【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器，特别涉及一种传感器封装方法、传感器封装结构及电子设备。
技术介绍
1、近年来，对于智能手机及可穿戴设备的测温需求不断提升。为实现测温功能，需要在上述设备中集成温度传感器。由于智能手机及可穿戴设备均具有小型化、轻薄化的特点，故对于温度传感器的小型化要求也较高。接触式温度传感器的尺寸较小，但体温检测时需要佩戴较长时间，体验感一般。
2、基于红外热电堆测温原理的红外温度传感器为非接触式测温，能够在极短时间内完成体温检测。但是，现有的红外温度传感器主要采用mems/asic堆叠打线方式实现封装。受到封装规则、打线规则的限制，导致红外温度传感器的整体尺寸偏大，难以适用于小型化的应用场景。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够实现小型化的传感器封装方法、传感器封装结构及电子设备。
2、一种传感器封装方法，包括：
3、步骤s101：在载体上形成第一介质层，并在所述第一介质层的预设位置形成沿厚度方向贯穿所述第一介质层的第一金属柱；
4、步骤s102：将集成电路芯片放置于所述第一介质层的表面并注塑，以形成包覆所述集成电路芯片的第一注塑层并暴露出所述第一金属柱及所述集成电路芯片的焊垫；
5、步骤s103：在所述第一注塑层上进行金属沉积，并形成电连接所述第一金属柱与所述集成电路芯片的焊垫的第一重布线层；
6、步骤s104：在所述第一重布线层上形成第二介质层，并在所述第二介质层的预设位置形成
7、步骤s105：将红外传感元件放置于所述第二介质层的表面并注塑，以形成部分包覆所述红外传感元件的第二注塑层并暴露出所述第二金属柱及所述红外传感元件的焊垫；
8、步骤s106：在所述第二注塑层上进行金属沉积，并形成电连接所述第二金属柱与所述红外传感元件的焊垫的第二重布线层；
9、步骤s107：在所述红外传感元件背向所述第二介质层的一侧覆设滤光层；
10、步骤s108：移除所述载体，并在所述第一介质层背向所述集成电路芯片的一侧进行金属沉积，以形成与所述第一金属柱电连接的第三重布线层。
11、在其中一个实施例中，所述步骤s101包括以下步骤：在所述载体上沉积形成所述第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀并在预设位置形成沿厚度方向贯穿所述第一介质层的通孔；在所述第一介质层进行金属晶种层沉积并得到金属晶种层；在所述金属晶种层表面沉积形成光刻胶层并对所述光刻胶层进行曝光显影刻蚀，以暴露出所述通孔；在所述光刻胶层的刻蚀区域进行金属电镀并形成所述第一金属柱；去除所述光刻胶层并将所述金属晶种层位于所述第一金属柱范围外的部分刻蚀去除。
12、在其中一个实施例中，所述步骤s103包括以下步骤：在所述第一注塑层的表面沉积得到第一保护层；对所述第一保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第一金属柱及所述集成电路芯片的焊垫的第一沉积槽；在所述第一沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第一重布线层。
13、在其中一个实施例中，所述步骤s106包括以下步骤：在所述第二注塑层的表面沉积得到第二保护层；对所述第二保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第二金属柱及所述红外传感元件的焊垫的第二沉积槽；在所述第二沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第二重布线层。
14、在其中一个实施例中，在所述步骤s106与所述步骤s107之间还包括步骤：在所述第二保护层的表面沉积得到覆盖所述第二重布线层的钝化层。
15、在其中一个实施例中，所述步骤s108包括以下步骤：移除所述载体；在所述第一介质层背向所述集成电路芯片的表面沉积得到第三保护层；对所述第三保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第一金属柱的第三沉积槽；在所述第三沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第三重布线层。
16、在其中一个实施例中，所述集成电路芯片及所述红外传感元件设置有多个，在所述步骤s107之后还包括步骤：进行划片操作以得到多个封装结构，每个所述封装结构内均包括一个所述集成电路芯片及一个所述红外传感元件。
17、上述传感器封装方法，可将集成电路芯片及红外传感元件分别封装于第一介质层与第一注塑层之间以及第二介质层与第二注塑层之间，从而省略传统的封装壳体。进一步的，集成电路芯片与红外传感元件通过第一重布线层、第二金属柱及第二重布线层实现电连接，且集成电路芯片通过第一重布线层、第一金属柱及第三重布线层引出。第一金属柱能够利用第一介质层及第一注塑层的厚度，第二金属柱能够利用第二介质层及第二注塑层的厚度，故不额外占用空间。而且，第一重布线层、第二重布线层及第三重布线层厚度较小。更进一步的，通过第一介质层与第三重布线层的组合作为整个封装结构的衬底，相较于传统pcb板作为衬底的封装结构，第一介质层及第三重布线层的厚度较小。因此，上述传感器封装方法能够显著减小封装的尺寸，从而实现小型化。
18、一种传感器封装结构，包括第一介质层、第一注塑层、集成电路芯片、第二介质层、红外传感元件、第二注塑层及滤光层；
19、所述集成电路芯片设置于所述第一介质层的表面并由所述第一注塑层包覆，所述第一介质层的预设位置设置有沿厚度方向贯穿所述第一介质层的第一金属柱，所述第一金属柱与所述集成电路芯片的焊垫通过形成于所述第一注塑层表面的第一重布线层电连接；所述第一介质层背向所述集成电路芯片的一侧形成有与所述第一金属柱电连接的第三重布线层；
20、所述第二介质层覆设于所述第一重布线层的表面，所述红外传感元件设置于所述第二介质层的表面并由所述第二注塑层部分包覆，所述第二注塑层暴露出所述红外传感元件的接收区域，所述第二介质层的预设位置设置有沿厚度方向贯穿所述第二介质层并延伸至与所述第一重布线层接触的第二金属柱，所述第二金属柱与所述红外传感元件的焊垫通过形成于所述第二注塑层表面的第二重布线层电连接；所述滤光层覆设于所述红外传感元件背向所述第二介质层的一侧。
21、在其中一个实施例中，所述传感器封装结构还包括夹持于所述第一注塑层与所述第二介质层之间的第一保护层，所述第一重布线层嵌设于所述第一保护层内。
22、在其中一个实施例中，所述传感器封装结构还包括形成于所述第二注塑层表面的第二保护层，所述第二重布线层嵌设于所述第二保护层内。
23、在其中一个实施例中，所述传感器封装结构还包括钝化层，所述钝化层覆设于所述第二保护层的表面并覆盖所述第二重布线层。
