【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体生长，特别涉及一种利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置及方法。
技术介绍
1、碳化硅晶体作为第三代宽禁带半导体材料的一个重要成员，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速度等出色特性，使得碳化硅晶体非常适合高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀、耐高温等应用场合。
2、目前普遍采用的碳化硅晶体生长技术为物理气相传输法(physical vaportransport method)，其原理为利用碳化硅粉体在一定的温度范围内容易发生分解升华的性质，使其生成特定的气相成分碳化硅，而后在碳化硅粉体和碳化硅籽晶之间构建一个温度梯度，这样受该温度梯度的作用，气相成分的碳化硅会向处于相对较低温场的碳化硅籽晶生长界面运动，并在生长界面上发生物理化学反应以形成碳化硅晶体。具体实现形式为：将石墨坩埚置于长晶炉内，石墨坩埚顶部固定碳化硅籽晶，石墨坩埚下部盛装碳化硅粉体，通过对石墨坩埚进行加热来使石墨坩埚内达到碳化硅晶体生长所需的温场。
3、在碳化硅晶体的生长过程中，由于需要满足长晶炉内不同位置不同时间点的温度...
【技术保护点】
1.一种利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置包括：
2.根据权利要求1所述的利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述坩埚盖组件包括石墨籽晶托、石墨挡圈，所述石墨挡圈的两端周侧边缘分别与所述石墨籽晶托的周向边缘和所述坩埚体开口处的周向边缘相抵接，所述石墨籽晶托朝向所述第二容腔内的表面设有用于粘接碳化硅籽晶的粘料板。
3.根据权利要求2所述的利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述石墨挡圈背对所述第二容腔的一侧紧邻所述保温层。
4.根据权利要求2或...
【技术特征摘要】
1.一种利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置包括：
2.根据权利要求1所述的利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述坩埚盖组件包括石墨籽晶托、石墨挡圈，所述石墨挡圈的两端周侧边缘分别与所述石墨籽晶托的周向边缘和所述坩埚体开口处的周向边缘相抵接，所述石墨籽晶托朝向所述第二容腔内的表面设有用于粘接碳化硅籽晶的粘料板。
3.根据权利要求2所述的利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述石墨挡圈背对所述第二容腔的一侧紧邻所述保温层。
4.根据权利要求2或3所述的利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述炉盖包括主壳体、侧围壳体，所述保温层抵接于所述主壳体靠近所述第一容腔的一侧，所述侧围壳体固接于所述主壳体的周侧边缘，所述冷却组件包括第一冷却剂输送装置、设于所述主壳体上的第一水道、第一进水口和第一出水口，以及第二冷却剂输送装置、设于所述侧围壳体上的第二水道、第二进水口和第二出水口，所述第一冷却剂输送装置的输出端与输入端分别连通所述第一进水口与所述第一出水口，所述第一进水口和所述第一出水口均与所述第一水道连通，所述第二冷却剂输送装置的输出端与输入端分别连通所述第二进水口与所述第二出水口，所述第二进水口和所述第二出水口均与所述第二水道连通。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵元亚，崔思远，文国昇，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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