无引线框激光直接成型封装制造技术

本公开的实施例涉及无引线框激光直接成型封装。本公开涉及包括第一激光直接成型(LDS)树脂层和在第一LDS树脂层上的第二LDS树脂层的半导体封装。第一LDS树脂层和第二LDS树脂层的各个表面利用LDS工艺通过将各个表面暴露于激光而图案化。分别图案化第一LDS树脂层和第二LDS树脂层激活分别存在于第一LDS树脂层和第二LDS树脂层内的添加剂材料，从而将添加剂材料从非导电状态转换为导电状态。LDS工艺之后是化学镀步骤和电镀工艺，以形成耦合到第一和第二LDS树脂层内的多个管芯的导电结构。模制化合物层形成于导电结构的表面上且覆盖导电结构的表面。在完成这些步骤之后，沿着填充有导电材料的通道切割第一LDS树脂层和第二LDS树脂层。二LDS树脂层。二LDS树脂层。

【技术实现步骤摘要】
无引线框激光直接成型封装


[0001]本公开涉及一种无引线框半导体封装，以及一种利用激光直接成型(LDS)来形成无引线框半导体封装的方法。

技术介绍

[0002]通常，形成常规半导体封装的方法包括利用引线框以在常规半导体封装内形成导电组件(例如，总线条、管芯焊盘、引线等)。举例来说，可通过将多个半导体管芯耦合到引线框的管芯焊盘部分(例如，将成为常规半导体封装中的单个封装的管芯焊盘的部分)来形成常规半导体封装。在将所述多个管芯耦合到所述管芯焊盘部分之后，可通过接合及缝合技术形成多个电线以将所述多个管芯的相应有源表面处的接触焊盘耦合到所述引线框的多个引线部分中的相应引线部分(例如，将变成常规半导体封装中的单个封装的引线的部分)。在形成所述电线之后，可利用模制工具形成模制化合物以覆盖所述多个管芯，所述多个引线，所述多个管芯焊盘及所述多个电线。电线可以嵌入或包住模制化合物。在形成模制化合物之后，沿着锯线(例如，切口线)将引线框和模制化合物切割以形成切割(例如，单个切割)的常规半导体器件封装。
[0003]为了执行如上所述的常规半导体封装的形成方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：将多个管芯耦合到树脂晶片的第一侧，所述树脂晶片包括第一添加剂材料；在所述树脂晶片的所述第一侧上形成树脂层，所述树脂层包括第二添加剂材料，用所述树脂层覆盖所述多个管芯；用激光图案化所述树脂晶片和所述树脂层，包括：形成多个第一开口，所述多个第一开口延伸穿过所述树脂层到达所述多个管芯中的一些管芯；形成多个第二开口，所述多个第二开口延伸穿过所述树脂层，并且穿过所述树脂晶片到达所述树脂晶片的与所述第一侧相对的第二侧；形成延伸到所述树脂层中的多个第一凹部，所述多个第一凹部从所述多个第一开口中的对应开口延伸到所述多个第二开口中的对应开口；形成多个第二凹部，所述多个第二凹部与所述多个第二开口中的对应开口重叠地延伸到所述树脂晶片的所述第二侧中；形成边界凹部，所述边界凹部延伸到围绕所述多个第二凹部的所述树脂晶片的所述第二侧中；以及形成多个通道，所述多个通道在所述第二凹部中的对应第二凹部之间延伸，并且延伸到所述边界凹部；分别在所述多个第一开口、所述多个第二开口、所述多个第一凹部、所述多个第二凹部和所述多个通道中以及在所述边界凹部中形成第一层导电材料；在所述第一层导电材料上形成第二层导电材料；以及形成多个封装包括切割所述树脂晶片和所述树脂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中：形成所述多个第一开口包括：沿着所述多个第一开口激活所述第二添加剂材料；形成所述多个第二开口包括：沿着所述多个第二开口激活所述第一添加剂材料和所述第二添加剂材料；形成所述多个第一凹部包括：沿着所述多个第一凹部激活所述第二添加剂材料；形成所述多个第二凹部包括：沿着所述多个第二凹部激活所述第一添加剂材料；形成所述边界凹部包括：沿着所述边界凹部激活所述第一添加剂材料；以及形成所述多个通道包括：沿着所述多个通道激活第一添加剂材料。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一层导电材料包括：执行无电镀，所述无电镀将所述第一层导电材料耦合到分别沿着所述多个第一开口、所述多个第二开口、所述多个第一凹部、所述多个第二凹部和所述多个通道以及沿着所述边界凹部激活的所述第一添加剂材料和所述第二添加剂材料。4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述第二层导电材料包括：执行将所述第二层导电材料耦合到所述第一层导电材料的电镀。5.根据权利要求1所述的方法，其中形成延伸到所述树脂晶片的所述第二侧中的所述多个第二凹部包括：形成从所述树脂晶片的所述第一侧延伸到所述树脂晶片的所述第二侧的、深度小于所述树脂晶片的厚度的所述多个第二凹部。6.根据权利要求1所述的方法，其中切割所述树脂晶片和所述树脂层包括：
沿着从所述边界凹部向内间隔开的第一切口线进行切割；以及沿着第二切口线进行切割，所述第二切口线沿着所述多个通道延伸。7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个封装进一步包括：在所述树脂层上形成包封，所述包封覆盖所述树脂层和从所述树脂层暴露的所述第二层导电材料的相应表面。8.根据权利要求7所述的方法，其中切割所述树脂晶片和所述树脂层还包括：切割所述包封；以及形成树脂晶片的相应侧壁，所述第一导电层、所述包封和所述第二导电层基本上彼此共面。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述树脂晶片的所述第一侧上形成多个管芯凹部，并且其中将所述多个管芯耦合到所述树脂晶片的所述第一侧还包括：在所述多个管芯凹部中形成粘合剂；以及将所述多个管芯中的每个相应管芯设置在所述多个管芯凹部中的相应管芯凹部中的所述粘合剂上。10.一种方法，包括：将多个管芯耦合到包括第一添加剂材料的树脂晶片的第一侧；将所述树脂晶片的与所述第一侧相对的第二侧暴露于激光，包括：形成边界凹部，所述边界凹部延伸到所述树脂晶片的所述第二侧中，从而沿着所述边界凹部并且在所述边界凹部内激活所述第一添加剂材料；形成多个凹部，所述多个凹部延伸到由所述边界凹部围绕的所述树脂晶片的所述第二侧中，并且沿着所述凹部、以及在所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：