一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法技术

本发明专利技术属于半导体生产技术领域，具体涉及一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法，包括以下步骤：步骤一准备原材料；步骤二将原材料装填入焊接船，进焊接炉在氮气保护下高温焊接；步骤三出炉转换；步骤四酸洗、水清洗；使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀，以去除可能的污物，在酸洗的过程中，按照流程进行高纯水超声清洗；步骤五涂玻璃浆后玻璃烧结；步骤六可靠性试验；步骤七合并连接成桥式整流器；步骤八准备注胶；步骤九注胶及注胶后固化；步骤十表面锡处理；步骤十一第二次可靠性试验；步骤十二电性测试；步骤十三印字、外观检查；步骤十四包装、入库。入库。入库。

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法


[0001]本专利技术属于半导体生产
，具体涉及一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法。

技术介绍

[0002]整流器是一个整流装置，是能够将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。它有两个主要功能：第一，将交流电(AC)变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；第二，给蓄电池提供充电电压。
[0003]公开号为CN114551250 B的文献就公开了一种高压硅堆的批量生产工艺，包括如下步骤：
[0004]步骤1.刷焊料：将多块DBC板放置在治具中，采用丝网印刷机在各DBC板上印刷一层厚度为0.1mm
‑
0.2mm的焊料；
[0005]步骤2.组装芯片：利用装配有芯片吸取头的自动装配机一次性吸取多颗芯片，并一次性将多颗芯片平铺在各DBC板上的预定位置，然后利用焊料将芯片固定在各DBC板上；
[0006]步骤3.点焊料：用点胶机在多颗芯片上和引脚焊接点处分别点上焊料；
[0007]步骤4.组装跳线：利用装配有跳线吸取头的自动装配机一次性吸取多根跳线，并一次性将多根跳线放置在各DBC板上的预定位置，然后利用焊料焊接跳线，焊接后分别得到多颗芯片在DBC板上串联的整体芯片；
[0008]步骤5.装引脚：预先制备包括多根引脚的引脚框架，然后使用焊料将引脚框架中的各引脚分别固定在各整体芯片两端；
[0009]步骤6.烧结：采用真空炉进行烧结，烧结温度为360℃
±
20℃，烧结后将产品取出放置在中转工装内；
[0010]步骤7.清洗：采用松香清洗液将焊接表面残留去除；
[0011]步骤8.塑封：采用注塑机和模具在高温175
±
20℃、高注进压力50N
±
20N条件下将环氧树脂分别包裹各整体芯片，形成不同封装形式的高压硅堆；
[0012]步骤9.引脚电镀：采用挂镀工艺在高压硅堆的引脚上电镀不低于3um厚度锡；
[0013]步骤10.切筋：利用引脚切筋机器切断引脚框架，将引脚连接在一起的成品高压硅堆切割成单独个体；
[0014]步骤11.测试印字：采用一贯机和数字机对高压硅堆的参数进行测试，并在测试合格产品上打印标识；
[0015]步骤12.包装：用包装袋和纸箱对测试完成的高压硅堆进行包装；
[0016]以上方法的高压硅堆的产品是单独的一拐进行批量生产，且无法适应高温高压环境。

