【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器以及一种包括该低噪声放大器的射频模组。
技术介绍
1、射频(rf，radio frequency)，又称无线电频率、无线射频、高周波等，具体指300khz-300ghz范围内的频率，其技术与当代无线通信技术息息相关，在无线通信领域具有广泛的、不可替代的作用。
2、随着通信技术的发展，通信信号的传输速度越来越快，传输信号越来越稳定，对射频器件的要求也越来越高。以第五代(5g)移动通信为例，5g移动通信网络传输速度快，传输信号稳定，对单一产品射频元器件数目的需求出现了急剧增长，而分立器件构成的方案所需占用的面积超出了其接受的极限，调试的时间也更长，因此，具有更高的集成度和高性能，且占用面积较小，调试时间较短的射频模组成为移动通信市场的发展趋势。
3、具体的，射频模组分为femid(集成开关、滤波器和双工器)、pamid(集成多模式多频带pa和femid)、lpamid(pamid加上低噪声放大器)、difem(集成射频开关和滤波器)、lfem(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器...
【技术保护点】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一输入端和第一输出端，位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的有源支路以及位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的旁路支路；其中，所述旁路支路包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过导线电连接。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管和所述第二开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，以及将所述第二开关管的第一端的电位拉低
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【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一输入端和第一输出端，位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的有源支路以及位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的旁路支路；其中，所述旁路支路包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过导线电连接。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管和所述第二开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，以及将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
4.根据权利要求1所述低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过电路结构电连接，所述电路结构包括至少一个电性元件。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路和第二子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，所述第二子支路的一端与所述第二节点电连接，另一端接地，用于在所述第二开关管处于关断状态时，将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子支路包括第三开关管，所述第二子支路包括第四开关管。
7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子支路还包括与所述第三开关管串...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁子琪，高安明，郑磊，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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