本实用新型专利技术公开了一种具有氩气导流功能的加热装置，所述具有氩气导流功能的加热装置设置于溅射台的工艺腔体内，所述具有氩气导流功能的加热装置包括盘体，在所述盘体内设有用于加热的加热线，用于测量温度的热电偶，及用于降温的冷却管；还包括设置于所述盘体内的氩气管；在所述盘体的底板上设有与所述氩气管相通的气孔，及于所述气孔相连的气槽，使从所述氩气管排出的氩气均匀分散至所述工艺腔体内。该具有氩气导流功能的加热装置能使氩气均匀分散至工艺腔体内，从而提高晶圆硅片上薄膜的均匀性。均匀性。均匀性。
【技术实现步骤摘要】
具有氩气导流功能的加热装置
[0001]本技术涉及溅射台领域，尤其涉及溅射台内对真空腔体加热的具有氩气导流功能的加热装置。
技术介绍
[0002]磁控溅射真空镀膜中影响膜层的因素有很多，其中，氩气的供气均匀性会影响膜的均匀性，而现有的磁控溅射装置大都无法将氩气均匀的送入工艺腔体内。如在2021年8月10日公布的CN213924999U，一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置中说明书第二十一段记载“进一步，安装板8上方的另一侧安装有氩气管10，氩气管10的一端安装有氩气罐22，氩气管10的外壁上安装有控制阀及流量计23，利用控制阀及流量计23能够便于用户对氩气的输送量进行控制与监测”。其仅通过一根氩气管10将氩气输送入真空镀膜室2即工艺腔体内，这样会导致氩气在真空镀膜室2内分部不均。
技术实现思路
[0003]为了克服现有技术中的缺陷，本技术实施例提供了一种具有氩气导流功能的加热装置，所述具有氩气导流功能的加热装置能使氩气均匀分散至工艺腔体内，从而提高晶圆硅片上薄膜的均匀性。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种具有氩气导流功能的加热装置，所述具有氩气导流功能的加热装置设置于溅射台的工艺腔体内，所述具有氩气导流功能的加热装置包括盘体，在所述盘体内设有用于加热的加热线，用于测量温度的热电偶，及用于降温的冷却管；还包括设置于所述盘体内的氩气管；在所述盘体的底板上设有与所述氩气管相通的气孔，及于所述气孔相连的气槽，使从所述氩气管排出的氩气均匀分散至所述工艺腔体内。
[0005]优选地，所述气孔位于所述底板的中心。
[0006]进一步优选地，所述气槽包括多个，每一所述气槽由所述底板的中心延伸至所述底板的边缘。
[0007]进一步优选地，靠近所述底板的边缘设置有一圆环槽，每一所述气槽连通所述气孔和所述圆环槽。
[0008]进一步优选地，多个所述气槽均匀分布在所述底板的表面。
[0009]上述技术方案中，包括三个所述气槽。
[0010]优选地，所述气槽为直线槽。
[0011]上述技术方案中，8.根据权利要求1所述的具有氩气导流功能的加热装置，其特征在于：在所述底板上，靠近所述气孔设置有通孔，所述通孔内设置有压力计。
[0012]上述技术方案中，还包括有与所述热电偶、加热线相连的控制器，用于调节所述底板的温度。
[0013]由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
[0014]1.本技术中通过在底板上设置与氩气管相通的气孔，及于气孔相连的气槽，利用气孔与气槽将氩气均匀分散至工艺腔体内，均匀分散在工艺腔体内的氩气产生氩气离子并导向靶，氩气离子把靶表面的原子撞击出来，被撞击的原子向硅片运动，这些原子在硅片表面均匀沉积并形成薄膜。
[0015]2.将气孔设置于底板的中心，气槽由底板的中心延伸至底板的边缘，及多个气槽均匀分布在底板的表面，进一步促进氩气均匀分散至工艺腔体内。
[0016]3.气槽为直线槽，结构简单，加工方便。
[0017]4.冷却管至少包括一水管和一气管，提高冷却效率。
[0018]为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本技术实施例中具有氩气导流功能的加热装置示意图；
[0021]图2是本技术实施例中底板示意图。
