半导体器件制造技术

本公开涉及一种半导体器件。一种布线衬底包括：第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的接地平面；第二绝缘层，形成在第一绝缘层上，使得接地平面被第二绝缘层覆盖；形成在第二绝缘层上的第一信号布线；第三绝缘层，形成在第二绝缘层上，使得第一信号布线被第三绝缘层覆盖；以及第二信号布线，形成在第三绝缘层上并且与第一信号布线电连接。第一信号布线布置在与散热板的部分重叠的区域中。第二信号布线未布置在该区域中。接地平面具有位于与第一信号布线重叠的位置处的开口部分。开口部分形成为沿着第一信号布线延伸。一信号布线延伸。一信号布线延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2021年8月31日提交的日本专利申请No.2021
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140945的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。

技术介绍

[0003]本专利技术涉及一种半导体器件。
[0004]这里，公开了以下列出的技术。
[0005][专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2010
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245439
[0006][专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2020
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4821
[0007]在半导体芯片安装在布线衬底上的半导体器件中，存在覆盖半导体芯片的散热板(加固环(stiffener ring))接合到布线衬底的半导体器件(例如，参见专利文献1)。此外，专利文献2公开了一种半导体器件，其中盖子经由具有导电性的粘合层接合到布线衬底并且参考电势被供应到盖子。

