本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明专利技术构思提供了基板处理装置。该基板处理装置包括支承单元，该支承单元水平地维持基板；激光照射单元，该激光照射单元用于用激光照射该基板；光检测器，该光检测器用于检测照射在该基板上的激光中从该基板反射的反射光的能量；以及处理器，并且其中，该处理器将第一输出的第一激光照射到该基板，并且基于由该光检测器检测到的该第一激光从该基板反射的第一反射光的能量，设置用于照射该基板以加热该基板的第二激光的第二输出。基板以加热该基板的第二激光的第二输出。基板以加热该基板的第二激光的第二输出。
【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月22日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0096137的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]在本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。
技术介绍
[0004]在基板上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等各种工艺以制造半导体元件或液晶显示器。在各种工艺中，蚀刻工艺或清洁工艺是从形成在基板上的薄膜去除不需要的区域的工艺。薄膜需要高选择性、高蚀刻率和蚀刻均匀性，并且随着半导体元件的高度集成，需要更高水平的蚀刻选择性和蚀刻均匀性。
[0005]一般而言，在蚀刻工艺或清洁工艺中，依序在基板上执行化学品处理步骤、冲洗步骤和干燥步骤。在化学品处理步骤中，将化学品分配到基板上以蚀刻形成在基板上的薄膜或者去除基板上的异物，并且在冲洗步骤中，将诸如去离子(Deionized，DI)水等冲洗溶液分配到基板上。使用液体处理基板可能伴随有对基板的加热。本申请人引入激光作为基板的加热源。在由申请人提交的韩国申请号10
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2020
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0117842中描述了一种引入激光来加热基板的方法。
[0006]图1为示出了在以相同方案用相同激光输出进行处理第一晶圆和第二晶圆时，温度在一段时间内改变的图形。如参照图1，在应用相同的输出和相同的方案时，用于达到设定温度的时间和达到温度可能会根据晶圆的类型而变化。此外，用于达到设定温度的时间和达到温度根据激光照射到的表面的状态(例如，膜)或者晶圆的厚度而变化。
技术实现思路
[0007]本专利技术构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置能够有效地处理基板。
[0008]本专利技术构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置能够改善蚀刻性能。
[0009]本专利技术构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置能够在不同基板被带入到装置中时以相同的方式加热这些基板。
[0010]本专利技术构思的技术目的不限于上述技术目的，并且其他未提及的技术目的对本领域技术人员而言将从以下描述变得显而易见。
[0011]本专利技术构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括支承单元，该支承单元水平地维持基板；激光照射单元，该激光照射单元用于用激光照射该基板；光检测器(photo
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detector)，该光检测器用于检测照射在该基板上的激光中从该基板反射的反射光
的能量；以及处理器，并且其中，该处理器将第一输出的第一激光照射到该基板，并且基于由该光检测器检测到的该第一激光从该基板反射的第一反射光的能量，设置用于照射该基板以加热该基板的第二激光的第二输出。
[0012]在实施方案中，激光照射单元将激光照射到基板的底部表面。
[0013]在实施方案中，第一输出低于第二输出。
[0014]在实施方案中，基板处理装置还包括将液体供应到基板上的液体供应单元，并且其中，处理器在基板上形成液膜，并且将第二输出的第二激光照射到基板。
[0015]在实施方案中，处理器将第一反射光的能量与预先存储的参照值进行比较，并且如果第一反射光的能量大于参照值的反射光的能量，则将第二输出设置为高于参照值的参照输出，以及如果第一反射光的能量小于参照值的反射光的能量，则将第二输出设置为低于参照值的参照输出。
[0016]在实施方案中，处理器根据第一反射光的能量计算反射率(reflectivity)和吸收率(adsorption rate)，并且将第二输出设置为与吸收率成反比例。
[0017]在实施方案中，根据预先存储的参照值的参照输出，通过第二输出由基板吸收的能量被设置成与由参照晶圆吸收的能量相同。
[0018]在实施方案中，光检测器在用第二激光对基板进行加热处理的情况下实时检测反射光，并且处理器实时监控被检测的反射光，以及如果反射光的能量变化，则调节第二输出的强度。
[0019]在实施方案中，如果反射光的能量变得更小，则将第二输出的强度调节成更弱。
[0020]在实施方案中，如果反射光的能量变得更大，则将第二输出的强度调节成更强。
[0021]本专利技术构思提供了一种通过将激光照射在基板上来加热基板的基板处理方法。该基板处理方法包括：用激光照射单元相对于经装载的基板将第一输出的第一激光照射到基板；用光检测器检测第一激光中从基板反射的第一反射光的能量；以及基于由光检测器检测到的第一反射光的能量，将第二激光的第二输出设置成加热基板。
