一种半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源面和与所述有源面相对的背面；在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层；将所述衬底固定至第一临时载体，使所述蚀刻停止层位于所述衬底和所述第一临时载体之间；刻蚀所述衬底至所述蚀刻停止层，形成贯穿所述衬底的通孔结构。形成贯穿所述衬底的通孔结构。形成贯穿所述衬底的通孔结构。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术可以在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间实现垂直互连。目前，业界常采用通孔背面显露技术(BVR，Backside Via Reveal)来形成硅通孔。
[0003]然而，传统的通孔背面显露技术存在工艺复杂、步骤多、且制作的硅通孔深浅不一等缺点，会降低硅通孔的成品率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体结构的形成方法。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]本专利技术实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：
[0007]提供衬底，所述衬底包括有源面和与所述有源面相对的背面；
[0008]在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层；
[0009]将所述衬底固定至第一临时载体，使所述蚀刻停止层位于所述衬底和所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源面和与所述有源面相对的背面；在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层；将所述衬底固定至第一临时载体，使所述蚀刻停止层位于所述衬底和所述第一临时载体之间；刻蚀所述衬底至所述蚀刻停止层，形成至少一个贯穿所述衬底的通孔结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述蚀刻停止层包括第一子层和第二子层；在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层，包括：在所述衬底的所述背面形成所述第一子层；在所述第一子层上形成所述第二子层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅，所述第二子层的材料包括氧化硅；或，所述第一子层的材料包括氧化硅，所述第二子层的材料包括氮化硅。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：提供晶圆，减薄所述晶圆以得到所述衬底。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述通孔结构内形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述通孔结构的侧壁；所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中至少一种。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述通孔结构内形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述绝缘层；所述阻挡层包括钽或钛中的至少一种。7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：