滤波器和复用器制造技术

一种滤波器和复用器。提供了一种滤波器，该滤波器包括：串联谐振器，该串联谐振器包括第一压电层和第一电极；以及并联谐振器，该并联谐振器包括第二压电层和第二电极。第一压电层和第二压电层中的每一个都是单晶铌酸锂层，具有沿平面方向的X轴取向并且具有在通过将+Z轴取向朝向+Y轴取向进行105

【技术实现步骤摘要】
滤波器和复用器


[0001]本公开的某一方面涉及滤波器和复用器(multiplexer)。

技术介绍

[0002]已知将使用压电薄膜谐振器的滤波器和双工器(duplexer)作为了无线终端(诸 如移动电话)的高频电路的滤波器和双工器。压电薄膜谐振器包括压电层以及压电层 是插置其间的一对电极。该对电极跨压电层彼此相对的区域是声波谐振的谐振区域。 已知将铌酸锂层、钽酸锂层等用于压电层，例如，如在日本专利申请公开No. 2008
‑
42871、No.2008
‑
252159以及No.2004
‑
112757中所公开的。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]日本专利申请公开No.2008
‑
42871
[0006]日本专利申请公开No.2008
‑
252159
[0007]日本专利申请公开No.2004
‑
112757

技术实现思路

[0008]在将诸如铌酸锂、钽酸锂、晶体等的单晶压电物质用于压电层的情况下，谐振区 域中的振动可以变成厚度剪切振动。当将具有厚度剪切振动的压电薄膜谐振器用于串 联谐振器和并联谐振器来形成滤波器时，在提高传输特性方面存在改进空间。
[0009]本公开是鉴于上述问题而提出的，并且其目的在于提高传输特性。
[0010]在一个方面，本公开提供了一种滤波器，该滤波器包括：基板；串联谐振器，该 串联谐振器被设置在基板上、被串联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第一 压电层以及一对第一电极，第一压电层是单晶铌酸锂层或单晶钽酸锂层，第一压电层 的晶体取向的X轴取向与平面方向相对应，第一压电层的厚度方向与通过将第一压 电层的晶体取向的+Z轴取向朝向+Y轴取向旋转大致105
°
而获得的方向相对应，该对 第一电极跨第一压电层彼此相对以形成第一谐振区域，该对第一电极中的每一个在与 第一压电层的晶体取向的X轴取向大致平行的方向上从第一谐振区域引出 (extracted)；以及并联谐振器，该并联谐振器被设置在基板上、被并联连接在输入 端子与输出端子之间，并且包括第二压电层以及一对第二电极，第二压电层是单晶铌 酸锂层或单晶钽酸锂层，第二压电层的晶体取向的X轴取向与平面方向相对应，第 二压电层的厚度方向与在通过将第二压电层的晶体取向的+Z轴取向朝向第二压电层 的晶体取向的+Y轴取向旋转大致105
°
而获得的方向相对应，该对第二电极跨第二压 电层彼此相对以形成第二谐振区域，该对第二电极中的每一个在与第二压电层的晶体 取向的X轴取向大致正交的方向上从第二谐振区域引出。
[0011]在另一方面，本公开提供了一种滤波器，该滤波器包括：基板；串联谐振器，该 串联谐振器被设置在基板上、被串联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第一 压电层以及一对第一电极，第一压电层是单晶钽酸锂层，第一压电层的晶体取向的X 轴取向是第
一压电层的厚度方向，第一压电层的晶体取向的Y轴取向和Z轴取向是 平面方向，该对第一电极跨第一压电层彼此相对以形成第一谐振区域，该对第一电极 中的每一个在与通过将第一压电层的晶体取向的+Y轴取向朝向
‑
Z轴取向旋转42
°
