一种高功率密度的3D封装功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高功率密度的3D封装功率模块，包括树脂外壳，所述树脂外壳的内部设置有芯片安装基座，所述芯片安装基座的顶端安装有若干个高功率密度芯片本体，所述散热板的侧边通过设置的快速插接组件与所述树脂外壳相连，所述散热板的顶端设置有若干个片状散热鳍片，所述芯片安装基座的底端设置有金属基板，本实用新型专利技术通过在封装层的顶端设置有导热层，在导热层上设置有散热板，散热板用于对导热层中的热量进行向外散去，而为了加快散热板的散热效果，又通过在散热板上均匀设置有若干个片状散热鳍片，高功率密度芯片本体产生的温度被快速导走，避免芯片内部温度急剧升高而损坏，有利于芯片的长久使用。有利于芯片的长久使用。有利于芯片的长久使用。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率密度的3D封装功率模块


[0001]本技术涉及封装功率模块
，具体涉及一种高功率密度的3D封装功率模块。

技术介绍

[0002]功率模块是功率电力电子器件按一定的功能组合再灌封成一个模块，智能功率模块是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和优化的门极驱动电路，以及快速保护电路构成。IPM内的IGBT管芯都选用高速型的，而且驱动电路紧靠IGBT，驱动延时小，所以IPM开关速度快，损耗小。此外IPM还具有桥臂对管互锁、驱动电源欠压保护等功能。尽管IPM价格高一些，但由于集成的驱动、保护功能使IPM与单纯的IGBT相比具有结构紧凑、可靠性高、易于使用等优点。
[0003]而对于功率模块内部的芯片进行电子封装对芯片来说是极其重要的，它能够为芯片提供一个相对封闭的环境，减少周围环境对芯片性能的影响，并为其提供电气连接、机械支撑、散热路径，可以说封装影响着器件的性能、使用寿命和成本，但是现有的封装结构对于芯片运行时产生的热量难以快速散去，从而会使得芯片内部温度急剧升高，容易造成芯片的损毁，不利于芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度的3D封装功率模块，包括树脂外壳(1)，其特征在于：所述树脂外壳(1)的内部设置有芯片安装基座(2)，所述芯片安装基座(2)的顶端安装有若干个高功率密度芯片本体(3)，所述芯片安装基座(2)的上方设置有用于对所述高功率密度芯片本体(3)进行封壁的封装层(4)，所述封装层(4)的顶端设置有散热板(6)；所述散热板(6)的底端设置有导热层(5)，所述导热层(5)的底面与所述封装层(4)贴合抵触，所述散热板(6)的侧边通过设置的快速插接组件(8)与所述树脂外壳(1)相连，所述散热板(6)的顶端设置有若干个片状散热鳍片(7)，若干个所述片状散热鳍片(7)均匀设置在所述散热板(6)的顶端，所述芯片安装基座(2)的底端设置有金属基板(13)，所述树脂外壳(1)的侧边设置有辅助端子(9)，所述辅助端子(9)与所述金属基板(13)之间通过设置的第一连接线(10)相连，所述树脂外壳(1)的侧边设置有主端子(11)，所述主端子(11)与所述金属基板(13)之间通过设置的第二连接线(12)相连。2.根据权利要求1所述的一种高功率密度的3D封装功率模块，其特征在于：所述快...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：东莞森迈兰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：