本发明专利技术提供了一种声表面波谐振器，包括：压电基板和叉指电极，叉指电极设置在压电基板上；叉指电极包括一体成型设置的电极指和汇流条，电极指连接设置在汇流条上；电极指包括变形部、主体部以及多个补偿部；主体部的一端设置在汇流条上，变形部设置在主体部的末端，多个补偿部设置在变形部上。本发明专利技术在电极指末端设置变形部和补偿部而精准调控声速，抑制不期望的纹波或杂散波并激励活塞模，大大提升了声表面波谐振器的电学性能。表面波谐振器的电学性能。表面波谐振器的电学性能。
【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器
[0001]本专利技术涉及，具体地，涉及一种声表面波谐振器,尤其是一种具有末端变形结构叉指电极的声表面波谐振器。
技术介绍
[0002]表面波谐振器通过叉指电极来实现声能和电能的相互转化，由于叉指电极下设置了具有压电效应的基板或薄膜材料，相邻两个叉指电极处于不同电位下可形成电场并激励声表面波，一个典型的问题在于叉指电极末端声速突变或电场分布不均会导致不期望的杂散波，进而形成恶化器件性能，这是亟待解决的技术难题。
[0003]现有技术通过以下几种方式解决上述问题：a、设置一个足够小的声孔隙(示意图中电极纵向的重合长度)，但是会导致不期望的源阻抗；b、叉指电极变迹，会导致不期望的大阻抗、降低机电耦合系数，并且该方法同样会出现不期望的横向波型；c、在叉指电极末端设置质量负载层，但是对质量负载层的尺寸需要精准控制、要求高，并且工艺上相对复杂且实现难度极高。
[0004]公开号为CN111934644B的专利文献公开了一种叉指电极结构，叉指电极结构被设置在衬底上，其中叉指电极结构中的叉指电极的末端被离子注入以形成掺杂部，还公开了一种声表面波器件，其包括以上叉指电极结构，声表面波器件为滤波器或谐振器。但是该专利文献仍然存在叉指电极末端声速突变或电场分布不均会导致不期望的杂散波的缺陷。
技术实现思路
[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种声表面波谐振器。
[0006]根据本专利技术提供的一种声表面波谐振器，包括：压电基板和叉指电极，所述叉指电极设置在所述压电基板上；
[0007]所述叉指电极包括一体成型设置的电极指和汇流条，所述电极指连接设置在所述汇流条上；
[0008]所述电极指包括变形部、主体部以及多个补偿部；所述主体部的一端设置在所述汇流条上，所述变形部设置在所述主体部的末端，多个所述补偿部设置在所述变形部上。
[0009]优选的，所述电极指的末端方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；
[0010]所述主体部在所述第二方向上的尺寸长度为所述主体部的宽度W2，相邻所述主体部在所述第二方向上之间的间距为W1；
[0011]所述电极指的末端沿所述第一方向与所述汇流条之间的间隙的长度G为0.1λ～1λ，λ为声表面波波长；
[0012]所述变形部沿所述第一方向的长度L1为0.2λ～1λ；
[0013]单个所述补偿部沿所述第一方向与所述变形部重叠的长度Y1为0.1G～0.5G；单个所述补偿部沿所述第一方向突出于所述变形部表面侧壁的长度Y2为0.1L1～0.5L1；
[0014]单个所述补偿部沿所述第二方向与所述变形部重叠的长度X2小于等于2W2；单个所述补偿部沿所述第二方向突出于所述变形部表面侧壁的长度X1小于等于0.9W1。
[0015]优选的，所述变形部的金属化率为0.3～0.8。
[0016]优选的，所述变形部为矩形体；
[0017]所述主体部的末端垂直设置在所述变形部的一侧壁上，所述补偿部设置在所述变形部的端角位置处。
[0018]优选的，所述变形部为梯形体；
[0019]所述主体部的末端垂直设置在所述变形部的一侧壁上，所述补偿部设置在所述变形部的底边端角位置处。
[0020]优选的，所述变形部包括一体成型设置的第一矩形体和第二矩形体；
[0021]所述第一矩形体沿所述主体部末端方向的长度为所述变形部总长度的0.1～0.9倍；
[0022]所述主体部的末端垂直设置在所述第一矩形体的一侧壁上，所述补偿部设置在所述第二矩形体的端角位置处；
[0023]所述第一矩形体和所述第二矩形体相平行设置，所述第二矩形体沿所述第二方向上的侧壁长度大于所述第一矩形体沿所述第二方向上的侧壁长度。
[0024]优选的，所述变形部为矩形体；
[0025]所述主体部的末端突出所述变形部的一侧壁设置；所述补偿部设置在所述变形部的端角位置处和所述主体部的末端；
[0026]所述变形部沿所述电极指的末端方向的末端距所述电极指末端的距离为0.1λ～0.5λ。
[0027]优选的，还包括假指；所述主体部的末端和所述假指的末端均设置有变形部和补偿部。
[0028]优选的，所述变形部与所述补偿部采用如下任意一种方式设置：
[0029]方式一：所述变形部与所述补偿部一体成型设置；
[0030]方式二：所述补偿部部分堆叠在所述变形部上；
[0031]方式三：所述补偿部部分堆叠在所述变形部下。
[0032]优选的，所述压电基板包括LT、LN、PZT、ZnO、AlN；
