【技术实现步骤摘要】
用于模式转变的相位内插器
[0001]本公开的实施例大体上涉及电子系统,且更具体地说,涉及用于模式转变的相位内插器电路。
技术介绍
[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]本公开的实施例提供一种相位内插器,其包括:动态负载,其具有提供到所述相位内插器的后续级的输出信号,所述动态负载被配置成将交流(AC)信号提供到所述相位内插器的所述后续级作为输入时钟信号;以及静态负载,其具有与所述动态负载的所述输出信号并联地提供到所述相位内插器的所述后续级的输出信号,所述静态负载被配置成暂时将直流(DC)信号提供到所述相位内插器以替代相应AC信号以防止所述相位内插器的所述后续级的输出信号为不可预测的。
[0004]本公开的另一实施例提供一种系统,其包括:混频器,其耦合到相位内插器的后续级,所述混频器包括:静态负载,其被配置成输出 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种相位内插器(113),其包括:动态负载(118;218
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1、218
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2;418
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1、418
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2),其具有提供到所述相位内插器的后续级的输出信号,所述动态负载被配置成将交流AC信号提供到所述相位内插器的所述后续级作为输入时钟信号(225;446);以及静态负载(116;216
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1、216
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2;416
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1、416
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2),其具有与所述动态负载的所述输出信号并联地提供到所述相位内插器的所述后续级的输出信号,所述静态负载被配置成暂时将直流DC信号提供到所述相位内插器以替代相应AC信号以防止所述相位内插器的所述后续级的输出信号为不可预测的。2.根据权利要求1所述的相位内插器,其中所述动态负载为源极跟随器负载,所述源极跟随器负载进一步包括n型金属氧化物半导体nMOS晶体管。3.根据权利要求1所述的相位内插器,其中所述静态负载为电阻负载,所述电阻负载进一步包括p型金属氧化物半导体pMOS晶体管。4.根据权利要求1所述的相位内插器,其中所述相位内插器的所述后续级包括分频器。5.根据权利要求1至4中任一项所述的相位内插器,其中:所述动态负载为耦合到所述相位内插器的所述后续级的一对动态负载(218
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1、218
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2;418
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1、418
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2)中的一者;并且所述静态负载为与所述对动态负载并联地耦合到所述相位内插器的所述后续级的一对静态负载(116;216
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1、216
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2;416
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1、416
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2)中的一者。6.根据权利要求5所述的相位内插器,其中所述对动态负载和所述对静态负载经由一对互补信号线(226
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1、226
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2;447
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1、447
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2)耦合到所述相位内插器的所述后续级。7.根据权利要求5所述的相位内插器,其中所述对静态负载包括一对电阻负载,并且其中所述相位内插器进一步包括经由共模电阻器(443)耦合到所述对电阻负载的电源信号。8.一种系统,其包括:混频器(114;214;414),其耦合到相位内插器(113)的后续级,所述混频器包括:静态负载(116;216
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1、216
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2;416
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1、416
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2),其被配置成输出直流DC信号;以及动态负载(118;218
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1、218
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2;418
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1、418
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2),其被配置成输出交流AC信号;以及处理装置(117),其耦合到所述相位内插器,所述处理装置被配置成使所述混频器:使得所述静态负载能够将DC信号提供到所述相位内插器的所述后续级;当所述DC信号正被提供到所述相位内插器时,使提供到所述动态负载的输入信号(334;554)斜变以使所述动态负载输出AC信号;并且在提供到所述动态负载的所述输入信...
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