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本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源面和与所述有源面相对的背面；在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层；将所述衬底固定至第一临时载体，使所述蚀刻停止层位于所述衬底和所述第一临时载体之间；刻蚀所述衬底至所述...
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