【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器以及一种包括该低噪声放大器的射频模组。
技术介绍
1、射频(rf，radio frequency)，又称无线电频率、无线射频、高周波等，具体指300khz-300ghz范围内的频率，其技术与当代无线通信技术息息相关，在无线通信领域具有广泛的、不可替代的作用。
2、随着通信技术的发展，通信信号的传输速度越来越快，传输信号越来越稳定，对射频器件的要求也越来越高。以第五代(5g)移动通信为例，5g移动通信网络传输速度快，传输信号稳定，对单一产品射频元器件数目的需求出现了急剧增长，而分立器件构成的方案所需占用的面积超出了其接受的极限，调试的时间也更长，因此，具有更高的集成度和高性能，且占用面积较小，调试时间较短的射频模组成为移动通信市场的发展趋势。
3、具体的，射频模组分为femid(集成开关、滤波器和双工器)、pamid(集成多模式多频带pa和femid)、lpamid(pamid加上低噪声放大器)、difem(集成射频开关和滤波器)、lfem(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等。其中，低噪声放大器(low noise amplifier，低噪声放大器)作为射频模组中的重要器件，属于有源模块，对于接收机系统的性能十分关键，用于从天线中获取极其微弱的不确定信号并放大后输出，同时还要识别噪声，其主要参数包括噪声系数、增益、输入输出匹配、线性度、反向隔离度等。因此，低噪声放大器的设计制造水平是射频模组开发的基础。
4、但是，目前的工业设计中，多增益档lna的功率
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的射频模组，以减小低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的射频模组的功率损耗。
2、为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：
3、一种低噪声放大器，包括：第一输入端和第一输出端，位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的有源支路以及位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的旁路支路；其中，所述旁路支路包括：
4、第一组成支路，所述第一组成支路包括第一开关管、第二开关管、第一节点和第二节点，所述第一开关管的第一端与所述第一输入端电连接，第二端与所述第一节点电连接，所述第二开关管的第一端与所述第二节点电连接，第二端与所述第一输出端电连接，所述第一节点和所述第二节点电连接；
5、第二组成支路，所述第二组成支路包括至少一个子支路，所述子支路一端与所述第一节点或所述第二节点电连接，另一端接地，所述子支路包括至少一个开关管。
6、可选的，所述第一节点和所述第二节点通过导线电连接。
7、可选的，所述至少一个子支路包括第一子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管和所述第二开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，以及将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
8、可选的，所述第一节点和所述第二节点通过电路结构电连接，所述电路结构包括至少一个电性元件。
9、可选的，所述至少一个子支路包括第一子支路和第二子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，所述第二子支路的一端与所述第二节点电连接，另一端接地，用于在所述第二开关管处于关断状态时，将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
10、可选的，所述第一子支路包括第三开关管，所述第二子支路包括第四开关管。
11、可选的，所述第一子支路还包括与所述第三开关管串联的第五开关管；所述第二子支路还包括与所述第四开关管串联的第六开关管。
12、可选的，还包括第三组成支路，所述第三组成支路一端与第一位置电连接，另一端接地，所述第一位置为第一节点或第二节点。
13、可选的，所述第三组成支路包括：第三子支路，所述第三子支路一端与第一位置电连接，另一端接地，所述第一位置为第一节点或第二节点。
14、可选的，所述第三组成支路包括：第三子支路和第四支路，所述第三子支路一端与所述第一节点电连接，另一端接地，所述第四支路一端与所述第二节点电连接，另一端接地。
15、一种射频模组，包括上述任一项所述的低噪声放大器。
16、可选的，包括至少一个信号接收支路，所述信号接收支路包括上述任一项所述的低噪声放大器、耦合器和滤波器。
17、可选的，包括多个信号接收支路，所述射频模组还包括射频开关，所述多个信号接收支路中各信号接收支路通过所述射频开关与所述射频模组的天线接口相连。
18、可选的，还包括至少一个信号发射支路，所述信号发射支路包括级联的功率放大器、耦合器和滤波器，其中，所述信号发射支路中所述滤波器远离所述耦合器的一端与所述射频开关相连。
19、与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
20、本申请实施例所提供的低噪声放大器中，所述旁路支路包括第一组成支路，所述第一组成支路包括与第一输入端相连的第一开关管以及与第一输出端相连的第二开关管，从而在所述低噪声放大器中的有源支路处于工作状态时，可以控制所述第一开关管和所述第二开关管处于关断状态，从而使得所述旁路支路处于断开状态，减小所述旁路支路中的漏电流，进而减小旁路支路的存在对lna的输入信号造成的额外的功率损耗，优化lna工作在最高增益档时的增益。
21、而且，本申请实施例所提供的低噪声放大器中，所述旁路支路除包括第一组成支路外，还包括第二组成支路，所述第二组成支路包括至少一个子支路，所述子支路一端与所述第一节点或所述第二节点电连接，另一端接地，从而给所述第一开关管远离所述第一输入端的一端提供一个到地的零电位，使得所述第一开关管能够正常关闭，减小所述第一开关管中的漏电流的产生，同时给第一开关管的第一端提供一个低阻抗到地的通路，增加所述第一输入端与有源支路之间的隔离度，并给所述第二开关管远离所述第一输出端的一端提供一个到地的零电位，使得所述第二开关管能够正常关闭，减小所述第二开关管中漏电流的产生，同时给第二开关管的第一端提供一个低阻抗到地的通路，增加所述第一输出端和所述有源支路之间的隔离度，最终增加所述有源支路和所述旁路支路之间的隔离度，优化lna工作在最高增益档时的增益。
