本发明专利技术包括一种倒装发光二极管和发光装置，其中倒装发光二极管包括：半导体发光单元，为至少两个，相邻的两个半导体发光单元之间有隔离槽；绝缘反射层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极位于绝缘反射层上，并且通过所述的绝缘反射层的通孔电性连接相邻两个半导体发光单元。一定程度降低桥接电极吸光的损失，提升亮度。提升亮度。提升亮度。
【技术实现步骤摘要】
一种高压倒装发光二极管和发光装置
[0001]本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种倒装发光二极管。
技术介绍
[0002]高压倒装发光二极管由于发光效率高、节能、环保、寿命长的特点，广泛应用于各个领域，例如照明、背光。
[0003]如图1所示，传统的高压倒装发光二极管包括衬底，以及衬底上的相邻的半导体发光单元（第一半导体层201、有源层202和第二半导体层203）、隔离槽1001、透明导电层400、第一接触电极500、第二接触电极510、桥接电极720以及用于对半导体发光单元、半导体发光单元上的透明导电层400、第一接触电极500、第二接触电极510、桥接电极720进行保护的绝缘反射层600、第一焊盘700和第二焊盘710，绝缘反射层通600常是由绝缘反射层形成。然而桥接电极720位于绝缘反射层600下，光从有源层202输出后直接到达桥接电极720，桥接电极720包括多层金属层，特别的是包括一些非反射性金属层例如底层具有一层黏附层， 通常是铬层，该层金属会吸光，导致光损失。
[0004]另外，为了保证桥接电极720在隔离槽1001底部和侧壁上覆盖连续性，传统的设计会将隔离槽1001做成至少局部加宽，或者控制侧壁的角度相对更小，从而导致半导体发光面积减小，导致亮度损失。
技术实现思路
[0005]本申请的一个目的在于提供一种改进的高压的倒装发光二极管，相对于传统的高压的倒装发光二极管，可以一定程度降低桥接电极吸光的损失，提升亮度。
[0006]本申请的另外一个目的在于提供一种改进的高压的倒装发光二极管，可以一定程度促进电流均匀分散、降低传统结构的金属电极吸光的损失。
[0007]本申请的另外一个目的在于提供一种焊盘焊接可靠性更高的高压的倒装发光二极管。
[0008]本专利技术一方面提供一种倒装发光二极管，其包括：至少两个半导体发光单元；绝缘反射层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极位于绝缘反射层上，并且通过所述的绝缘反射层的通孔电性连接相邻两个发光单元。
[0009]本专利技术第二方面提供一种倒装发光二极管，其包括：半导体发光单元，为至少两个，半导体发光单元包括自下而上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极，电性连接相邻两个半导体发光单元；第二接触电极，位于至少一个半导体发光单元的第二半导体层上；
第二焊盘位于绝缘层上，通过绝缘层上的通孔电接触第二接触电极;第二接触电极包括分散的多块。
[0010]本专利技术的第三方面提供一种倒装发光二极管，其包括：半导体发光单元，为至少两个，半导体发光单元包括自下而上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，相邻的两个半导体发光单元之间有隔离槽；绝缘层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有通孔；桥接电极，电性连接相邻两个半导体发光单元，其中一个半导体发光单元具有凹孔，凹孔的底部位于第一半导体层上；第一接触电极，位于凹孔内的底部上；第一焊盘位于绝缘层上，通过绝缘层具有的通孔连接所述的第一接触电极。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0012]图1是传统的高压倒装发光二极管的平面结构示意图；图2是本专利技术实施例一的高压倒装发光二极管的平面结构示意图；图3是本专利技术实施例一的高压倒装发光二极管的剖面结构示意图；图4是本专利技术实施例二的高压倒装发光二极管的平面结构示意图；图5
‑
6是本专利技术实施例三的高压倒装发光二极管的平面结构示意图；图7是本专利技术实施例三的高压倒装发光二极管的平面结构示意图；图示说明100衬底；1001隔离槽；200半导体堆叠层；210半导体发光单元；201第一半导体层，201a半导体发光单元的凹孔结构；202有源层；203第二半导体层；300电流阻挡层；400透明导电层；500第一接触电极；501第一通孔；502第二通孔；510、510a、510b、510c第二接触电极；510c1第二接触电极的延伸部；520桥接电极；600绝缘反射层；600a绝缘反射层的通孔；700第一焊盘；710第二焊盘；720桥接电极。
具体实施方式
[0013]以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
[0014]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”和“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0015]实施例一根据本申请的一个方面，提供一种高压倒装发光二极管，其将桥接金属电极上移至绝缘反射层之上，相对于传统的结构，可以一定程度降低桥接电极因为吸光导致的光损失，提升亮度。
