低良问题识别方法技术

本申请涉及一种低良问题识别方法，包括步骤：将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒；将全部第一晶圆切割形成的全部第一晶粒划分于至少两个批次中；将各批次单独进行封装；将封装好的各批次依次进行终测；若终测检测出低良批次，定义该低良批次为目标批次，与目标批次包含至少一个来自同一片第一晶圆的第一晶粒的相邻批次为参照批次；读取目标批次中及参照批次第一晶粒的信息；当第一参照晶粒中的失效晶粒占比大于或等于第二阈值时，则初步判断目标批次的低良问题与封装工艺无关；当第一参照晶粒中的失效晶粒占比小于或等于第三阈值时，则初步判断目标批次的低良问题与封装工艺相关。相关。相关。

【技术实现步骤摘要】
低良问题识别方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种低良问题识别方法。

技术介绍

[0002]现有芯片封装技术首先将同片晶圆(Wafer)经晶圆切割(Wafer saw)工艺切割形成晶粒(die)，而后将晶粒进行封装，此时，来自同片晶圆的晶粒在同一封装批次，最后按照封装批次进行终测(Final test)。
[0003]当某一封装批次在终测出现低良问题时，上述封装方式无法排除是晶圆本身的原因，也较难确定是否与封装或测试相关。也即为，上述封装方式无法有效地进行异常问题追溯。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统封装方式无法有效地进行异常问题追溯的问题，提供一种能够有效地进行异常问题追溯的低良问题识别方法。
[0005]一种低良问题识别方法，包括步骤：
[0006]将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒；
[0007]将全部所述第一晶圆切割形成的全部所述第一晶粒划分于至少两个批次中，使得任一批次及其至少一个相邻批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒；
[0008]将各批次单独进行封装，并通过封装形成芯片；
[0009]将封装好的各批次依次进行终测；
[0010]若终测检测出低良批次，定义该低良批次为目标批次，与所述目标批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒的相邻批次为参照批次；
[0011]读取所述目标批次及所述参照批次中所述第一晶粒的信息，将所述第一晶粒进行所述第一晶圆还原，并定义所述参照批次中与所述目标批次来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒为第一参照晶粒；
[0012]当所述第一参照晶粒中的失效晶粒占比大于或等于第二阈值时，则初步判断所述目标批次的低良问题与封装工艺无关；当所述第一参照晶粒中的失效晶粒占比小于或等于第三阈值时，则初步判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关；所述第三阈值小于所述第二阈值。
[0013]上述低良问题识别方法，基于新的芯片封装方式，当终测检测出低良批次时，通过判断与其相邻的参照批次中的第一参照晶粒中失效晶粒的占比情况，能够初步判断目标批次的低良问题与封装工艺是否相关，能够有效地进行异常问题追溯。
[0014]在其中一个实施例中，所述将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒还包括步骤：
[0015]将每片第二晶圆切割成至少两个第二晶粒；所述第一晶圆的种类与所述第二晶圆的种类不同；
[0016]所述将全部所述第一晶圆切割形成的全部所述第一晶粒划分于至少两个批次中，使得任一批次及其至少一个相邻批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒还包括步骤：
[0017]将所述第二晶粒与所述第一晶粒进行对应，并将所述第二晶粒划分于相对应的所述第一晶粒所属的批次中，还使得任一批次及其至少一个相邻批次还包括至少一个来自同一片所述第二晶圆的所述第二晶粒；
[0018]所述若终测检测出低良批次，定义该低良批次为目标批次，与所述目标批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒的相邻批次为参照批次还包括步骤：
[0019]所述目标批次与所述参照批次还包含至少一个来自同一片所述第二晶圆的所述第二晶粒；
[0020]所述读取所述目标批次及所述参照批次中所述第一晶粒的信息，将所述第一晶粒进行所述第一晶圆还原，并定义所述参照批次中与所述目标批次来自同一所述第一晶圆的所述第一晶粒为第一参照晶粒还包括步骤：
[0021]读取所述目标批次及所述参照批次中所述第二晶粒的信息，将所述第二晶粒进行所述第二晶圆还原，并定义所述参照批次与所述目标批次来自同一片所述第二晶圆的所述第二晶粒为第二参照晶粒；
[0022]所述当初步判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关之后，还包括步骤：
[0023]当所述第二参照晶粒中的失效晶粒占比小于或等于第四阈值时，则判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关。
[0024]在其中一个实施例中，所述将全部所述第一晶圆切割形成的全部所述第一晶粒划分于至少两个批次中，使得任一批次及其至少一个相邻批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒还包括步骤：
[0025]沿第一预设方向逐片完成所述第一晶圆的所述第一晶粒的抓取，每抓取所述第一晶粒至第一预设数量则构成一个批次，沿所述第二预设方向逐片完成所述第二晶圆的所述第二晶粒的抓取。
[0026]在其中一个实施例中，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直。