[0022]在实施方案中，将激光照射到基板的底部表面。
[0023]在实施方案中，第一输出低于第二输出。
[0024]在实施方案中，处理器将第一反射光的能量与预先存储的参照值进行比较，并且如果第一反射光的能量大于参照值，则将第二输出设置为高于与参照值相对应的输出，以及如果第一反射光的能量小于参照值，则将第二输出设置为低于与参照值相对应的输出。
[0025]在实施方案中，根据第一反射光的能量计算反射率和吸收率，并且将第二输出设置为与吸收率成反比例。
[0026]在实施方案中，根据预先存储的参照值的参照输出，通过第二输出由基板吸收的能量被设置成与由参照晶圆吸收的能量相同。
[0027]在实施方案中，光检测器在用第二激光对基板进行加热处理的情况下实时检测反射光，并且处理器实时监控被检测的反射光，以及如果反射光的能量变化，则调节第二输出的强度。
[0028]在实施方案中，如果反射光的能量变得更小，将第二输出的强度调节成更弱。
[0029]在实施方案中，如果反射光的能量变得更大，将第二输出的强度调节成更强。
[0030]本专利技术构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：支承单元，该支承单
元水平地维持基板；液体供应单元，该液体供应单元用于将液体供应到基板；激光照射单元，该激光照射单元用于用激光照射基板的底部表面；光检测器，该光检测器用于检测照射在基板上的激光中从基板反射的反射光的能量；以及处理器；并且其中，该处理器将第一输出的第一激光照射到基板，基于由光检测器检测到的第一激光从基板反射的第一反射光的能量，设置用于照射基板以加热基板的第二激光的第二输出，在基板上形成液膜，并且相对于基板照射第二输出的第二激光。
[0031]根据本专利技术构思的实施方案，可以有效地处理基板。
[0032]根据本专利技术构思的实施方案，可以改善蚀刻性能。
[0033]根据本专利技术构思的实施方案，当不同的基板被带入装置中时，可以以相同的方式加热这些基板。
[0034]本专利技术构思的效果不限于上述效果，并且其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将从以下描述变得显而易见。
附图说明
[0035]参照以下附图，上述和其他目的与特征本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：支承单元，所述支承单元水平地维持基板；激光照射单元，所述激光照射单元用于用激光照射所述基板；光检测器，所述光检测器用于检测照射在所述基板上的激光中从所述基板反射的反射光的能量；以及处理器，并且其中，所述处理器将第一输出的第一激光照射到所述基板，并且基于由所述光检测器检测到的所述第一激光从所述基板反射的第一反射光的能量，设置用于照射所述基板以加热所述基板的第二激光的第二输出。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述激光照射单元将所述激光照射到所述基板的底部表面。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一输出低于所述第二输出。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括将液体供应到所述基板上的液体供应单元，并且其中，所述处理器在所述基板上形成液膜，并且将所述第二输出的所述第二激光照射到所述基板。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述处理器将所述第一反射光的所述能量与预先存储的参照值进行比较，并且如果所述第一反射光的所述能量大于所述参照值的反射光的能量，则将所述第二输出设置为高于所述参照值的参照输出，以及如果所述第一反射光的所述能量小于所述参照值的所述反射光的所述能量，则将所述第二输出设置为低于所述参照值的所述参照输出。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述处理器根据所述第一反射光的所述能量计算反射率和吸收率，并且所述第二输出被设置为与所述吸收率成反比例。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，根据预先存储的参照值的参照输出，通过所述第二输出由所述基板吸收的能量被设置成与由参照晶圆吸收的能量相同。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述光检测器在用所述第二激光对所述基板进行加热处理的情况下实时检测反射光，并且所述处理器实时监控被检测的所述反射光，以及如果所述反射光的能量变化，则调节所述第二输出的强度。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，如果所述反射光的能量变得更小，则将所述第二输出的强度调节成更弱。10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，如果所述反射光的能量变得更大，则将所述第二输出的强度调节成更强。11.一种通过将激光照射在基板上来加热所述基板的基板处理方法，所述基板处理方法包括：用激光照射单元相对于经装载的基板将第一输出的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智暎，郑映大，郑智训，金源根，金泰信，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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