[0033]所述主体部为单层结构或多种复合层结构；所述主体部为单层结构时，采用如下任意一种材料：Mo、Ag、Au、Cu、Ti、Al、Ru、Pt；所述主体部为多层复合层结构，采用如下任意多种材料：Mo、Ag、Au、Cu、Ti、Al、Ru、Pt；
[0034]所述汇流条为单层结构或多种复合层结构；所述汇流条为单层结构时，采用如下任意一种材料：Mo、Ag、Au、Cu、Ti、Al、Ru、Pt；所述汇流条为多层复合层结构，采用如下任意多种材料：Mo、Ag、Au、Cu、Ti、Al、Ru、Pt。
[0035]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
[0036]1、本专利技术在叉指电极末端设置变形部和补偿部而精准调控声速，使得变形部与补偿部区域相对叉指电极区域具有更低的声速；
[0037]2、本专利技术能够抑制不期望的纹波或杂散波，激励活塞模，大大提升了声表面波谐振器的电学性能。
附图说明
[0038]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0039]图1为实施例一中的声表面波谐振器的结构图；
[0040]图2为图1沿a
‑
a线的剖面图；
[0041]图3为补偿部部分堆叠在变形部上时图1沿b
‑
b线的剖面图；
[0042]图4为补偿部部分设置在变形部下时图1沿b
‑
b线的剖面图；
[0043]图5为实施例一中的声表面波谐振器的尺寸图；
[0044]图6为实施例一中的声表面波谐振器的阻抗特性曲线；
[0045]图7为实施例二中的声表面波谐振器的结构图；
[0046]图8为实施例二中的声表面波谐振器的阻抗特性曲线；
[0047]图9为实施例三中的声表面波谐振器的结构图；
[0048]图10为突出显示实施例三中的变形部和补偿部的结构示意图；
[0049]图11为实施例三中的声表面波谐振器的阻抗特性曲线；
[0050]图12为实施例四中的声表面波谐振器的结构图；
[0051]图13为突出显示实施例四中的变形部和补偿部的结构示意图；
[0052]图14为实施例四中的声表面波谐振器的阻抗特性曲线；
[005本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：压电基板(1)和叉指电极，所述叉指电极设置在所述压电基板(1)上；所述叉指电极包括一体成型设置的电极指(2)和汇流条(3)，所述电极指(2)连接设置在所述汇流条(3)上；所述电极指(2)包括变形部(201)、主体部(203)以及多个补偿部(202)；所述主体部(203)的一端设置在所述汇流条(3)上，所述变形部(201)设置在所述主体部(203)的末端，多个所述补偿部(202)设置在所述变形部(201)上。2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极指(2)的末端方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；所述主体部(203)在所述第二方向上的尺寸长度为所述主体部(203)的宽度W2，相邻所述主体部(203)在所述第二方向上之间的间距为W1；所述电极指(2)的末端沿所述第一方向与所述汇流条(3)之间的间隙的长度G为0.1λ～1λ，λ为声表面波波长；所述变形部(201)沿所述第一方向的长度L1为0.2λ～1λ；单个所述补偿部(202)沿所述第一方向与所述变形部(201)重叠的长度Y1为0.1G～0.5G；单个所述补偿部(202)沿所述第一方向突出于所述变形部(201)表面侧壁的长度Y2为0.1L1～0.5L1；单个所述补偿部(202)沿所述第二方向与所述变形部(201)重叠的长度X2小于等于2W2；单个所述补偿部(202)沿所述第二方向突出于所述变形部(201)表面侧壁的长度X1小于等于0.9W1。3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述变形部(201)的金属化率为0.3～0.8。4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述变形部(201)为矩形体；所述主体部(203)的末端垂直设置在所述变形部(201)的一侧壁上，所述补偿部(202)设置在所述变形部(201)的端角位置处。5.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述变形部(201)为梯形体；所述主体部(203)的末端垂直设置在所述变形部(201)的一侧壁上，所述补偿部(202)设置在所述变形部(201)的底边端角位置处。6.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述变形...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘贤栋，高安明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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