，基座上设有载盘；内轴沿竖直轴线穿过容器的底壁并插入配接孔，载盘在圆周方向上与内轴传动连接；内轴以基座为界被分成第一插入段及第一露出段；外轴沿竖直轴线穿过容器的底壁并环绕第一露出段布置并传动连接基座；第一吹扫机构包括第一管路；载盘与基座存在载盘间隙，内轴与配接孔存在配接间隙，内轴与外轴存在外轴间隙；载盘间隙、配接间隙及外轴间隙依次连通形成第一吹气通路；第一管路连通至第一吹气通路；以降低成膜工艺的杂质比例。杂质比例。杂质比例。

【技术实现步骤摘要】
基板成膜装置和基板处理装置


[0001]本申请涉及晶圆制程设备领域，具体涉及一种基板成膜装置和基板处理装置。

技术介绍

[0002]晶圆的表面处理工艺是通过化学气相沉积技术，将含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人发现，现有技术中成膜装置多通过向旋转轴的下方通入惰性气体，使得基座和夹具之间形成惰性气体气幕，即成为静压区。当晶圆成膜装置的喷嘴供给反应气体时，利用上述静压区仅能阻挡部分反应气体颗粒沉降到非工作区域，部分反应气体可以易隐藏在轴隙等非工作区域，使得反应腔内部的轴隙等非工作区域内反应气体颗粒的浓度不满足实际工艺的杂质要求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种基板成膜装置和基板处理装置，其能够对轴隙等非工作区域进行吹扫，降低成膜工艺的杂质比例，改善成膜效果。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：
[0005]一方面，提供了一种基板成膜装置，包括容器、开闭阀、基座、内轴、外轴和第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板成膜装置，其特征在于，包括：容器，其开设有用于排出反应气体和吹扫气体的排气孔，所述容器在竖直方向上依次布置有彼此连通的反应室和加热室；开闭阀，其连接至所述容器以打开和关闭所述排气孔；基座，其绕竖直轴线(Z)转动自由地布置在所述反应室中，所述基座的上表面沿着周向设有至少两个围绕所述竖直轴线(Z)布置的载盘；内轴，其沿所述竖直轴线(Z)穿过所述容器的底壁并插接入所述基座中，每个所述载盘在圆周方向上与所述内轴保持传动连接；管状的外轴，其沿所述竖直轴线(Z)穿过所述容器的底壁并环绕所述内轴的至少一部分布置并传动连接所述基座；第一吹扫机构，其包括输送所述吹扫气体的第一管路；其中，所述载盘与所述基座之间存在载盘间隙，所述内轴与所述基座之间存在配接间隙，所述内轴与所述外轴的侧壁间存在外轴间隙；所述载盘间隙、所述配接间隙及所述外轴间隙依次连通形成第一吹气通路；所述第一管路连通至所述第一吹气通路。2.根据权利要求1所述的基板成膜装置，其特征在于，所述基板成膜装置还包括：加热体，其布置于所述加热室中；第二吹扫机构，其包括输送所述吹扫气体的第二管路；其中，所述基座与所述容器的内侧壁之间存在容器间隙，所述基座的底部与所述加热件之间存在底部间隙，所述容器间隙、所述底部间隙和所述加热室依次连通形成第二吹气通路；所述第二管路连通至所述第二吹气通路。3.根据权利要求1或2所述的基板成膜装置，其特征在于，所述外轴以所述容器为界被分成插入所述容器中的第二插入段及露出所述容器的第二露出段，所述第二露出段的外周环绕地布置有连接所述容器的底部的弹性密封件。4.根据权利要求3所述的基板成膜装置，其特征在于，所述弹性密封件与所述第二露出段间存在装配间隙，所述第二管路依次连通所述装配间隙及所述第二吹气通路。5.根据权利要求3所述的基板成膜装置，其特征在于，所述基板成膜装置还包括抬升装置，所述抬升装置包括多个联动件和与所述联动件对应啮合的抬升臂，所述抬升臂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本晓，孙正，王宏杰，常青，
申请(专利权)人：无锡先为科技有限公司，
类型：发明
国别省市：