【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电源,涉及一种用于ldo的误差放大器自适应频率补偿模块。
技术介绍
1、在传统的ldo结构正常工作时,由于负载电流的在重载和轻载之间变化,导致主极点位置在输出级和误差放大器的输出端变化,直接会影响到环路带宽和相位裕度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种用于ldo的误差放大器自适应频率补偿模块,解决了提升ldo的负载瞬态响应特性的技术问题。
2、为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:
3、一种用于ldo的误差放大器自适应频率补偿模块,包括误差放大器、过冲欠冲还原单元、自适应频率补偿单元、输出单元和电压反馈单元,误差放大器连接过冲欠冲还原单元,过冲欠冲还原单元连接自适应频率补偿单元,自适应频率补偿单元连接输出单元,输出单元输出vout电压,输出单元还连接电压反馈单元,电压反馈单元输出反馈电压vfb,自适应频率补偿单元输出反馈电压vbn1,反馈电压vfb和反馈电压vbn1均连接到误差放大器,误差放大器还连接外部的基准电压vref;外部的电源
...【技术保护点】
1.一种用于LDO的误差放大器自适应频率补偿模块,其特征在于:包括误差放大器、过冲欠冲还原单元、自适应频率补偿单元、输出单元和电压反馈单元,误差放大器连接过冲欠冲还原单元,过冲欠冲还原单元连接自适应频率补偿单元,自适应频率补偿单元连接输出单元,输出单元输出VOUT电压,输出单元还连接电压反馈单元,电压反馈单元输出反馈电压VFB,自适应频率补偿单元输出反馈电压VBN1,反馈电压VFB和反馈电压VBN1均连接到误差放大器,误差放大器还连接外部的基准电压VREF;外部的电源VDD_3为误差放大器、过冲欠冲还原单元、自适应频率补偿单元、输出单元和电压反馈单元供电;
【技术特征摘要】
1.一种用于ldo的误差放大器自适应频率补偿模块,其特征在于:包括误差放大器、过冲欠冲还原单元、自适应频率补偿单元、输出单元和电压反馈单元,误差放大器连接过冲欠冲还原单元,过冲欠冲还原单元连接自适应频率补偿单元,自适应频率补偿单元连接输出单元,输出单元输出vout电压,输出单元还连接电压反馈单元,电压反馈单元输出反馈电压vfb,自适应频率补偿单元输出反馈电压vbn1,反馈电压vfb和反馈电压vbn1均连接到误差放大器,误差放大器还连接外部的基准电压vref;外部的电源vdd_3为误差放大器、过冲欠冲还原单元、自适应频率补偿单元、输出单元和电压反馈单元供电;
2.如权利要求1所述的一种用于ldo的误差放大器自适应频率补偿模块,其特征在于:所述误差放大器包括晶体管m40、晶体管m41、晶体管m42、晶体管m43、晶体管m44、晶体管m45、晶体管m38、晶体管m39、晶体管m48、晶体管m49、晶体管m46、晶体管m47、晶体管m50、晶体管m51、晶体管m52和晶体管m53,晶体管m40的s极连接电源vdd_3、d极连接晶体管m46的d、g极连接晶体管m41的g极,晶体管m41的g极与d极连接在一起、s极连接电源vdd_3,晶体管m41的d极还连接晶体管m38的d极,晶体管m42的s极连接电源vdd_3、d极连接晶体管m38的d极、g极连接晶体管m43的g极,晶体管m43的s极连接电源vdd_3、晶体管m43的d极连接晶体管m39的d极,晶体管m44的s极连接电源vdd_3、g极连接晶体管m45的g极、d极连接晶体管m39的d极,晶体管m44的g极和d极连接在一起,晶体管m45的s极连接电源vdd_3、d极连接m47的d极,晶体管m38的s极连接晶体管m48的d极、g极连接基准电压vref,晶体管m39的g极连接反馈电压vfb、s极连接晶体管m49的d极,晶体管m48的s极、晶体管m49的s极、晶体管m46的s极和晶体管m47的s极均连接地线,晶体管m46的g极和d极连接在一起,晶体管m47的d极连接晶体管m45的d极,晶体管m50的s极连接电源vdd_3、g极连接晶体管m43的g极、d极连接晶体管m52的d极,晶体管m50的g极和d极连接在一起,晶体管m51的s极连接电源vdd_3、g极连接晶体管m45的d极、d极连接晶体管m49的g极,晶体管m52的s极连接地线、g极连接晶体管m49...
【专利技术属性】
技术研发人员:王子轩,武建平,吴伟,周晓燕,
申请(专利权)人:苏州勤微智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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