微型RGB-LED器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种微型RGB

【技术实现步骤摘要】
微型RGB
‑
LED器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种微型RGB
‑
LED器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的飞速发展和人们生活水平的提高，LED显示技术也在不断的发展，LED显示技被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域中。
[0003]伴随着LED显示技术的不断发展，小间距LED显示屏在未来的显示领域有着巨大的潜力，随着显示屏对像素密度的要求日益增加，即LED芯片尺寸以及单元间距越来越小，在封装端的困难会越来越大。在制造微型RGB
‑
LED器件时，往往需要在一张4寸外延片上制作一颗颗长宽为50
‑
400μm芯片，制程完成后即可将一外延片形成数十万数量级的芯片，之后进行研磨切割以及点测分选，最后对蓝、绿、红三个波段的芯片进行单独封装，每个Red、Green、Blue的芯片共同组成一个RGB芯片，以在显示屏作为一个像素点存在。
[0004]常规的微型RGB
‑
LED器件中，RGB芯片封装通过分别对红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片使用支架加锡膏的焊接技术，随着芯片尺寸的缩小，对红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片进行点锡膏焊接过程时，容易产生漏焊等现象，特别是单颗RGB芯片小于1000μm以下时，点锡膏焊接将变得越来越困难，导致工序过于复杂，使得产品的良率以及产率大幅度下降，工作效率较低，间接提高生产成本。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种微型RGB
‑
LED器件及其制造方法，以至少解决上述相关技术中的不足。
[0006]本专利技术提出一种微型RGB
‑
LED器件，由上至下依次包括封装层、第一绝缘层、金属电路层以及第二绝缘层，所述封装层内设有至少一组RGB芯片、且所述封装层包裹所述RGB芯片，所述RGB芯片的发光面远离所述第一绝缘层设置，所述金属电路层穿过所述第一绝缘层与所述RGB芯片的芯片键合脚相连接，所述金属电路层至少部分嵌入所述第二绝缘层。
[0007]进一步的，在所述第二绝缘层上设有四金属焊盘，每个所述金属焊盘均穿过所述第二绝缘层与所述金属电路层相连接。
[0008]进一步的，所述RGB芯片包括依次间隔设置的红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片，所述红光芯片、所述蓝光芯片以及所述绿光芯片的负极相互连通、且与任一个所述金属焊盘相连接，所述红光芯片、所述蓝光芯片以及所述绿光芯片的正极分别连接另外三个所述金属焊盘。
[0009]本专利技术还提出一种微型RGB
‑
LED器件的制造方法，用于制造上述的微型RGB
‑
LED器件，所述方法包括：
[0010]提供第一临时衬底，并在所述第一临时衬底上黏附至少一组RGB芯片，其中，所述RGB芯片的电极面朝向所述第一临时衬底设置；
[0011]对所述RGB芯片进行封装，以在所述RGB芯片上形成一层封装层，并分离所述第一
临时衬底；
[0012]提供第二临时衬底，将所述封装层黏附至所述第二临时衬底上，以使所述封装层的出光面朝向所述第二临时衬底；
[0013]在所述封装层上依次制备第一绝缘层、金属电路层、第二绝缘层以及金属焊盘；
[0014]去除所述第二临时衬底和所述第二黏附层，并切割得到微型RGB
‑
LED。
[0015]进一步的，在所述第一临时衬底上黏附至少一组RGB芯片的步骤包括：
[0016]通过第一制备工艺在所述第一临时衬底上制备第一黏附层；
[0017]将至少一组规则排列的RGB芯片黏附在所述第一黏附层上，所述RGB芯片的出光面露出所述第一黏附层。
[0018]进一步的，将所述封装层黏附至所述第二临时衬底上的步骤包括：
[0019]通过第一制备工艺在所述第二临时衬底上制备第二黏附层；
[0020]将所述封装层黏附在所述第二黏附层上，其中，所述封装层的出光面朝向所述第二临时衬底，所述封装层背离所述第二临时衬底的一侧为芯片电极面。
[0021]进一步的，在所述封装层上依次制备第一绝缘层、金属电路层、第二绝缘层以及金属焊盘的步骤包括：
[0022]通过第二制备工艺在所述封装层上制备第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行图形化处理，以露出芯片Bonding；
[0023]对所述第一绝缘层和所述芯片Bonding进行金属化处理，以制备出金属电路层；
[0024]通过第二制备工艺在所述金属电路层上制备第二绝缘层，并将所述第二绝缘层和所述金属电路层进行金属化处理，以制备出金属焊盘。
