一种双向氮化镓驱动电路制造技术

本技术公开了一种双向氮化镓驱动电路，涉及电池管理技术领域。本技术实现双向GaN MOS与BMS芯片之间，保持逻辑的正常识别和建立，且该驱动电路带有基础的保护功能，在BMS芯片没有工作时，仍然能够锁定GaN MOS，使之不能够流过任何方向的电流，避免安全隐患；本技术方案的BMS系统中的Pack‑端口既能够容纳正高压即BAT电压，又能够容纳负高压，即使是在充电器反接时也不会损坏驱动电路，且驱动电路的反应速度为微秒级别，工作电流为微安级别，由此实现本行业内没有的GaN MOS驱动方案以及相关的BMS保护逻辑的实现与对接，解决了BMS行业内，无寄生二极管的双向GaN MOS应用难题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电池管理，特别是涉及一种双向氮化镓驱动电路，该电路是应用在bms芯片、双向gan mos之间，实现将bms芯片的保护逻辑正确的传递给双向ganmos，以及bms芯片不工作的情况下由该驱动电路全权负责保护逻辑。

技术介绍

1、在bms(battery managemennt system电池管理系统)行业中，现在使用的mos几乎都是硅mos进行电流的切断与导通；由于硅mos存在寄生二极管，所以必须同时存在充电mos、放电mos进行成对的使用，才能对bms系统进行充电、放电电流的切断与导通。

2、双向氮化镓开关gan mos是可以不存在寄生二极管的，由此可使用一颗双向氮化镓开关gan mos来替代传统硅mos的一组，充电mos+放电mos的功能。氮化镓宽禁带半导体具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优点；并且在最新的头部手机品牌中有使用到没有寄生二极管的gan mos做电源管理；由此，本申请人意识到，可以将该材料大量应用到bms行业，与手机端的应用方式不同，bms产品的电压更高、电流更大且安全要求更高，对mos的开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双向氮化镓驱动电路，用于对BMS芯片进行保护逻辑的正常识别与建立，其特征在于：包括第一MOS管(QN1)、第二MOS管(QN2)、PNP三极管(Qp1)、双向氮化镓开关(QNS1)；

2.根据权利要求1所述的一种双向氮化镓驱动电路，其特征在于，所述第二MOS管(QN2)的漏极与PNP三极管(Qp1)之间连接有第五电阻(R2)、第六电阻(R9)，位于第五电阻(R2)、第六电阻(R9)之间接出第三二极管(D1)，所述第三二极管(D1)接5V电压。

3.根据权利要求1所述的一种双向氮化镓驱动电路，其特征在于，所述第三电阻(R5)与第四电阻(R11)的两端分别并联...

【技术特征摘要】

1.一种双向氮化镓驱动电路，用于对bms芯片进行保护逻辑的正常识别与建立，其特征在于：包括第一mos管(qn1)、第二mos管(qn2)、pnp三极管(qp1)、双向氮化镓开关(qns1)；

2.根据权利要求1所述的一种双向氮化镓驱动电路，其特征在于，所述第二mos管(qn2)的漏极与pnp三极管(qp1)之间连接有第五电阻(r2)、第六电阻(r9)，位于第五电阻(r2)、第六电阻(r9)之间接出第三二极管(d1)，所述第三二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：王业晴，赵子豪，
申请(专利权)人：上海中凯晋德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：