集成电路工艺系统技术方案

一种集成电路工艺系统，包括：工艺板、集成电路基板以及挡板单元。所述工艺板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第一极。所述集成电路基板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第二极。所述挡板单元设置在所述工艺板和所述集成电路基板之间。所述挡板单元包括孔洞结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
集成电路工艺系统


[0001]本申请是有关一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路工艺系统。

技术介绍

[0002]在现有技术中，通常会对集成电路基板(例如但不限于WBGA基板)进行镍电镀工艺以实现基板防腐蚀并且有效降低成本。然而，由于电镀基板的表面分布容易不均，常在基板上的边角位置产生较厚的镀层，降低电镀层厚度的均匀性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请的目的之一在于提供一种集成电路工艺系统来解决上述问题。
[0004]依据本申请的一实施例，提供一种集成电路工艺系统，包括：工艺板、集成电路基板以及挡板单元。所述工艺板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第一极。所述集成电路基板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第二极。所述挡板单元设置在所述工艺板和所述集成电路基板之间。所述挡板单元包括孔洞结构。
[0005]依据本申请的一实施例，所述挡板单元包括第一区及第二区，所述第二区包围所述第一区，所述孔洞结构的孔洞分布在所述第一区的密度大于分布在所述第二区的密度。
[0006]依据本申请的一实施例，所述第一区的位置对应所述集成电路基板接收所述金属离子的区域的位置。
[0007]依据本申请的一实施例，所述第一区是矩形区域。
[0008]依据本申请的一实施例，所述第二区是包围所述矩形区域的环形区域。
[0009]依据本申请的一实施例，所述孔洞结构在所述第一区的孔洞呈现矩形孔洞结构。
[0010]依据本申请的一实施例，多个所述形孔洞结构在所述第一区呈矩阵排列。
[0011]依据本申请的一实施例，所述孔洞结构在所述第一区的孔洞包括多个圆形孔洞结构。
[0012]本申请提出的集成电路工艺系统在进行电镀工艺时，通过挡板单元的孔洞结构可以避免过多的金属离子附着于集成电路基板的待加工区域的边角部分，借此减少待加工区域的边角部分的电镀层的厚度，并增加待加工区域的中心部分的电镀层的厚度，借此提高集成电路基板的电镀层的均匀性。
附图说明
[0013]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0014]图1演示依据本申请一实施例的集成电路工艺系统的方块示意图。
[0015]图2演示依据本申请一实施例的集成电路工艺系统的示意图。
[0016]图3演示依据本申请第一实施例的挡板单元的俯视视图。
[0017]图4演示依据本申请第二实施例的挡板单元的俯视视图。
[0018]图5演示依据本申请第三实施例的挡板单元的俯视视图。
[0019]图6演示依据本申请一实施例的集成电路基板的俯视视图。
具体实施方式
[0020]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0021]再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
[0022]虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属
中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
[0023]图1演示依据本申请一实施例的集成电路工艺系统1的方块示意图。在某些实施例中，集成电路工艺系统1经配置以进行电镀工艺。在某些实施例中，集成电路工艺系统1包括工艺板11、集成电路基板12以及挡板单元13。在某些实施例中，工艺板11包括金属离子(例如但不限于镍离子、金离子)。在某些实施例中，工艺板11经配置以作为集成电路工艺系统1的第一极。在某些实施例中，工艺板11作为电镀工艺中的阳极。在某些实施例中，集成电路基板12可以是WBGA基板。在某些实施例中，集成电路基板12经配置以作为集成电路工艺系统1的第二极。在某些实施例中，集成电路基板12作为电镀工艺中的阴极。在某些实施例中，工艺板11向集成电路基板12自提供金属离子(例如但不限于镍离子、金离子)以进行电镀。在某些实施例中，挡板单元13设置在工艺板11和集成电路基板12之间。在某些实施例中，挡板单元13包括孔洞结构。在某些实施例中，挡板单元13经配置以提升集成电路基板12的电镀层的均匀性。
[0024]图2演示依据本申请一实施例的集成电路工艺系统2的示意图。在某些实施例中，集成电路工艺系统2经配置以进行电镀工艺。在某些实施例中，集成电路工艺系统2可以用以实现图1实施例的集成电路工艺系统1。在某些实施例中，集成电路工艺系统2包括工艺板21、集成电路基板22以及挡板单元23。在某些实施例中，工艺板21、集成电路基板22以及挡板单元23容纳于电镀槽T2之中，其中电镀槽T2内有电镀液。
[0025]在某些实施例中，工艺板21经配置以作为集成电路工艺系统2的第一极。在某些实施例中，工艺板21作为电镀工艺中的阳极。在某些实施例中，工艺板21包括金属离子(例如但不限于镍离子、金离子)。
[0026]在某些实施例中，集成电路基板22可以是WBGA基板。在某些实施例中，集成电路基板22经配置以作为集成电路工艺系统2的第二极。在某些实施例中，集成电路基板22作为电镀工艺中的阴极。在某些实施例中，工艺板21向集成电路基板22提供金属离子(例如但不限于镍离子、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路工艺系统，其特征在于，包括：工艺板，经配置以作为所述集成电路工艺系统的第一极；集成电路基板，经配置以作为所述集成电路工艺系统的第二极；以及挡板单元，设置在所述工艺板和所述集成电路基板之间，所述挡板单元包括孔洞结构。2.根据权利要求1所述的集成电路工艺系统，其特征在于，所述挡板单元包括第一区及第二区，所述第二区包围所述第一区，所述孔洞结构的孔洞分布在所述第一区的密度大于分布在所述第二区的密度。3.根据权利要求2所述的集成电路工艺系统，其特征在于，所述第一区的位置对应所述集成电路基板接收金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈君跃，甘明正，林佳德，
申请(专利权)人：日月光半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：