技术实现思路

[0008]作为半导体器件的性能评价的指标，有信号传输的可靠性、信号传输速度的提高、产品尺寸的小型化、布线衬底的结构的简化等。例如，从减少设置在布线衬底中的布线层的数目的观点出发，将最上层中的布线层用作信号布线的布置空间是优选的。但是，在散热板与布线衬底接合的半导体器件的情况下，从避免因温度循环负荷引起的布线断线的风险的观点出发，不将信号布线布置在散热板所接合的区域的正下方是优选的。在这种情况下，需要通过多个布线层来铺设信号布线。然而，在一根信号布线形成在彼此不同的布线层中的这种结构的情况下，由于布线结构的不同，信号传输路径的阻抗可能不连续。
[0009]从本说明书和附图的描述中，其他目的和新颖性特征将变得很清楚。
[0010]根据一个实施例，一种半导体器件包括：具有第一表面的半导体芯片，第一表面上布置有第一电极，第一电极是第一信号的传输路径；具有面向半导体芯片的第一表面的第二表面的布线衬底；散热板，设置在布线衬底上，使得半导体芯片被散热板覆盖。这里，散热板具有：包括与半导体芯片重叠的部分的第一部分；以及布置在第一部分周围并且经由粘合层接合到布线衬底的第二部分。此外，布线衬底包括：第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的第一导电图案，并且被供应有第一电势的第一导电图案；第二绝缘层，与第一导电图案接触并且形成在第一绝缘层上，使得第一导电图案被第二绝缘层覆盖；形成在第二绝缘层上的第一信号布线；第三绝缘层，与第一信号布线接触并且形成在第二绝缘层上，使得第一信号布线被第三绝缘层覆盖；形成在第三绝缘层上并且与第一信号布线和第一电极中的每一者电连接的第二信号布线；有机绝缘膜，与第二信号布线接触并且形成在第三绝缘层上，使得第二信号布线被有机绝缘膜覆盖。第一信号布线布置在与散热板的第二部分重叠的区域中，而第二信号布线未布置在与散热板的第二部分重叠的区域中。第一导电图案具有第一开口部分，该第一开口部分位于与第一信号布线重叠的位置处。另外，第一开口部分形成为
沿着第一信号布线延伸。
[0011]根据上述一个实施例，能够提高半导体器件的性能。
附图说明
[0012]图1是示出根据一个实施例的包括半导体器件的电子设备的配置示例的说明性视图；
[0013]图2是示出图1所示的电子设备的电路的配置示例的说明性视图；
[0014]图3是图1所示的两个半导体器件中的一个半导体器件的上表面视图；
[0015]图4是图3所示的半导体器件的下表面视图；
[0016]图5是处于构成图3所示的半导体器件的散热板被去除的状态的平面视图；
[0017]图6是沿着图3所示的A
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A线的截面视图；
[0018]图7是示出设置在图6所示的布线衬底中的信号布线的布局的示例的透视平面视图；
[0019]图8是沿着图7所示的B
‑
B线的放大截面视图；
[0020]图9是沿着图7所示的C
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C线的放大截面视图；
[0021]图10是示出关于图9的研究性示例的放大截面视图；
[0022]图11是示出关于图7的修改性示例的透视平面视图；
[0023]图12是沿着图11所示的D
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D线的放大截面视图；
[0024]图13是沿着图11所示的E
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E线的放大截面视图；
[0025]图14是示出关于图7的另一修改性示例的透视平面视图；
[0026]图15是沿着图14所示的F
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F线的放大截面视图；
[0027]图16是沿着图14所示的G
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G线的放大截面视图；
[0028]图17是示出关于图6的修改性示例的说明性视图；以及
[0029]图18是图17所示的接地平面与散热板之间的连接部分处的放大截面视图。
具体实施方式
[0030](本申请中的表格、基本条款和使用说明)
[0031]在本申请中，为了方便起见，实施例的描述将根据需要划分为多个部分等，但除非另有明确说明，否则这些部分不是相互独立的，并且单个示例的每个部分(其中的一个部分是另一个部分的部分细节或一部分或全部，无论是在描述之前或之后等)都是修改性示例等。原则上省略类似部分的描述。此外，一个实施例中的每个组件都不是必需的，除非另有明确说明、理论上限于该数目、以及从上下文中明显地不是那样。
[0032]类似地，在实施例等的描述中，相对于材料、成分等的“X由A组成”等不排除除了A以外的其他元素，除非明确表明不是这种情况，并且从上下文中可以明显看出不是这种情况。例如，关于组成，其意味着“X包括A作为主要组分”等。例如，术语“硅构件”等不限于纯硅，不言而喻，它还包括含有SiGe(硅
‑
锗)合金的构件、含有硅作为其主要组分的多元合金、其他添加剂等。此外，术语镀金、Cu层、镀镍等不仅包括纯组分，还包括含有金、Cu、镍等作为主要组分的构件，除非明确说明不是这种情况。
[0033]此外，对特定数值或数量的引用可以大于或小于该特定数值，除非另有明确说明、
理论上仅限于该数目、以及从上下文来看明显地不是这种情况。
[0034]在实施例的附图中，相同或相似的部分由相同或相似的标号或附图标记表示，并且原则上不再赘述。
[0035]此外，在附图中，即使在截面中，在截面变得复杂时或在截面与间隙清楚地被区分时，也可以省略阴影等。在这方面，即使孔在平面中是封闭的，当从描述等中很清楚时，可以省略背景的轮廓。此外，可以添加阴影线或点图案来指示该区域不是空隙(即使其不是截面)，或者指示该区域的边界。
[0036]在以下描述中，可以使用术语接地平面(ground plane)或电源平面(power plane)。接地平面和电源平面是与所谓的布线图案(wiring pattern)不同的大面积形状的导体图案。在大面积的导体图案中，被供应有参考电势的称为接地平面，被供应有电源电势的称为电源平面。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，具有第一表面，在所述第一表面上布置有第一电极，所述第一电极是第一信号的传输路径；布线衬底，具有第二表面，所述第二表面面向所述半导体芯片的所述第一表面；以及散热板，设置在所述布线衬底上，使得所述半导体芯片被所述散热板覆盖，其中所述散热板具有：第一部分，包括与所述半导体芯片重叠的部分；以及第二部分，布置在所述第一部分周围并且经由粘合层接合到所述布线衬底，其中所述布线衬底包括：第一绝缘层；第一导电图案，形成在所述第一绝缘层上并且被供应有第一电势；第二绝缘层，与所述第一导电图案接触并且形成在所述第一绝缘层上，使得所述第一导电图案被所述第二绝缘层覆盖；第一信号布线，形成在所述第二绝缘层上；第三绝缘层，与所述第一信号布线接触并且形成在所述第二绝缘层上，使得所述第一信号布线被所述第三绝缘层覆盖；第二信号布线，形成在所述第三绝缘层上并且与所述第一信号布线和所述第一电极中的每一者电连接；以及有机绝缘膜，与所述第二信号布线接触并且形成在所述第三绝缘层上，使得所述第二信号布线被所述有机绝缘膜覆盖，其中所述第一信号布线布置在与所述散热板的所述第二部分重叠的区域中，其中所述第二信号布线未布置在与所述散热板的所述第二部分重叠的所述区域中，其中所述第一导电图案具有第一开口部分，所述第一开口部分位于与所述第一信号布线重叠的位置处，以及其中所述第一开口部分被形成为沿着所述第一信号布线延伸。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一信号布线的布线宽度小于所述第二信号布线的布线宽度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一信号布线的布线长度小于所述第二信号布线的布线长度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片还具有布置在所述第一表面上的第二电极，所述第二电极是第二信号的传输路径，其中所述布线衬底还包括：第三信号布线，形成在所述第二绝缘层上并且形成为与所述第一信号布线相邻；以及第四信号布线，形成在所述第三绝缘层上并且与所述第三信号布线和所述第二电极中的每一者电连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋惠太，仮屋崎修一，御田村和宏，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：