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本申请提供一种提升多晶硅栅极高阻稳定性的方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有多个栅极结构；在衬底上形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构及衬底，第一层间介质层中形成有金属互连结构；在第一层间介质层上形成多个顶层金属层，顶层金属层与第...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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