【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，更具体地说，涉及一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器。
技术介绍
1、saw(surface acoustic wave，声表面波)谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于各种各样的领域中，例如射频领域。其中声表面波是一种能量集中在表面附近的弹性波。
2、在目前的声表面波产品设计中，由于声表面波谐振器横向传播的声波导致的声表面波谐振器会出现横向谐振模，即出现在通带内及通带附近的杂波，该杂波会增大声表面波谐振器的损耗，使q值出现大幅度波动，降低声表面波谐振器的性能。
3、那么，如何抑制杂模干扰，提高q值，从而提升声表面波谐振器的性能，就是现今谐振器设计中的重中之重。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器，技术方案如下：
2、一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括：
3、压电衬底；>
4、位于所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指电极还包括：
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述假电极指条包括在所述第一方向上依次排布的第一额外活塞结构至第M额外活塞结构，M≥1，且M为正整数，所述第一额外活塞结构位于所述假电极指条远离该假电极指条对应连接的汇流条的一端；
4.根据权利要求1-3任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指电极还包括：
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述假电极指条包括在所述第一方向上依次排布的第一额外活塞结构至第m额外活塞结构，m≥1，且m为正整数，所述第一额外活塞结构位于所述假电极指条远离该假电极指条对应连接的汇流条的一端；
4.根据权利要求1-3任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，当n＞2时，在所述第一方向上相邻两个所述活塞结构之间的间距不同。
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述活塞结构在所述压电衬底上的正投影图形为多边形、圆形或椭圆形。
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，当n个所述活塞结构在所述压电衬底上的正投影图形相同时，至少两个所述活塞结构在所述压电衬底上的正投影面积不同。
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，路晓明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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