技术实现思路

[0017]本专利技术就是针对上述中所存在的问题，针对性地设计一种玻璃烧结高压桥式整流
器加工方法。
[0018]为实现上述目的，本专利技术提供一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法，包括如下步骤：
[0019]步骤一 准备原材料；将引线、已腐蚀的钼粒、已腐蚀的晶粒、焊片装入相应的容器内；
[0020]步骤二 将原材料装填入焊接船，进焊接炉在氮气保护下高温焊接；
[0021]步骤三 出炉转换；
[0022]步骤四 酸洗、水清洗；使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀，以去除可能的污物，在酸洗的过程中，按照流程进行高纯水超声清洗；
[0023]步骤五 涂玻璃浆后玻璃烧结；用一种特殊的上玻璃设备在PN结表面上上一层玻璃浆，使用烧结炉将二极管坯件封接成电参数和外形符合内钝化要求的二极管件，烧结过程中使用氮气保护；
[0024]步骤六 可靠性试验；在进行可靠性试验前后，实验室应当的进行半自动电性试验；
[0025]步骤七 合并连接成桥式整流器；
[0026]步骤八 准备注胶；
[0027]步骤九 注胶及注胶后固化；
[0028]步骤十 表面锡处理；
[0029]步骤十一 第二次可靠性试验；在进行可靠性试验前后，实验室应当的进行半自动电性试验；
[0030]步骤十二 电性测试；在流水线上进行全自动电性试验；
[0031]步骤十三 印字、外观检查；
[0032]步骤十四 包装、入库。
[0033]进一步的，步骤二中所述将原材料装填入焊接船，装填后的结构顺序为：引线
‑
焊片
‑
钼粒
‑
晶粒—钼粒
‑
焊片
‑
引线；所述焊接炉的炉内最高温度为715℃～760℃,高于660℃恒温区时间为11～17min，高于580℃恒温区时间为17～21min，出炉口温度≤130℃；所述氮气的压力为2.5
±
0.5kg/cm2。
[0034]进一步的，步骤四中所述酸洗机包括1#酸槽和2#酸槽，所述1#酸槽内装入1#混合酸，所述2#酸槽内装入2#混合酸；所述1#混合酸的配比为硝酸：硫酸：氢氟酸：磷酸＝1:2:1:2；所述2#混合酸的配比为磷酸：双氧水：去离子水＝1:2:3。
[0035]进一步的，所述1#混合酸的实际酸温为25℃～28℃，所述2#混合酸的实际酸温为62℃
±
3℃。
[0036]作为优选，在执行所述步骤五的玻璃烧结之前，应当将酸洗过后的焊接成品疏到石墨条上，然后再将装在石墨条上的焊接件涂上玻璃浆。
[0037]作为优选，步骤五中所述烧结炉炉温最高温度为670℃
±
10℃，高于630℃的区域，通过的时间为6min～12min，链速为12.5cm/60
±
2s。
[0038]作为优选，步骤七中所述合并连接的连接温度为300℃～360℃。
[0039]进一步的，步骤八所述准备注胶包括如下步骤：
[0040]S1引直；
[0041]S2电性预分类；
[0042]S3 Hi
‑
rel；对合并后的桥式整流器产品进行高温高压的工作环境检测，其工作环境为绝缘油中，环境温度为175℃，对产品施加的电压为不小于104V；
[0043]S4电极焊接。
[0044]进一步的，所述步骤十的表面锡处理包括以下步骤：
[0045]P1引线预处理；
[0046]P2核对浸锡参数；
[0047]P3装料；
[0048]P4浸锡盘装机；
[0049]P5浸锡；
[0050]P6冷却；
[0051]P7下料；
[0052]P8清洗机准备；
[0053]P9清洗剂清洗；
[0054]P10烘干；
[0055]P11外观不良品挑拣；
[0056]P12装箱。
[0057]综上所述，本专利技术的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法具有如下的优点和有益技术效果：
[0058]1.本专利技术的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法采用是玻璃烧结产品结构，该结构中间是晶粒，两边依次是钼粒、焊片、无氧铜引线，晶粒、钼粒用玻璃保护，选用钼粒做二极管管芯基片，钼粒和晶粒在受热的状态下会产生一定的线性热膨胀,因为钼粒和晶粒的线性热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一准备原材料；将引线、已腐蚀的钼粒、已腐蚀的晶粒、焊片装入相应的容器内；步骤二将原材料装填入焊接船，进焊接炉在氮气保护下高温焊接；步骤三出炉转换；步骤四酸洗、水清洗；使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀，以去除可能的污物，在酸洗的过程中，按照流程进行高纯水超声清洗；步骤五涂玻璃浆后玻璃烧结；用一种特殊的上玻璃设备在PN结表面上上一层玻璃浆，使用烧结炉将二极管坯件封接成电参数和外形符合内钝化要求的二极管件，烧结过程中使用氮气保护；步骤六可靠性试验；在进行可靠性试验前后，实验室应当的进行半自动电性试验；步骤七合并连接成桥式整流器；步骤八准备注胶；步骤九注胶及注胶后固化；步骤十表面锡处理；步骤十一第二次可靠性试验；在进行可靠性试验前后，实验室应当的进行半自动电性试验；步骤十二电性测试；在流水线上进行全自动电性试验；步骤十三印字、外观检查；步骤十四包装、入库。2.根据权利要求1所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法，其特征在于：步骤二中所述将原材料装填入焊接船，装填后的结构顺序为：引线
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焊片
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钼粒
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晶粒—钼粒
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焊片
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引线；所述焊接炉的炉内最高温度为715℃～760℃,高于660℃恒温区时间为11～17min，高于580℃恒温区时间为17～21min，出炉口温度≤130℃；所述氮气的压力为2.5
±
0.5kg/cm2。3.根据权利要求2所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李广德，
申请(专利权)人：济南晶久电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：