基板处理装置和基板处理方法以及静电卡盘制造方法制造方法及图纸

公开一种基板处理装置和基板处理方法以及静电卡盘制造方法。提供一种静电卡盘，包括：卡盘部件，支承基板并至少一个销孔在上下方向上贯通，并且提升销能够升降地容纳于所述销孔；以及膨胀部件，提供于所述销孔的内周并能够膨胀，并且具有膨胀时与容纳于所述销孔的所述提升销的外周面紧贴的内周面，通过所述膨胀部件使所述销孔的直径进行变化。部件使所述销孔的直径进行变化。部件使所述销孔的直径进行变化。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法以及静电卡盘制造方法


[0001]本专利技术涉及一种具备用于处理半导体晶圆等基板的静电卡盘的基板处理装置、基板处理方法以及其制造方法。

技术介绍

[0002]近来，在半导体元件的制造工艺中，在半导体基板形成膜或蚀刻膜的工艺中广泛使用等离子体处理设备。
[0003]等离子体处理设备包括具有用于处理半导体基板的空间的工艺腔室和配置于工艺腔室内部而支承半导体基板的基板支承装置。
[0004]作为基板支承装置的例子，存在静电卡盘，通常的静电卡盘包括由铝行成的底板、配置于底板上侧的陶瓷定位器以及设置于陶瓷定位器内部的内部电极。在内部电极连接有用于产生静电力的电源，半导体基板通过静电力吸附固定于静电卡盘上。
[0005]位于静电卡盘上的半导体基板通过等离子体气体加热，在半导体基板的背面供应有用于调节半导体基板的温度的冷却气体。冷却气体主要使用氦(He)气，冷却气体通过形成在底板以及陶瓷定位器中的冷却气体供应孔而供应到半导体基板的背面。
[0006]另外，存在贯通底板和陶瓷定位器形成的销孔(pin h本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，包括：卡盘部件，支承基板并至少一个销孔在上下方向上贯通，并且提升销能够升降地容纳于所述销孔；以及膨胀部件，提供于所述销孔的内周并能够膨胀，并且具有膨胀时与容纳于所述销孔的所述提升销的外周面紧贴的内周面。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述膨胀部件是根据电源供应而膨胀的压电元件。3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中，所述静电卡盘还包括：电极，内置于所述卡盘部件并使得产生静电力。4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，所述压电元件与所述电极电连接，若向所述电极施加电源，则所述压电元件从所述电极接收电源而膨胀。5.根据权利要求4所述的静电卡盘，其中，若对所述电极切断电源，则所述压电元件复原到膨胀前的状态。6.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中，所述卡盘部件由电介质物质形成，所述压电元件具有与所述卡盘部件同等的介电率的同时具有与所述卡盘部件相比高的体积电阻。7.根据权利要求6所述的静电卡盘，其中，所述卡盘部件和所述压电元件通过烧结方式结合。8.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，所述压电元件和所述电极分开接收电源，并独立地控制。9.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，在所述销孔的上端形成容纳所述膨胀部件的容纳槽。10.一种基板处理装置，包括：工艺腔室，提供基板处理空间；静电卡盘，配置于所述基板处理空间；以及等离子体发生器，用于在所述基板处理空间产生等离子体，所述静电卡盘包括：卡盘部件，支承基板并至少一个销孔在上下方向上贯通，并且提升销能够升降地容纳于所述销孔；以及膨胀部件，提供于所述销孔的内周并能够膨胀，并且具有膨胀时与容纳于所述销孔的所述提升销的外周面紧贴的内周面，所述膨胀部件是根据电源的供应而膨胀的管状的压电元件。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述压电元件与使所述静电卡盘产生静电力的电极电连接，若向所述电极施加电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东灿，金教蜂，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：