一种大发光角度LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大发光角度LED芯片，涉及半导体技术领域，该LED芯片包括具有第一表面及与第一表面相对的第二表面的衬底，依次层叠于衬底第一表面的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及第一反射层,分别设于第一半导体层和第二半导体层上的第一电极和第二电极,层叠于衬底第二表面的第二反射层,及包括中部和边缘部的第三反射层，中部层叠于第二反射层上并完全覆盖第二反射层远离衬底的一表面，中部在衬底第二表面的正投影与第二反射层在衬底第二表面的正投影完全重叠，边缘部层叠于衬底第二表面并围绕中部以及第二反射层设置，通过该设置，以实现增大出光角度的目的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
一种大发光角度LED芯片


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种大发光角度LED芯片。

技术介绍

[0002]LED(Light
‑
Emitting
‑
Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。因其技术越发成熟，被广泛地应用到背光、VR屏幕、手机显示屏小型显示屏等领域。然而，由于其发光角小，使得其难以应用在较大规格的屏幕上。
[0003]随着技术进步，LED芯片的尺寸正在逐步缩小，在封装时，由于各个LED芯片之间存在间隙，并且每个LED芯片的发光角度有限，因此两颗LED芯片之间的间隙部分亮度会偏暗，使整个显示面板呈现亮区和暗区交替分布的现象，尺寸越小LED芯片的发光角度越小，最终导致部分小尺寸的LED芯片难以应用在较大规格的屏幕上。
[0004]因此现有的LED芯片存在发光角度小的问题。

技术实现思路

[0005]基于此，本技术的目的是提供一种大发光角度LED芯片，以解决
技术介绍
中现有的LED芯片存在发光角度小的问题。
[0006]本技术的一方面在于提供一种大发光角度LED芯片，包括具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的衬底，所述LED芯片还包括：
[0007]依次层叠于所述衬底第一表面的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及第一反射层；
[0008]分别设于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的第一电极和第二电极；
[0009]层叠于所述衬底第二表面的第二反射层；
[0010]及包括中部和边缘部的第三反射层，所述中部层叠于所述第二反射层上并完全覆盖所述第二反射层远离所述衬底的一表面，所述中部在所述衬底第二表面的正投影与第二反射层在所述衬底第二表面的正投影完全重叠，所述边缘部层叠于所述衬底第二表面并围绕所述中部以及第二反射层设置。
[0011]进一步地，所述第二反射层的反射率高于所述第三反射层的反射率。
[0012]进一步地，所述第二反射层占所述衬底的底部面积为10％
‑
60％。
[0013]进一步地，所述第二反射层的反射率大于90％。
[0014]进一步地，所述第三反射层的反射率为10％
‑
60％。
[0015]进一步地，所述第二反射层位于所述衬底靠近所述第三反射层一侧表面的中心部位。
[0016]进一步地，所述第三反射层包括依次堆叠的第三反射层a和第三反射层b，所述中部位于靠近所述衬底的一所述第三反射层a上。
[0017]进一步地，所述第三反射层a和所述第三反射层b中的堆叠对数为两组或两组以
上。
[0018]进一步地，所述第三反射层a和所述第三反射层b的厚度均为10nm
‑
100nm。
[0019]进一步地，所述第三反射层由SiO2、Si3N4、TiO2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、ZnSe、ZnS、ZrO2以及Al2O3中的两种或两种以上的材料堆叠制成。
[0020]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0021]在本技术的LED芯片中，通过在衬底的第二表面设置第二反射层和第三反射层，以实现增大出光角度的目的，具体来说，第三反射层包括中部和边缘部，中部层叠于第二反射层上并完全覆盖第二反射层远离衬底的一表面，中部在衬底第二表面的正投影与第二反射层在衬底第二表面的正投影完全重叠，边缘部层叠于衬底第二表面并围绕中部以及第二反射层设置，通过第二反射层将到达第二反射层的光线进行全反射，随之利用第一反射层将反射后的光线进行再次反射，使第二反射层反射的光线到达第三反射层时其入射角度发生变化，最后通过第三反射层使得部分光线发生角度变化，以实现增大出光角度的目的。
附图说明
[0022]图1为本技术第一实施例中大发光角度LED芯片的结构示意图；
[0023]图2为本技术第一实施例中第二反射层和第三反射层的结构示意图。
[0024]图中：1、衬底；101、第一表面；102、第二表面；2、第一半导体层；3、发光层；4、第二半导体层；5、第一反射层；6、第一电极；7、第二电极；8、第二反射层；9、第三反射层；901、第三反射层a；902、第三反射层b。
具体实施方式
[0025]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的若干实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0026]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0027]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0028]请参阅图1至图2，所示为本技术中第一实施例中的一种大发光角度LED芯片，包括具有第一表面101及与第一表面101相对的第二表面102的衬底1，LED芯片还包括依次层叠于衬底1第一表面101的第一半导体层2、发光层3、第二半导体层4以及第一反射层5，分别设于第一半导体层2和第二半导体层4上的第一电极6和第二电极7。
[0029]其中，为解决现有技术中存在发光角度小的问题，该LED芯片还包括层叠于衬底1
第二表面102的第二反射层8，及包括中部和边缘部的第三反射层9，中部层叠于第二反射层8上并完全覆盖第二反射层8远离衬底1的一表面，中部在衬底1第二表面102的正投影与第二反射层8在衬底1第二表面102的正投影完全重叠，边缘部层叠于衬底1第二表面102并围绕中部以及第二反射层8设置。
[0030]具体来说，第二反射层8的反射率高于第三反射层9的反射率，第二反射层8的反射率大于90％，示例并非限定，第二反射层8具体为反射率＞95％的全反射层，第三反射层9的反射率为10％
‑
60％的半反射层，其中第二反射层8位于衬底1靠近第三反射层9一侧表面的中心部位，且第二反射层8占衬底1的底部面积为10％
‑
60％，通过第二反射层8将到达第二反射层8的光线进行全反射，随之利用第一反射层5将反射后的光线进行再次反射，使第二反射层8反射的光线到达第三反射层9时其入射角度发生变化，最后通过第三反射层9使得部分光线发生角度变化，以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大发光角度LED芯片，包括具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的衬底，其特征在于，所述LED芯片还包括：依次层叠于所述衬底第一表面的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及第一反射层；分别设于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的第一电极和第二电极；层叠于所述衬底第二表面的第二反射层；及包括中部和边缘部的第三反射层，所述中部层叠于所述第二反射层上并完全覆盖所述第二反射层远离所述衬底的一表面，所述中部在所述衬底第二表面的正投影与第二反射层在所述衬底第二表面的正投影完全重叠，所述边缘部层叠于所述衬底第二表面并围绕所述中部以及第二反射层设置。2.根据权利要求1所述的大发光角度LED芯片，其特征在于：所述第二反射层的反射率高于所述第三反射层的反射率。3.根据权利要求2所述的大发光角度LED芯片，其特征在于：所述第二反射层占所述衬底的底部面积为10％
‑
60％。4.根据权利要求2所述的大发光角度LED芯片，其特征在于：所述第二反射层的反射率大于90％。5.根据权利要求2所述的大发光角...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤涛，朱江，张铭信，陈铭胜，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：