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1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一输入端和第一输出端，位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的有源支路以及位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的旁路支路；其中，所述旁路支路包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过导线电连接。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管和所述第二开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，以及将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
4.根据权利要求1所述低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过电路结构电连接，所述电路结构包括至少一个电性元件。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路和第二子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，所述第二子支路的一端与所述第二节点电连接
6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子支路包括第三开关管，所述第二子支路包括第四开关管。
7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子支路还包括与所述第三开关管串联的第五开关管；所述第二子支路还包括与所述第四开关管串联的第六开关管。
8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括第三组成支路，所述第三组成支路一端与第一位置电连接，另一端接地，所述第一位置为第一节点或第二节点。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三组成支路包括：第三子支路，所述第三子支路一端与第一位置电连接，另一端接地，所述第一位置为第一节点或第二节点。
10.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三组成支路包括：第三子支路和第四支路，所述第三子支路一端与所述第一节点电连接，另一端接地，所述第四支路一端与所述第二节点电连接，另一端接地。
11.一种射频模组，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的低噪声放大器。
12.根据权利要求11所述的射频模组，其特征在于，包括至少一个信号接收支路，所述信号接收支路包括权利要求1-10任一项所述的低噪声放大器、耦合器和滤波器。
13.根据权利要求12所述的射频模组，其特征在于，包括多个信号接收支路，所述射频模组还包括射频开关，所述多个信号接收支路中各信号接收支路通过所述射频开关与所述射频模组的天线接口相连。
14.根据权利要求13所述的射频模组，其特征在于，还包括至少一个信号发射支路，所述信号发射支路包括级联的功率放大器、耦合器和滤波器，其中，所述信号发射支路中所述滤波器远离所述耦合器的一端与所述射频开关相连。
...【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一输入端和第一输出端，位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的有源支路以及位于所述第一输入端和所述第一输出端之间的旁路支路；其中，所述旁路支路包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过导线电连接。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管和所述第二开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，以及将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
4.根据权利要求1所述低噪声放大器，其特征在于，所述第一节点和所述第二节点通过电路结构电连接，所述电路结构包括至少一个电性元件。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个子支路包括第一子支路和第二子支路，所述第一子支路的一端与所述第一节点电连接，另一端接地，用于在所述第一开关管处于关断状态时，将所述第一开关管的第二端的电位拉低，所述第二子支路的一端与所述第二节点电连接，另一端接地，用于在所述第二开关管处于关断状态时，将所述第二开关管的第一端的电位拉低。
6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子支路包括第三开关管，所述第二子支路包括第四开关管。
7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子支路还包括与所述第三开关管串...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁子琪，高安明，郑磊，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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