本申请公开了一种气体分配装置和气相沉积设备，属于半导体制造技术领域，气体分配装置包括第一板体、第二板体以及第一侧围板围成的第一匀气室，第一侧围板具有与第一匀气室连通的多个第一出气口，多个第一出气口沿着第一侧围板的周向均匀间隔排布；第一匀...

本申请实施例公开了提供一种晶圆承载机构及晶圆处理系统，所述晶圆承载机构通过在载台的内侧或者在载台的表面设置第一通道，第一通道能够供外部流体流经载台，通过外部流体通道形成对载台的冷却，并设置第二通道，第二通道相对于第一通道独立设置，第二通...

一种晶圆位姿识别系统及其位姿识别方法，设置在半导体处理设备的中转腔中的晶圆位姿识别系统包含：支撑待识别晶圆的支撑结构，具有漫射表面的光学板将将光源产生的光转化为漫射光照射到待识别晶圆的表面，图像传感器采集待识别晶圆的表面图像，定义从待识...

本申请实施例公开了提供一种片盒及片盒承载装置，所述片盒的盒体包括多个容纳腔，以容纳腔朝向盒体的开口的延伸方向定义收纳方向，盒体的底壁包括面向容纳腔的上表面，通过在盒体的底壁设置支撑部，支撑部的支撑面相对于底壁的上表面倾斜设置，使得片盒在...

本发明提供一种加热组件及半导体处理设备。所述半导体处理设备包括反应腔，所述反应腔内设有基座，所述基座用于承载晶圆，所述加热组件包括：主线圈，用于对所述基座进行加热，包括以同心圆环状排布的多匝线圈；多个过渡段，每一过渡段连接相邻匝线圈，所...

本申请的实施例公开了一种CVD反应装置及应用于CVD反应装置的供气方法，其中CVD反应装置包括反应器、第一管路、至少两个第二管路、至少一个第三管路以及第一流量控制器。反应器内设有反应腔体。第一管路在进口端到出口端之间形成供反应气流通的流...

本发明涉及一种晶圆处理装置，至少包括能够载置晶圆的负载锁定腔或片腔、传输腔及能够对晶圆进行处理的处理腔，传输腔设有用于传输晶圆的机械手，机械手包括多级机械臂、连接于末级机械臂的输运手指及末端调节系统，末级机械臂的前级机械臂至少包括沿竖直...

本申请实施例公开了提供一种温度补偿方法

本申请实施例公开了一种半导体处理装置及温度调整方法，所述半导体处理装置通过在盖体朝向基座的一面开设窗口，在反应腔的外侧设置调温组件，调温组件包括第二加热组件和阻断部件，第二加热组件通过窗口形成能够向基座的第一表面上的承载区传递能量的传递...

本发明提供一种晶圆温度调节方法，用于晶圆处理设备，晶圆处理设备包含一反应腔，反应腔内设有可旋转的基座，基座包含相对的上表面及下表面，上表面承载有多个晶圆，上表面包含分别与多个晶圆对应的多个第一分区，所述晶圆处理设备设有温度调节装置，所述...

本发明提供一种温度调节装置，用于晶圆处理设备，晶圆处理设备包含一反应腔，反应腔内设有基座，基座的上表面设有与晶圆承载部件对应并能载置晶圆承载部件的承载区，温度调节装置包含：冷却气体源，其设于反应腔外部；喷嘴组件，其面向基座的下表面设置，...

本发明提供一种温度调节装置，用于晶圆处理设备，晶圆处理设备包含一反应腔，反应腔内设有基座及用于放置晶圆的晶圆承载部件，基座包含上表面及位于所述上表面相对侧的下表面，上表面包括用于载置所述晶圆承载部件的环形承载区，所述温度调节装置包括：冷...

本实用新型提供一种气压调节装置、反应腔室尾排管路及半导体加工设备。所述尾排管路连接反应腔室与尾气处理装置，所述尾排管路包括连通所述反应腔室的第一通断阀，所述气压调节装置包括：旁通管路，并联连接在所述第一通断阀的两端，所述旁通管路上至少设...

本申请公开了一种衬底处理装置，包括：反应腔室，其包括腔室主体及设于腔室主体内的底座，底座可拆卸地连接于腔室主体的底壁；加热组件，加热组件设于腔室主体内或腔室主体外，以直接或间接的方式对至少部分底座进行加热；其中，底座包括：底盘，其开设有...

本发明公开了一种硅上氮化镓的外延层及HEMT器件的制备方法，其可通过MOCVD设备进行制备，所述硅上氮化镓的外延层的制备方法包括：步骤S1、提供一衬底，所述衬底为Si衬底；步骤S2、在所述衬底上至少形成一AlN层；步骤S3、在所述AlN...

本申请实施例公开了提供一种晶圆承载机构及晶圆处理装置，所述晶圆承载机构通过在基座上开设容纳槽，将托盘布置于容纳槽中，通过托盘承载晶圆，并在容纳槽的内底壁上设置限位结构，为当托盘或者晶圆表现为局部温度过高时，调节片可选择性地设于容纳槽内的...

本申请实施例公开了提供一种晶圆承载机构及晶圆处理装置，所述晶圆承载机构通过在基座上开设容纳槽，将托盘布置于容纳槽中，通过托盘承载晶圆，并在容纳槽的内底壁上设置限位结构，为当托盘或者晶圆表现为局部温度过高时，调节片可选择性地设于容纳槽内的...

本申请的实施例公开了一种晶圆处理设备及传输方法，其中晶圆处理设备包括片腔；负载锁定腔；第一传输腔，位于片腔和负载锁定腔之间，第一传输腔内包括第一机械手，第一机械手可将晶圆在片腔和负载锁定腔之间传输；至少一个晶圆处理腔；及第二传输腔，第二...

本发明公开了一种GaN高阻层制备方法及GaN的HEMT器件制备方法，所述GaN高阻层制备方法，其通过MOCVD设备制备，包括：至少一个衬底层，GaN高阻层基于衬底层外延生长；衬底层至少包括成核和/或外延生长的预处理阶段；衬底层进行预处理...

本发明提供一种晶圆加热装置，用于晶圆处理设备，所述晶圆处理设备包括反应腔，所述反应腔内设有用于承载晶圆的基板，所述晶圆加热装置包含：至少一个感应线圈，所述感应线圈包括多匝；至少一个感应加热板，所述感应线圈感应加热所述感应加热板，所述晶圆...