【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及芯片封装方法
[0001]本专利技术涉及芯片封装
,尤其涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。
技术介绍
[0002]倒装芯片式技术(Flip Chip,FC)是一种经常应用于芯片封装(Chip Scale Package,CSP)的封装技术。在倒装芯片式技术中,芯片的正面通常设置有凸点(bump),芯片先通过凸点与基板进行焊接,之后再在基板相背于芯片的端面上植焊球(ball),最后通过焊球将其焊接到PCB板上。但上述封装结构的设置,一方面,基板较厚,电流的传数据流较大,导致电流的损耗大,影响信号传输的速度;另一方面,芯片仅通过背面散热,散热面积较小,易影响芯片性能。
[0003]基于此,亟需一种芯片封装结构及芯片封装方法用来解决如上提到的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及芯片封装方法,以实现缩小芯片封装结构的厚度尺寸,降低电流的损耗,也减小芯片封装结构的体积,又扩大用于散热的面积,保证芯片的性能。
[0005]为达此目的,本专利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:芯片(1),正面阵列设置有多个凸点(11);基体(2),开设有容纳槽(21),所述芯片(1)置于所述容纳槽(21)内,至少部分所述凸点(11)位于所述容纳槽(21)的外侧;导热粘接层(3),粘接于所述芯片(1)的背面与所述容纳槽(21)的槽底面之间;导电结构(4),置于多个所述凸点(11)远离所述芯片(1)的一侧,所述导电结构(4)与所述芯片(1)以及所述基体(2)之间均填充有塑封层(5),所述导电结构(4)包括PI层(41)和RDL层(42),所述PI层(41)设置有至少两层,所述RDL层(42)设置在相邻两层所述PI层(41)之间,所述PI层(41)上开设有过孔,所述过孔孔壁的金属层与所述RDL层(42)或所述凸点(11)电连接;焊球(6),设置于所述导电结构(4)相背于所述芯片(1)的一侧,所述焊球(6)与所述凸点(11)通过所述过孔孔壁的金属层电连接。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片(1)的高度与所述导热粘接层(3)的高度之和大于所述容纳槽(21)的深度。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述导热粘接层(3)为导热石墨片。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述导热粘接层(3)的形状和尺寸与所述容纳槽(21)槽底面的形状和尺寸相同。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述容纳槽(21)位于所述基体(2)的中部,且所述容纳槽(21)的槽侧壁与所述基体(2)的侧壁之间形成围挡(22),所述芯片(1)与所述围挡(22)之间间隔设置,所述芯片(1)与所述槽侧壁之间填充有所述塑封层(5)。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封层(5)相背于所述容纳槽(21)槽底的一侧开设有盲孔,所述凸点(11)相背于所述芯片(1)的一端穿出所述盲孔的孔底壁,且所述凸点(11)相背于芯片(1)的一端凸出于所述塑封层(5)相背于所述容纳槽(21)槽底的端面并与所述过孔孔壁的金属层电连接。7.一种芯片封装方法,用于制作如权利要求1
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6任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,包括:S1、提供芯片(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:马晓波,熊湘锋,
申请(专利权)人:湖南越摩先进半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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