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本发明提供了一种利用物理气相传输法生长碳化硅晶体的装置及方法，装置包括炉体、炉盖、坩埚组件、保温层、加热器、冷却组件、测温装置、控制单元，炉盖盖合炉体以形成第一容腔，坩埚组件设于第一容腔内，坩埚组件包括坩埚体、坩埚盖组件，坩埚盖组件盖合坩埚...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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