一种垂直型MOSFET芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种垂直型MSOFET芯片的封装结构，属于半导体封装技术领域。其采用垂直型MOSFET芯片的正面倒装至立体金属框架的刻蚀面上，避免了传统打线工艺，增加了电流承载能力，降低了封装电阻；通过立体金属框架的折转使用实现了垂直型MOSFET芯片的漏极、源极和栅极在同一平面分布，精简了封装结构，缩短了垂直型MOSFET芯片与外界互联距离，增强了芯片的导电效果；采用金属导电散热板大面积接触垂直型MOSFET芯片的背面漏极区，散热性能优异，提升了产品的品质；其立体金属框架的源极金属引脚和栅极金属引脚呈凹弧形柱状，增强了金属柱和塑封材料之间的结合力，达到增加产品可靠性的目的。可靠性的目的。可靠性的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直型MOSFET芯片的封装结构


[0001]本技术涉及一种垂直型MOSFET芯片的封装结构，属于半导体封装


技术介绍

[0002]MOSFET的英文全称Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ，即金属氧化物半导体场效应管。垂直型MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域（SOA）宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。
[0003]随着5G行业、消费类电子和新能源汽车行业的发展，例如5G基站的功耗提升，5G基站功耗为4G的两倍，为了降低功耗需求，需要增加对垂直型MOSFET的低损耗、高热稳定性要求，这也对封装类型的导通电阻低、发热量低和散热快有更高的要求。
[0004]导通电阻（RDS）即漏源极间的电阻是功率垂直型MOSFET主要的特征参数之一，垂直垂直型MOSFET器件通过将漏极区置于与源极接点的相反的表面上来实现低的RDS ( on )本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直型MOSFET芯片的封装结构，其包括垂直型MOSFET芯片（10），所述垂直型MOSFET芯片（10）的正面设有源极区和栅极区、背面设为漏极区，其特征在于，所述垂直型MOSFET芯片（10）的源极区设置源极导电垫（13）、其栅极区设置栅极导电垫（15），其漏极区设置导电线路层（30），还包括立体金属框架（20）、金属导电散热板（40）和塑封材料（90），所述立体金属框架（20）包括金属框架本体（21）、若干个源极金属引脚（22）和若干个栅极金属引脚（24），所述源极金属引脚（22）和栅极金属引脚（24）设置在金属框架本体（21）背面的刻蚀面上；所述金属框架本体（21）包括不连续的源极金属片（211）和栅极金属片（213），所述源极金属片（211）和栅极金属片（213）的刻蚀表面分别与源极金属引脚（22）和栅极金属引脚（24）的底部固连，所述源极金属片（211）和栅极金属片（213）向内分别延伸出源极金属桥墩（212）和栅极金属桥墩（214），所述源极金属桥墩（212）和栅极金属桥墩（214）的横截面形状分别与所述垂直型MOSFET芯片（10）的源极区和栅极区的形状匹配，且其之间设置间隙（25），所述金属框架本体（21）与源极金属引脚（22）、栅极金属引脚（24）的内部形成型腔（26），所述垂直型MOSFET芯片（10）的正面倒装在所述型腔（26）内，其源极导电垫（13）、栅极导电垫（15）分别与所述源极金属桥墩（212）和栅极金属桥墩（214）对应固连，并与所述立体金属框架（20）实现电性连接；所述垂直型MOSFET芯片（10）的背面漏极区通过所述导电线路层（30）与金属导电散热板（40）固连，所述金属导电散热板（40）的横截面尺寸不小于所述垂直型MOSFET芯片（10）的横截面尺寸，所述源极金属引脚（22）和栅极金属引脚（24）的高度相等，所述塑封材料（90）整体填充并塑封所述垂直型MOSFET芯片（10）和所述立体金属框架（20）以及间隙（25），且露出所述金属导电散热板的表面Ⅱ（43）和源极金属引...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，
申请(专利权)人：浙江禾芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：