一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备技术

本发明专利技术提供了一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备，涉及半导体封装领域，其中压电衬底包括有自压电层一侧进行刻蚀的第一通孔，及自基底一侧进行刻蚀的第二通孔，以通过两个方向刻蚀形成贯穿整个压电衬底的通孔，改善了现有沿同一方向刻蚀形成贯穿压电衬底的通孔时，由于对准困难而导致刻蚀损伤设定通孔区域之外的材料的问题，进而改善了封装过程中导致的滤波器损坏的问题，提高了滤波器的封装良率。滤波器晶圆级封装结构采用正装封装方式，将滤波器晶圆级封装结构与线路基板固定电连接时，使得滤波器的基底更靠近线路基板而提高了其热辐射效率，且降低了第一通孔和第二通孔处的连接电极的散热路径，提高了滤波器的散热效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装，更为具体地说，涉及一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备。

技术介绍

1、tf-saw(thin film-surface acoustic wave，薄膜声表面波)滤波器具有体积小、重量轻、损耗低和频率选择性好等优势，是无线通讯系统中的核心元器件，已广泛用于移动通信、导肮、卫星通信、雷达等无线通讯系统。目前，tf-saw滤波器封装方法主要有陶瓷管壳封装、芯片级封装(chip size package，csp)和晶圆级封装(wafer level package，wlp)，其中，wlp具有封装尺寸更小、因连接线路短而带来的传输速度快、连接密度更高、生产周期短以及工艺成本低等优势。但是，现有采用wlp工艺对tf-saw滤波器进行封装时，经常出现损坏tf-saw滤波器的问题而导致封装失败。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备，有效解决现有技术存在的技术问题，改善了封装过程中导致的滤波器损坏的问题，同时提高了滤波器的散热效果。

2、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述压电衬底还包括位于所述基底和所述压电层之间的介质层，所述第一通孔或所述第二通孔还贯穿所述介质层；

3.根据权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述介质层为温度补偿层。

4.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述滤波器晶圆级封装结构还包括：覆盖所述第一连接电极的第一保护层；

5.根据权利要求4所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述滤波器晶圆级封装结构还包括：至少覆盖所述第二连接电极的第二保护层...

【技术特征摘要】

1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述压电衬底还包括位于所述基底和所述压电层之间的介质层，所述第一通孔或所述第二通孔还贯穿所述介质层；

3.根据权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述介质层为温度补偿层。

4.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述滤波器晶圆级封装结构还包括：覆盖所述第一连接电极的第一保护层；

5.根据权利要求4所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述滤波器晶圆级封装结构还包括：至少覆盖所述第二连接电极的第二保护层，其中，所述第二保护层包括裸露所述第二连接电极的外接通孔，所述焊接电极在所述外接通孔处与所述第二连接电极相接触。

6.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述盖板与所述压电衬底之间包括支撑体，所述支撑体呈环绕所述空腔设置。

7.一种滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，在将所述压电层与所述基底叠加固定之前，还包括：

9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜伟，高安明，路晓明，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：