[0016]本专利技术提供的一种高压倒装发光二极管，具体的，包括：至少两个半导体发光单元；绝缘反射层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极位于绝缘反射层上，并且通过所述的绝缘反射层的通孔电性连接相邻两个发光单元。
[0017]绝缘反射层覆盖住半导体发光单元的上表面和侧壁、以及半导体发光单元之间的隔离槽。将桥接金属电极上移至绝缘反射层之上，可以一定程度桥接金属吸光的损失，提升亮度。
[0018]下面以高压倒装发光二极管的具体实施结构为例进行说明：本申请提供的一种高压倒装发光二极管，图2为该倒装发光二极管的平面结构示意图，图3为该倒装发光二极管的剖面示意图。
[0019]该高压倒装发光二极管包括衬底100、形成在衬底100上的至少两个半导体发光单元210、绝缘反射层600、桥接电极720和电性不同的两个焊盘：第一焊盘700和第二焊盘710。
[0020]衬底100是透明衬底，例如，蓝宝石衬底。衬底100的上表面可以具备蓝宝石图形，或者衬底100的上表面可以具备异质材料的图形，例如氧化硅。上述图形的高度可以是1～3μm，宽度可以是1～4μm。衬底100还包括上表面、下表面以及侧面，有源层202辐射的光可从衬底100的侧面和上表面辐射出光。衬底100的厚度优选为60μm以上，例如80μm、120μm、150μm或者250μm。
[0021]衬底100上至少两个半导体发光单元210，半本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，其包括：半导体发光单元，为至少两个，相邻的两个半导体发光单元之间有隔离槽；绝缘反射层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极位于绝缘反射层上，并且通过所述的绝缘反射层的通孔电性连接相邻两个半导体发光单元。2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：电性不同的两个焊盘，位于绝缘反射层上，并且分别通过绝缘反射层的通孔电性连接两个半导体发光单元。3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：桥接电极位于隔离槽上方。4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：每一个半导体发光单元包括底面、顶面以及侧壁，每一个半导体发光单元的至少一面侧壁连接所述半导体发光单元的底面到顶面，所述的一面侧壁为连续的从底部面到顶面延伸。5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：从垂直于隔离槽的延伸方向的纵向剖面图看，所述的侧壁呈直线状或者弧形状。6.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述的侧壁为连续的，且从垂直于隔离槽的延伸方向的纵向剖面图看，所述的侧壁与顶面之间的夹角为120~140
°
。7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：从相邻的半导体发光单元的底面量取所述的隔离槽的底部的宽度为5~20微米。8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：半导体发光单元包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中一个半导体发光单元具有凹孔结构，凹孔结构的底部位于第一半导体层上；第一接触电极，位于凹孔结构内的底部上；第一焊盘位于绝缘层上，通过绝缘层具有的通孔连接所述的第一接触电极。9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述的凹孔结构内的第一接触电极完全位于第一焊盘下方。10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述的第一接触电极包括条形部分。11.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述的凹孔结构的边缘与第一焊盘的边缘之间的最短水平距离至少为4微米，所述的第一焊盘的边缘均位于第二半导体层上方。12.一种倒装发光二极管，其包括：半导体发光单元，为至少两个，半导体发光单元包括自下而上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极，电性连接相邻两个半导体发光单元；第二接触电极，位于至少一个半导体发光单元的第二半导体层上；第二焊盘位于绝缘层上，通过绝缘层上的通孔电接触第二接触电极;第二接触电极包括分散的多块。13.根据权利要求12的倒装发光二极管，其特征在于：第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王强，徐瑾，石保军，陈大钟，李宗林，张中英，
申请(专利权)人：湖北三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。