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利用导电材料填充特征的方法涉及在对介电表面几乎没有或没有损坏的情况下清洁金属表面，该特征包括金属和介电表面。在清洁之后，特征可暴露于一种或更多反应物，以在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)工艺期间利用导电材料填充特征。沉积对金属表...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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