[0022]以上附图的附图标记：1、盘体；11、底板；111、气孔；112、气槽；113、圆环槽；114、通孔；2、加热线；3、热电偶；4、水管；5、气管；6、氩气管；7、隔热棉。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]实施例一：参见图1～2所示，一种具有氩气导流功能的加热装置，所述具有氩气导流功能的加热装置设置于溅射台的工艺腔体内。所述具有氩气导流功能的加热装置包括盘体1，所述盘体1具有与所述工艺腔体相对的底板11。在所述盘体1内设有用于加热的加热线2，用于测量温度的热电偶3，用于降温的冷却管，及隔热棉7等。所述加热线2、热电偶3、冷却管可根据实际使用需求排布。还包括设置于所述盘体1内的氩气管6；在所述盘体1的底板11上设有与所述氩气管6相通的气孔111，及于所述气孔111相连的气槽 112，使从所述氩气管6排出的氩气均匀分散至所述工艺腔体内。
[0025]通过在底板11上设置与氩气管6相通的气孔111，及于气孔111相连的气槽112，利用气孔111与气槽112将氩气均匀分散至工艺腔体内，均匀分散在工艺腔体内的氩气产生氩气离子并导向靶，氩气离子把靶表面的原子撞击出来，被撞击的原子向硅片运动，这些原子在硅片表面均匀沉积并形成薄膜。
[0026]在一个可选地实施方式中，所述气孔111位于所述底板11的中心。具体的，可将所述气孔111设置为圆孔。所述气孔111还可加工成方孔等其他形状。
[0027]在一个优选地实施方式中，所述气槽112包括多个，其围绕所述气孔111 设置。进一步优选地，将每一所述气槽112由所述底板11的中心延伸至所述底板11的边缘，从而将从气孔111分散出来的氩气引流至工艺腔体的边缘。
[0028]进一步优选地，靠近所述底板11的边缘设置有一圆环槽113，每一所述气槽112连通所述气孔111和所述圆环槽113。
[0029]在一个优选地实施方式中，多个所述气槽112均匀分布在所述底板11的表面。具体的，可设置三个所述气槽112。所述气槽112的数量可根据工艺腔体的大小进行调整。使气槽112均匀分布在底板11的表面，进一步保证氩气在工艺腔体内的均匀分散。
[0030]为了便于所述气槽112的加工，可将所述气槽112设置为直线槽。除直线槽外，也可将气槽112加工成波浪形等。
[0031]参见图1所示，所述冷却管至少包括一水管4和一气管5，设置多个冷却管及利用多种方式降温，进一步提高冷却效率。
[0032]参见图2所述，在所述底板11上，靠近所述气孔111设置有通孔114，所述通孔114内设置有压力计，用于监测工艺腔体内的压强。
[0033]为了实现更为精准的控制温度，所述热电偶3、所述加热线2与一控制器相连。所述控制器将热电偶3测得的温度传输至显示屏，通过数显方式直接本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有氩气导流功能的加热装置，所述具有氩气导流功能的加热装置设置于溅射台的工艺腔体内，其特征在于：所述具有氩气导流功能的加热装置包括盘体，在所述盘体内设有用于加热的加热线，用于测量温度的热电偶，及用于降温的冷却管；还包括设置于所述盘体内的氩气管；在所述盘体的底板上设有与所述氩气管相通的气孔，及于所述气孔相连的气槽，使从所述氩气管排出的氩气均匀分散至所述工艺腔体内。2.根据权利要求1所述的具有氩气导流功能的加热装置，其特征在于：所述气孔位于所述底板的中心。3.根据权利要求2所述的具有氩气导流功能的加热装置，其特征在于：所述气槽包括多个，每一所述气槽由所述底板的中心延伸至所述底板的边缘。4.根据权利要求3所述的具有氩气导流功能的加热装置，其特征在于：靠近所述底板的边缘设置有...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇，马丹，王健，
申请(专利权)人：芯材芯苏州半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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