高频器件和通信设备制造技术

在压电基底１００上形成叉指式换能器（ＩＤＴ）电极、反射器等。一非平衡输入／输出端被连接到第一输入／输出端１１３。第一电感１１２连接在平衡输入／输出端之一的第一端头１１０和该平衡输入／输出端的其它端的第二端１１１之间。进一步，第二电感１１６连接在平衡输入／输出端中的第一端和第二输入／输入端１１４之间，而平衡输入／输出端中的第二端头１１１连接到第三输入／输出端１１５。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高频器件，其特征在于，包括：具有至少一对平衡端的高频元件；以及连接到所述高频元件端头的外部输入／输出端头，其中在该对平衡端头和连接到该对平衡端的外部输入／输出端头之间的阻抗值互相不同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：瓜生一英，中村弘幸，石崎俊雄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]