而 获得的方向大致正交的方向上从第一谐振区域引出；以及并联谐振器，该并联谐振器 被设置在基板上、被并联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第二压电层以及 一对第二电极，第二压电层是单晶钽酸锂层，第二压电层的晶体取向的X轴取向是 第二压电层的厚度方向，第二压电层的晶体取向的Y轴取向和Z轴取向是平面方向， 该对第二电极跨第二压电层彼此相对以形成第二谐振区域，该对第二电极中的每一个 在与通过将第二压电层的晶体取向的+Y轴取向朝向第二压电层的晶体取向的
‑
Z轴取 向旋转42
°
而获得的方向大致平行的方向上从第二谐振区域引出。
[0012]在另一方面，本公开提供了一种滤波器，该滤波器包括：基板；串联谐振器，该 串联谐振器被设置在基板上、被串联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第一 压电层以及一对第一电极，该对第一电极跨第一压电层彼此相对以形成第一谐振区域， 该对第一电极在第一压电层中激发厚度剪切振动，该对第一电极中的每一个在与在所 述第一压电层中激发的所述厚度剪切振动的振动方向大致正交的方向上从所述第一 谐振区域引出；以及并联谐振器，该并联谐振器被设置在基板上、被连接在输入端子 与输出端子之间，并且包括第二压电层以及一对第二电极，该对第二电极跨第二压电 层彼此相对以形成第二谐振区域，该对第二电极在第二压电层中激发厚度剪切振动， 该对第二电极中的每一个在与在所述第二压电层中激发的所述厚度剪切振动的振动 方向大致平行的方向上从所述第二谐振区域引出。
[0013]在上述滤波器中，该对第一电极中的每一个根据长度等于或大于所述第一谐振区 域中的所述第一压电层的厚度的0.75倍在所述方向上从所述第一谐振区域线性地引 出，并且该对第二电极中的每一个根据长度等于或大于所述第二谐振区域中的所述第 二压电层的厚度的0.75倍在所述方向上从所述第二谐振区域线性地引出。
[0014]上述滤波器还可以包括：第一布线，该第一布线被联接至该对第一电极中的一个 的与第一谐振区域相对的端部；以及第二布线，该第二布线被联接至该对第二电极中 的一个第二电极的与第二谐振区域相对的端部，并且第一布线的宽度可以随着距该对 第一电极中的所述一个第一电极的距离而改变，和/或第二布线的宽度可以随着距该 对第二电极中的所述一个第二电极的距离而改变。
[0015]在上述滤波器中，串联谐振器可以被设置为多个、串联连接在输入端子与输出端 子之间，并且所述多个串联谐振器被设置为使得所述多个串联谐振器的第一压电层的 晶体取向相同，串联谐振器可以与平行于所述第一压电层的所述晶体取向的X轴取 向的方向大致平行地并排设置，并且所述串联谐振器中的第一串联谐振器可以通过第 一布线联接至输入端子，第一布线的宽度随着距该对第一电极中的第一布线联接至的 所述一个第一电极的距离更远而增大，并且所述串联谐振器中的最后一个串联谐振器 可以通过第一布线联接至输出端子，第一布线的宽度随着距该对第一电极中的第一布 线联接至的所述一个第一电极距离更远而增大。
[0016]在上述滤波器中，并联谐振器可以通过第二布线联接至第一布线，第二布线的宽 度随着距该对第二电极的距离更远而减小。
[0017]上述滤波器还可以包括：第一布线，该第一布线被联接至该对第一电极中的一个 第一电极的与第一谐振区域相对的端部；以及第二布线，该第二布线被联接至该对第 二电极中的一个第二电极的与第二谐振区域相对的端部，并且第一布线可以在与所述 一对第一电极中的所述一个第一电极从所述第一谐振区域引出的方向交叉的方向上 从所述一对第一电极中的所述一个第一电极延伸，和/或第二布线可以在与所述一对 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，所述滤波器包括：基板；串联谐振器，所述串联谐振器被设置在所述基板上，被串联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第一压电层以及一对第一电极，所述第一压电层是单晶铌酸锂层或单晶钽酸锂层，所述第一压电层的晶体取向的X轴取向与平面方向相对应，所述第一压电层的厚度方向与通过将所述第一压电层的所述晶体取向的+Z轴取向朝向+Y轴取向旋转105
