一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法技术

本申请提供一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有多个栅极结构；在衬底上形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构及衬底，第一层间介质层中形成有金属互连结构；在第一层间介质层上形成多个顶层金属层，顶层金属层与第一层间介质层中的金属互连结构电连接；在第一层间介质层上形成第二层间介质层，第二层间介质层完全覆盖顶层金属层的顶面和侧壁；实施低温合金工艺，使第一层间介质层中的磷加速向外部环境逸出；在第二层间介质层上形成一钝化层。通过在形成钝化层之前实施低温合金工艺，使第一层间介质层中的磷加速向外部环境逸出，可以明显改善多晶硅高阻的稳定性。善多晶硅高阻的稳定性。善多晶硅高阻的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法。

技术介绍

[0002]在现有的半导体大线宽金属铝工艺制程中，在衬底上形成层间介质层时，通常采用沉积硼磷正硅酸乙酯(BPTEOS)+回流的工艺来填充多晶硅栅极之间的间隙，但是硼/磷的引入会影响多晶硅栅极中的掺杂元素，导致多晶硅栅极高阻不稳定，特别是低剂量磷注入的高阻值N型多晶硅栅极的高阻，受上述工艺影响，常低于目标值且均一性差。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法，用于解决现有技术中大线宽金属铝工艺制程在衬底上形成层间介质层时出现多晶硅栅极高阻不稳定现象的问题。
[0004]为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法，包括：
[0005]提供一衬底，衬底上形成有多个栅极结构；
[0006]在衬底上形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构及衬底，第一层间介质层中形成有金属互连结构；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多个栅极结构；在所述衬底上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述栅极结构及所述衬底，所述第一层间介质层中形成有金属互连结构；在所述第一层间介质层上形成多个顶层金属层，所述顶层金属层与所述第一层间介质层中的金属互连结构电连接；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，所述第二层间介质层完全覆盖所述顶层金属层的顶面和侧壁；实施低温合金工艺，使所述第一层间介质层中的磷加速向外部环境逸出；在所述第二层间介质层上形成一钝化层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层间介质层由自下而上层叠的硼磷正硅酸乙酯层和等离子体增强正硅酸乙酯层构成。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用沉积+回流的工艺形成所述硼磷正硅酸乙酯层。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱天奕，张磊，王晓日，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：