一种声表面波谐振器、滤波器和电子设备制造技术

本申请提供了一种声表面波谐振器、滤波器和电子设备，涉及滤波技术领域，该谐振器包括：衬底以及位于衬底上的叉指换能器，该叉指换能器包括多个电极指以及设置于电极指上至少两个活塞结构，包括第一活塞结构和第二活塞结构，第一活塞结构和第二活塞结构的宽度大于电极指的宽度，以通过电极指上的多个活塞结构抑制横向杂波。另外第一活塞结构和第二活塞结构中一者位于电极指末端，且第一活塞结构与第二活塞结构的占空比之差小于或等于0.4，从而可以通过调节位于电极指末端的活塞结构的占空比，实现活塞结构与该电极指之间的距离，以及相邻电极指之间的距离的调节，进而有助于实现器件制备过程中的光学临近修正。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及滤波，尤其涉及一种声表面波谐振器、声滤波器和电子设备。

技术介绍

1、saw(surface acoustic wave，声表面波)谐振器是一种广泛应用在射频领域的器件，集较低的插损和良好的抑制性能于一体，同时体积也较小，主要利用压电效应将电能和机械能互相转换，对信号传输实现选通特性。

2、然而，对于saw谐振器而言，其横向杂波(也称横向谐振模)是不可忽视的问题。为了有效解决上述问题，在saw谐振器中设置活塞结构几乎成为了一种不二选择。然而，虽然在saw谐振器中设置活塞结构可以抑制横向杂波，但是活塞结构对于横向杂波的抑制效果也受其在saw谐振器中的设置参数的影响，例如设置位置和尺寸等等。因此对于本领域技术人员而言，在saw谐振器中设置合适的活塞结构，以较好的抑制横向杂波成为了热点问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种声表面波谐振器、滤波器和电子设备，方案如下：

2、一种声表面波谐振器，包括：

3、衬底；

4、设置于所述衬底一侧表面的叉指换本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极指的占空比小于所述第一活塞结构占空比和所述第二活塞结构的占空比；

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一活塞结构位于所述电极指的末端，且所述第一活塞结构的占空比大于所述第二活塞结构的占空比。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器。其特征在于，所述叉指换能器还包括设置于所述电极指上的第三活塞结构，所述第一活塞结构、所述第二活塞结构和所述第三活塞结构在所述电极指的延伸方向上排布；

5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器...

【技术特征摘要】

1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极指的占空比小于所述第一活塞结构占空比和所述第二活塞结构的占空比；

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一活塞结构位于所述电极指的末端，且所述第一活塞结构的占空比大于所述第二活塞结构的占空比。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器。其特征在于，所述叉指换能器还包括设置于所述电极指上的第三活塞结构，所述第一活塞结构、所述第二活塞结构和所述第三活塞结构在所述电极指的延伸方向上排布；

5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器。其特征在于，所述活塞结构还包括第三活塞结构，所述第一活塞结构、所述第二活塞结构和所述第三活塞结构在所述电极指的延伸方向上排布；

6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述多个电极指包括第一电极指和第二电极指，所述第一电极指和所述第二电极指在第一方向上间隔设置，并且所述第一电极指的一端与第一汇流条相接，所述第二电极指的一端与第二汇流条相接；所述第一汇流条和所述第二汇流条相对设置，且沿第二方向排布，所述第一活塞结构和所述第二活塞结构设置于所述第一电极指和所述第二电极指的末端区域，并且所述第一电极指上还设置有分别与所述第二电极指上的第一活塞结构和第二活塞结构相...

【专利技术属性】
技术研发人员：路晓明，高安明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：