24、在其中一个实施例中，所述第一介质层背向所述集成电路芯片的表面形成有第三保护层，所述第三重布线层嵌设于所述第三保护层内。
25、在其中一个实施例中，一种电子设备，包括如上述优选实施例中任一项所述的传感器封装结构。
26、上述电子设备及传感器封装结构，集成电路芯片及红外传感元件分别封装于第一介质层与第一注塑层之间以及第二介质层与第二注塑层之间，从而省略传统本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种传感器封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤S101包括以下步骤：在所述载体上沉积形成所述第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀并在预设位置形成沿厚度方向贯穿所述第一介质层的通孔；在所述第一介质层进行金属晶种层沉积并得到金属晶种层；在所述金属晶种层表面沉积形成光刻胶层并对所述光刻胶层进行曝光显影刻蚀，以暴露出所述通孔；在所述光刻胶层的刻蚀区域进行金属电镀并形成所述第一金属柱；去除所述光刻胶层并将所述金属晶种层位于所述第一金属柱范围外的部分刻蚀去除。
3.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤S103包括以下步骤：在所述第一注塑层的表面沉积得到第一保护层；对所述第一保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第一金属柱及所述集成电路芯片的焊垫的第一沉积槽；在所述第一沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第一重布线层。
4.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤S106包括以下步骤：在所述第二注塑层的表面沉积得到第二保护层；对所述第二保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第二金属柱及
5.根据权利要求4所述的传感器封装方法，其特征在于，在所述步骤S106与所述步骤S107之间还包括步骤：在所述第二保护层的表面沉积得到覆盖所述第二重布线层的钝化层。
6.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤S108包括以下步骤：移除所述载体；在所述第一介质层背向所述集成电路芯片的表面沉积得到第三保护层；对所述第三保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第一金属柱的第三沉积槽；在所述第三沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第三重布线层。
7.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述集成电路芯片及所述红外传感元件设置有多个，在所述步骤S107之后还包括步骤：进行划片操作以得到多个封装结构，每个所述封装结构内均包括一个所述集成电路芯片及一个所述红外传感元件。
8.一种传感器封装结构，其特征在于，包括第一介质层、第一注塑层、集成电路芯片、第二介质层、红外传感元件、第二注塑层及滤光层；
9.根据权利要求8所述的传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构还包括夹持于所述第一注塑层与所述第二介质层之间的第一保护层，所述第一重布线层嵌设于所述第一保护层内。
10.根据权利要求8所述的传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构还包括形成于所述第二注塑层表面的第二保护层，所述第二重布线层嵌设于所述第二保护层内。
11.根据权利要求10所述的传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构还包括钝化层，所述钝化层覆设于所述第二保护层的表面并覆盖所述第二重布线层。
12.根据权利要求8所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一介质层背向所述集成电路芯片的表面形成有第三保护层，所述第三重布线层嵌设于所述第三保护层内。
13.一种电子设备，其特征在于，包括如上述权利要求8至12任一项所述的传感器封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种传感器封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤s101包括以下步骤：在所述载体上沉积形成所述第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀并在预设位置形成沿厚度方向贯穿所述第一介质层的通孔；在所述第一介质层进行金属晶种层沉积并得到金属晶种层；在所述金属晶种层表面沉积形成光刻胶层并对所述光刻胶层进行曝光显影刻蚀，以暴露出所述通孔；在所述光刻胶层的刻蚀区域进行金属电镀并形成所述第一金属柱；去除所述光刻胶层并将所述金属晶种层位于所述第一金属柱范围外的部分刻蚀去除。
3.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤s103包括以下步骤：在所述第一注塑层的表面沉积得到第一保护层；对所述第一保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第一金属柱及所述集成电路芯片的焊垫的第一沉积槽；在所述第一沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第一重布线层。
4.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤s106包括以下步骤：在所述第二注塑层的表面沉积得到第二保护层；对所述第二保护层进行刻蚀以得到暴露出所述第二金属柱及所述红外传感元件的焊垫的第二沉积槽；在所述第二沉积槽内进行金属沉积，以得到所述第二重布线层。
5.根据权利要求4所述的传感器封装方法，其特征在于，在所述步骤s106与所述步骤s107之间还包括步骤：在所述第二保护层的表面沉积得到覆盖所述第二重布线层的钝化层。
6.根据权利要求1所述的传感器封装方法，其特征在于，所述步骤s108包括以下步骤：移...
【专利技术属性】
技术研发人员：张永平，罗英哲，颜培力，
申请(专利权)人：上海矽睿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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