低电阻率触点和互连部制造技术

利用导电材料填充特征的方法涉及在对介电表面几乎没有或没有损坏的情况下清洁金属表面，该特征包括金属和介电表面。在清洁之后，特征可暴露于一种或更多反应物，以在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)工艺期间利用导电材料填充特征。沉积对金属表面可为选择性的或非选择性的。在一些实施方案中，经填充的特征是无阻挡物的，使得导电材料在没有中间阻挡层或粘附层的情况下直接接触金属和介电表面。层或粘附层的情况下直接接触金属和介电表面。层或粘附层的情况下直接接触金属和介电表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低电阻率触点和互连部
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0003]金属沉积是许多半导体制造处理的组成部分。这些材料可用于水平互连件、相邻金属层之间的通孔以及金属层和设备之间的触点。然而，随着产业中使用缩小的设备和更复杂的图案化方案，低电阻率金属膜的沉积便成为一个挑战。

技术实现思路

[0004]本公开内容的一方面涉及一种方法，其包含：在衬底上提供特征，所述特征包含金属表面和介电表面，所述金属表面具有形成于其上的金属氧化物层；以及将所述特征暴露于金属卤化物，以从所述金属表面移除所述金属氧化物层。
[0005]在一些实施方案中，所述方法还包含利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包含：在衬底上提供特征，所述特征包含金属表面和介电表面，所述金属表面具有形成于其上的金属氧化物层；以及将所述特征暴露于金属卤化物，以从所述金属表面移除所述金属氧化物层。2.根据权利要求1所述的方法，其还包含利用导电材料填充所述特征。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电材料在没有中间层的情况下直接接触所述金属表面和所述介电表面。4.根据权利要求2所述的方法，其中利用所述导电材料填充所述特征包含在沉积主体导电材料之前，沉积所述导电材料的成核层。5.根据权利要求2所述的方法，其中利用所述导电材料填充所述特征包含在不沉积成核层的情况下沉积主体导电材料。6.根据权利要求1所述的方法，其中填充所述特征包含原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺，以沉积主体导电材料，所述原子层沉积工艺或所述化学气相沉积工艺包含等离子体增强工艺或热工艺。7.根据权利要求6所述的方法，其中相对于所述介电表面，所述主体导电材料的沉积选择性地针对所述金属表面。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述主体导电材料的沉积对所述金属表面和所述介电表面是非选择性的。9.根据权利要求2所述的方法，其中将所述特征暴露于所述金属卤化物以及利用所述导电材料填充所述特征是在同一室中执行。10.根据权利要求2所述的方法，其中将所述特征暴露于所述金属卤化物以及利用所述导电材料填充所述特征是在同一室的不同站中执行。11.根据权利要求2所述的方法，其中将所述特征暴露于所述金属卤化物以及利用所述导电材料填充所述特征是在不同室中执行。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料选自：钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉伊汉，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：