一种巨量转移方法及巨量转移装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种巨量转移方法及巨量转移装置，包括：提供衬底，多个微型发光二极管生长于衬底的表面。提供临时胶层，通过临时胶层，将临时基板粘接微型发光二极管。去除衬底，以暴露微型发光二极管。通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的微型发光二极管背离其电极的一侧。以及通过转移基板，将微型发光二极管转移至显示基板，其中转移基板设有多个凸台。本发明专利技术提出的巨量转移方法及巨量转移装置，可以提高转移效率与准确性。移效率与准确性。移效率与准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种巨量转移方法及巨量转移装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种巨量转移方法及巨量转移装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(Micro
‑
Light Emitting Diode，微型发光二极管)作为新一代显示技术，与传统的液晶显示技术相比，由于具有发光亮度更高，色彩还原力更好以及降低功耗等优势广受青睐。在微型发光二极管的转移过程中，一般通过连续喷胶方式来制作转移模块，将微型发光二极管从待转移基板转移至显示基板。上述微型发光二极管芯片转移方法工艺较为复杂，转移效率低，同时也无法进行选择性转移。
[0003]因此，如何实现微型发光二极管便捷、高效的转移是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种巨量转移方法及巨量转移装置，旨在解决微型发光二极管的选择性转移问题，以提高微型发光二极管芯片的转移效率。
[0005]一种巨量转移方法，包括：
[0006]提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬底的表面；提供临时胶层；通过所述临时胶层，将临时基板粘接所述微型发光二极管；去除所述衬底，以暴露所述微型发光二极管；通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧；以及通过转移基板，将所述微型发光二极管转移至显示基板，其中所述转移基板设有多个凸台。2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：对部分所述临时胶层进行刻蚀，以去除相邻所述微型发光二极管之间的所述临时胶层。3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：去除所述微型发光二极管正投影区域内的部分所述临时胶层。4.如权利要求3所述的巨量转移方法，其特征在于，所述临时胶层刻蚀至所述临时基板，以暴露所述临时基板。5.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：