[0025]进一步的，所述第一临时衬底和所述第二临时衬底为金属衬底或高分子材料衬底，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为高分子材料层或无机非金属材料层。
[0026]进一步的，所述第一制备工艺包括旋涂、喷涂、模压以及贴膜中任意一种。
[0027]进一步的，所述第二制备工艺包括蒸镀、化学镀、旋涂、喷涂、模压以及贴膜中任意一种。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过将RGB芯片进行封装，进而简化micro显示电路板的电路设计，提升其分辨率；具体的，通过金属电路层实现金属焊盘与各芯片之间的电性连接，实现三基色芯片的并联，可大大缩小封装体积、简化封装工艺；图形化金属电路，能够低成本制备出尺寸更小的RGB芯片，进而降低微型RGB
‑
LED器件的制造成本；通过对RGB芯片进行整体封装，避免单独对尺寸较小的芯片进行点焊所产生的漏焊问题，提升生产效率以及产品良率。
附图说明
[0029]图1为本专利技术第一实施例中微型RGB
‑
LED器件的整体结构图；
[0030]图2为本专利技术第一实施例中红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片与金属焊盘的连接示意图；
[0031]图3为本专利技术第二实施例中微型RGB
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LED器件的制造方法的流程图；
[0032]图4为图3中步骤S101的详细流程图；
[0033]图5为本专利技术第二实施例中步骤S101所形成的结构图；
[0034]图6为本专利技术第二实施例中步骤S102所形成的结构图；
[0035]图7为本专利技术第二实施例中封装层与第一黏附层分离的结构示意图；
[0036]图8为图3中步骤S103的详细流程图；
[0037]图9为本专利技术第二实施例中步骤S103所形成的结构图；
[0038]图10为图3中步骤S104的详细流程图；
[0039]图11为本专利技术第二实施例中步骤S1041所形成的结构图；
[0040]图12为本专利技术第二实施例中步骤S1042所形成的结构图
[0041]图13为本专利技术第二实施例中步骤S1043所形成的结构图；
[0042]图14为本专利技术第二实施例中步骤S1043所形成的金属焊盘的结构图；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型RGB
‑
LED器件，其特征在于，由上至下依次包括封装层、第一绝缘层、金属电路层以及第二绝缘层，所述封装层内设有至少一组RGB芯片、且所述封装层包裹所述RGB芯片，所述RGB芯片的发光面远离所述第一绝缘层设置，所述金属电路层穿过所述第一绝缘层与所述RGB芯片的芯片键合脚相连接，所述金属电路层至少部分嵌入所述第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的微型RGB
‑
LED器件，其特征在于，在所述第二绝缘层上设有四金属焊盘，每个所述金属焊盘均穿过所述第二绝缘层与所述金属电路层相连接。3.根据权利要求2所述的微型RGB
‑
LED器件，其特征在于，所述RGB芯片包括依次间隔设置的红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片，所述红光芯片、所述蓝光芯片以及所述绿光芯片的负极相互连通、且与任一个所述金属焊盘相连接，所述红光芯片、所述蓝光芯片以及所述绿光芯片的正极分别连接另外三个所述金属焊盘。4.一种微型RGB
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LED器件的制造方法，用于制造如权利要求1至3任一项所述的微型RGB
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LED器件，其特征在于，所述方法包括：提供第一临时衬底，并在所述第一临时衬底上黏附至少一组RGB芯片，其中，所述RGB芯片的电极面朝向所述第一临时衬底设置；对所述RGB芯片进行封装，以在所述RGB芯片上形成一层封装层，并分离所述第一临时衬底；提供第二临时衬底，将所述封装层黏附至所述第二临时衬底上，以使所述封装层的出光面朝向所述第二临时衬底；在所述封装层上依次制备第一绝缘层、金属电路层、第二绝缘层以及金属焊盘；去除所述第二临时衬底和所述第二黏附层，并切割得到微型RGB
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LED。5.根据权利要求4所述的微型RGB
‑
LED器件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪恒青，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：