°±5°
而获得的方向相对应，所述一对第一电极跨所述第一压电层彼此相对以形成第一谐振区域，所述一对第一电极中的每一个在与和所述第一压电层的所述晶体取向的所述X轴取向平行的方向成
±5°
范围内的角度的方向上从所述第一谐振区域引出；以及并联谐振器，所述并联谐振器被设置在所述基板上，被并联连接在所述输入端子与所述输出端子之间，并且包括第二压电层以及一对第二电极，所述第二压电层是单晶铌酸锂层或单晶钽酸锂层，所述第二压电层的晶体取向的X轴取向与平面方向相对应，所述第二压电层的厚度方向与通过将所述第二压电层的所述晶体取向的+Z轴取向朝向所述第二压电层的所述晶体取向的+Y轴取向旋转105
°±5°
而获得的方向相对应，所述一对第二电极跨所述第二压电层彼此相对以形成第二谐振区域，所述一对第二电极中的每一个在与和所述第二压电层的所述晶体取向的X轴取向正交的方向成
±5°
范围内的角度的方向上从所述第二谐振区域引出。2.一种滤波器，所述滤波器包括：基板；串联谐振器，所述串联谐振器被设置在所述基板上，被串联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第一压电层以及一对第一电极，所述第一压电层是单晶钽酸锂层，所述第一压电层的晶体取向的X轴取向与所述第一压电层的厚度方向相对应，所述第一压电层的所述晶体取向的Y轴取向和Z轴取向与平面方向相对应，所述一对第一电极跨所述第一压电层彼此相对以形成第一谐振区域，所述一对第一电极中的每一个在与和通过将所述第一压电层的所述晶体取向的+Y轴取向朝向
‑
Z轴取向旋转42
°
而获得的方向正交的方向成
±5°
范围内的角度的方向上从所述第一谐振区域引出；以及并联谐振器，所述并联谐振器被设置在所述基板上，被并联连接在所述输入端子与所述输出端子之间，并且包括第二压电层以及一对第二电极，所述第二压电层是单晶钽酸锂层，所述第二压电层的晶体取向的X轴取向与所述第二压电层的厚度方向相对应，所述第二压电层的所述晶体取向的Y轴取向和Z轴取向与平面方向相对应，所述一对第二电极跨所述第二压电层彼此相对以形成第二谐振区域，所述一对第二电极中的每一个在与和通过将所述第二压电层的所述晶体取向的+Y轴取向朝向所述第二压电层的所述晶体取向的
‑
Z轴取向旋转42
°
而获得的方向平行的方向成
±5°
范围内的角度的方向上从所述第二谐振区域引出。3.一种滤波器，所述滤波器包括：基板；串联谐振器，所述串联谐振器被设置在所述基板上，被串联连接在输入端子与输出端子之间，并且包括第一压电层以及一对第一电极，所述一对第一电极跨所述第一压电层彼此相对以形成第一谐振区域，所述一对第一电极在所述第一压电层中激发厚度剪切振动，
所述一对第一电极中的每一个在与和在所述第一压电层中激发的所述厚度剪切振动的振动方向正交的方向成
±5°
范围内的角度的方向上从所述第一谐振区域引出；以及并联谐振器，所述并联谐振器被设置在所述基板上，被连接在所述输入端子与所述输出端子之间，并且包括第二压电层以及一对第二电极，所述一对第二电极跨所述第二压电层彼此相对以形成第二谐振区域，所述一对第二电极在所述第二压电层中激发厚度剪切振动，所述一对第二电极中的每一个在与和在所述第二压电层中激发的所述厚度剪切振动的振动方向平行的方向成
±5°
范...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田守，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：