半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括：在具有第1面和与第1面相反侧的第2面的支承体的第1面上设置半导体芯片。在第1面上形成将半导体芯片覆盖的第1树脂层，并且在第2面上形成第2树脂层。上形成第2树脂层。上形成第2树脂层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
[0001]本申请以2021年9月1日提出申请的在先的日本专利申请第2021
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142606号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。


[0002]本实施方式涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0003]在半导体装置的封装工序中，例如半导体芯片搭载在支承体(晶片)上的多个位置，由模制树脂覆盖。然后，与各个半导体芯片相应地进行单片化。但是，例如由于支承体与模制树脂之间的热膨胀率的差异，有可能在带模制树脂的支承体产生翘曲。带模制树脂的支承体的翘曲例如有可能影响到带模制树脂的支承体的运送或者加工等后续工序。

技术实现思路

[0004]提供能够抑制支承体的翘曲的半导体装置的制造方法。
[0005]本实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括在具有第1面和与第1面相反侧的第2面的支承体的第1面上设置半导体芯片。在第1面上形成将半导体芯片覆盖的第1树脂层，并且，在第2面上形成第2树脂层。
[0006]根据上述的构成，能够提供能抑制支承体的翘曲的半导体装置的制造方法。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
[0008]图2A是表示第1实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0009]图2B是接着图2A的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0010]图2C是接着图2B的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0011]图2D是接着图2C的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0012]图2E是接着图2D的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0013]图2F是接着图2E的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0014]图2G是接着图2F的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0015]图2H是接着图2G的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0016]图3是表示第1实施方式的第1变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0017]图4是表示第1实施方式的第2变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0018]图5A是表示第1实施方式的第3变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0019]图5B是接着图5A的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0020]图6A是表示第1实施方式的第4变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0021]图6B是接着图6A的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0022]图7是表示第2实施方式涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
[0023]图8是表示第2实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0024]图9A是表示第3实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0025]图9B是接着图9A的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0026]图9C是接着图9B的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0027]图9D是接着图9C的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0028]图9E是接着图9D的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0029]图10是表示第3实施方式涉及的凹部的结构的一个例子的俯视图。
[0030]图11是表示第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0031]图12是表示第3实施方式的第1变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0032]图13是表示第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0033]图14是表示第3实施方式的第2变形例涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0034]图15A是表示第4实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0035]图15B是接着图15A的表示半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
[0036]图16是表示第4实施方式涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。
[0037]图17是表示第4实施方式涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的侧视图。
[0038]图18是表示第4实施方式涉及的树脂层的形成方法的一个例子的剖视图。
[0039]图19是表示第4实施方式的第1变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。
[0040]图20是表示第4实施方式的第1变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。
[0041]图21是表示第4实施方式的第2变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的俯视图。
[0042]图22是表示第4实施方式的第2变形例涉及的凹部和槽部的结构的一个例子的剖视图。
具体实施方式
[0043]以下，参照附图对本专利技术涉及的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本专利技术。在以下的实施方式中，上下方向表示将半导体芯片的层叠方向作为了上或者下的情况下的相对方向，有时与按照重力加速度的上下方向不同。附图是示意性的或者概念性的，各部分的比率等不限于必须与现实的相同。在说明书和附图中，对关于已经出现的附图描述过的元素同样的元素标注同一标号，并适当省略详细的说明。
[0044](第1实施方式)
[0045]图1是表示第1实施方式涉及的半导体装置1的结构的一个例子的剖视图。半导体装置1具备半导体芯片40、连接柱41、树脂层70、再布线层(基板)100以及金属凸块(bump)150。半导体装置1例如为LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)等的半导体封装。
[0046]半导体芯片40例如是对图1所示的半导体装置1的外部的存储器芯片等进行控制的控制器芯片或者搭载了任意的LSI的半导体芯片。此外，半导体芯片40不限于控制器芯片，例如为能够以一个芯片进行动作的芯片。半导体芯片40具有面F40a和与面F40a相反侧的面F40b。晶体管、电容器等半导体元件(未图示)形成在各半导体芯片40的面F40a上。半导体芯片40的面F40a上的半导体元件由未图示的绝缘膜进行覆盖并保护。该绝缘膜例如可使用硅氧化膜或者硅氮化膜等无机系绝缘材料。另外，该绝缘膜也可以使用在无机系绝缘材料上形成了有机系绝缘材料而得的材料。作为有机系绝缘材料，例如可使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、PBO(p
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phenylene benzobisoxazole)系树脂、有机硅系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或者它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。
[0047]另外，半导体芯片40具有在面F40a上露出的电极焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在具有第1面和与所述第1面相反侧的第2面的支承体的所述第1面上设置半导体芯片；在所述第1面上形成将所述半导体芯片覆盖的第1树脂层；以及在所述第2面上形成第2树脂层。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括：形成具有使得所述支承体的翘曲量成为预定值以下的厚度或者面积的所述第2树脂层。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括：同时形成所述第1树脂层和所述第2树脂层。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括：形成所述第1树脂层；和在形成了所述第1树脂层之后形成所述第2树脂层。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括：在设置所述半导体芯片之前，在所述第2面形成凹部；和所述第2树脂层形成于所述凹部。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，包括：在设置所述半导体芯片之前，在所述第2面形成所述凹部；在设置所述半导体芯片之前，在所述第2面形成从所述支承体的外周侧面设置到所述凹部的内周侧面的至少一个槽部；以及以通过所述槽部的方式向所述凹部的内部导入树脂材料，形成所述第2树脂层。7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，包括：形成具有与所形成的所述第2树脂层的厚度相应的深度的所述凹部。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括：形成在从与所述支承基板的表面垂直的方向观察时具有所述第2树脂层的面积以上的面积的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野英治，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：