[0027]在其中一个实施例中，所述第一晶圆为ASIC晶圆，所述第二晶圆为MEMS晶圆。
[0028]在其中一个实施例中，在将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒之前，还包括步骤：
[0029]存储所述第一晶圆的身份识别码、所述第一晶粒的身份识别码及在所述第一晶圆上的位置坐标，以及存储所述第二晶圆的身份识别码、所述第二晶粒的身份识别码及在所述第二晶圆上的位置坐标。
[0030]在其中一个实施例中，所述第一晶粒和所述第二晶粒均设置有存储器，所述第一晶圆的身份识别码、所述第一晶粒的身份识别码及在所述第一晶圆上的位置坐标存储在所述第一晶粒的存储器中，所述第二晶圆的身份识别码、所述第二晶粒的身份识别码及在所述第二晶圆上的位置坐标存储在所述第二晶粒的存储器中；或者，
[0031]所述第一晶粒设置有存储器，所述第一晶圆的身份识别码、所述第一晶粒的身份识别码及在所述第一晶圆上的位置坐标存储在所述第一晶粒的存储器中，基于所述第二晶粒和所述第一晶粒的对应关系，所述第二晶圆的身份识别码、所述第二晶粒的身份识别码
及在所述第二晶圆上的位置坐标存储在与所述第二晶粒对应的所述第一晶粒的存储器中。
[0032]在其中一个实施例中，所述读取所述目标批次中及所述参照批次所述第一晶粒的信息，将所述第一晶粒进行所述第一晶圆还原，并定义所述参照批次与所述目标批次中来自同一所述第一晶圆的所述第一晶粒为第一参照晶粒还包括步骤：
[0033]根据所述第一晶圆的身份识别码、所述第一晶粒的身份识别码及在所述第一晶圆上的位置坐标，将所述第一晶粒进行所述第一晶圆还原；
[0034]根据所述第二晶圆的身份识别码、所述第二晶粒的身份识别码及在所述第二晶圆上的位置坐标，将所述第二晶粒进行所述第二晶圆还原。
[0035]在其中一个实施例中，当判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关后，还包括步骤：
[0036]还原所述目标批次中的失效晶粒在基板上的位置分布；
[0037]根据所述目标批次中的失效晶粒在所述基板上的位置分布，判断所述目标批次的低良问题与封装工艺中的何种工艺相关。
[0038]在其中一个实施例中，所述将各批次单独进行封装，并通过封装形成芯片还包括步骤：
[0039]粘贴晶粒至基板上；
[0040]焊线；
[0041]塑封；
[0042]封装切割。
[0043]在其中一个实施例中，在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低良问题识别方法，其特征在于，包括步骤：将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒；将全部所述第一晶圆切割形成的全部所述第一晶粒划分于至少两个批次中，使得任一批次及其至少一个相邻批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒；将各批次单独进行封装，并通过封装形成芯片；将封装好的各批次依次进行终测；若终测检测出低良批次，定义该低良批次为目标批次，与所述目标批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒的相邻批次为参照批次；读取所述目标批次及所述参照批次中所述第一晶粒的信息，将所述第一晶粒进行所述第一晶圆还原，并定义所述参照批次中与所述目标批次来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒为第一参照晶粒；当所述第一参照晶粒中的失效晶粒占比大于或等于第二阈值时，则初步判断所述目标批次的低良问题与封装工艺无关；当所述第一参照晶粒中的失效晶粒占比小于或等于第三阈值时，则初步判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关；所述第三阈值小于所述第二阈值。2.根据权利要求1所述的低良问题识别方法，其特征在于，所述将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒还包括步骤：将每片第二晶圆切割成至少两个第二晶粒；所述第一晶圆的种类与所述第二晶圆的种类不同；所述将全部所述第一晶圆切割形成的全部所述第一晶粒划分于至少两个批次中，使得任一批次及其至少一个相邻批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒还包括步骤：将所述第二晶粒与所述第一晶粒进行对应，并将所述第二晶粒划分于相对应的所述第一晶粒所属的批次中，还使得任一批次及其至少一个相邻批次还包括至少一个来自同一片所述第二晶圆的所述第二晶粒；所述若终测检测出低良批次，定义该低良批次为目标批次，与所述目标批次包含至少一个来自同一片所述第一晶圆的所述第一晶粒的相邻批次为参照批次还包括步骤：所述目标批次与所述参照批次还包含至少一个来自同一片所述第二晶圆的所述第二晶粒；所述读取所述目标批次及所述参照批次中所述第一晶粒的信息，将所述第一晶粒进行所述第一晶圆还原，并定义所述参照批次中与所述目标批次来自同一所述第一晶圆的所述第一晶粒为第一参照晶粒还包括步骤：读取所述目标批次及所述参照批次中所述第二晶粒的信息，将所述第二晶粒进行所述第二晶圆还原，并定义所述参照批次与所述目标批次来自同一片所述第二晶圆的所述第二晶粒为第二参照晶粒；所述当初步判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关之后，还包括步骤：当所述第二参照晶粒中的失效晶粒占比小于或等于第四阈值时，则判断所述目标批次的低良问题与封装工艺相关。3.根据权利要求2所述的低良问题识别方法，其特征在于，所述将全部所述第一晶圆切
割形成的全部所述第一晶粒划分于至少两个批次中，使得任一批次及其至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张红，袁健思，潘建峰，
申请(专利权)人：上海矽睿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：