具有来自铜金属互连层级的芯片至封装互连件的IC器件制造技术

一种集成电路器件(100)和方法包括具有金属互连层级(M1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有来自铜金属互连层级的芯片至封装互连件的IC器件


[0001]本专利技术总体上涉及集成电路器件的领域，并且更具体地涉及具有铜互连层级的集成电路器件。

技术介绍

[0002]集成电路形成在半导体晶圆(例如硅)的芯片或管芯上。每个集成电路芯片通常包括多个铝互连层级，以将集成电路的元件彼此互连并且提供在芯片外部的连接件。然后，使用若干不同的封装技术来组装封装该芯片。为了封装该芯片，形成根据所用的封装技术而变化的芯片至封装互连件。芯片至封装互连件可以包括键合线、焊料凸块、铜立柱等。芯片至封装互连件将芯片的顶部或最后金属互连层级连接到例如同一封装件内的另一IC芯片或器件或连接到外部引脚(例如通过引线框架)。

技术实现思路

[0003]一种集成电路器件和方法包括具有金属互连层级(M1
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Mn)和芯片至封装互连件的IC芯片，该金属互连层级(M1
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Mn)包括最后铜互连层级Mn，该芯片至封装互连件上覆于并连接到最后铜互连层级Mn。芯片至封装互连件具有连接到最后铜互连层级Mn的第一元件的通孔以及铜导电结构(例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路器件，其包括：芯片，其具有包括最后铜互连层级的金属互连层级；以及芯片至封装互连件，其上覆于并连接到所述最后铜互连层级，所述芯片至封装互连件具有：通孔，其连接到所述最后铜互连层级的第一元件，所述通孔具有阻挡材料和钨填充层；和铜导电结构，所述通孔耦合在所述铜导电结构与所述第一元件之间。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述铜导电结构是凸块下金属结构，并且所述芯片至封装互连件还包括在所述凸块下金属结构上的焊料凸块。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述铜导电结构是铜立柱。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述铜导电结构是带有上覆Ni/Pd层的铜结构。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述铜导电结构包括：铜结构，其在所述第一元件以及邻近所述第一元件的一部分所述芯片上方延伸；以及铜桩，其上覆于并连接到所述铜结构，所述铜桩偏离所述第一元件。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述铜导电结构包括在所述第一元件以及邻近所述第一元件的一部分所述芯片上方延伸的铜结构，并且所述芯片至封装互连件进一步包括：凸块下金属结构，其偏离所述单个第一元件；和在所述凸块下金属结构上方的焊料凸块。7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述通孔延伸穿过钝化层。8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述钝化层包括在氧化物层上方的氮化硅层。9.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述钝化层包括在氧化物层上方的氧氮化硅层。10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述通孔包括连接在所述第一元件与所述铜导电结构之间的一个或多个通孔。11.一种制造集成电路器件的方法，其包括：使用镶嵌铜工艺形成集成电路芯片的最后金属互连层级；在所述最后金属互连层级上方沉积钝化层；通过以下操作形成芯片至封装互连件：在所述钝化层中形成第一开口和第二开口，所述第二开口比所述第一开口更宽；将阻挡层沉积到所述钝化层上方以及所述第一开口和所述第二开口内；将钨沉积到所述阻挡层上方，所述钨填满所述第一开口并且衬垫而不填满所述第二开口；通过化学机械抛光从所述钝化层上方去除所述钨和所述阻挡层，将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：