一种提高无源晶振起振成功率的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高无源晶振起振成功率的方法，所述方法包括：使能晶振起振；在晶振口引入扰动激励；所述扰动激励与驱动激励配合驱动所述晶振；判断所述晶振预热是否结束，若结束，则起振过程结束；若未结束，则继续判断所述晶振预热时间是否结束。述晶振预热时间是否结束。述晶振预热时间是否结束。

【技术实现步骤摘要】
一种提高无源晶振起振成功率的方法


[0001]本专利技术涉及晶振起振方案，尤其涉及无源晶振的起振方法。

技术介绍

[0002]目前的晶振电路主要采用的是皮尔斯振荡器电路模型，应用的时候只需要给晶振配置合适的外围电路，即两个外部负载电容C1、C2，晶振就可以正常工作了。但是由于晶振起振是一个匹配问题，由于晶振的参差不齐，或者PCB差异或者产品使用环境的差异等，往往有一部分晶振不能正常起振。
[0003]因此，为了提高晶振起振的概率，减小产品晶振起振不良率，极需一种提高无源晶振起振成功率的方法。

技术实现思路

[0004]为了提高晶振起振的概率，减小产品晶振起振不良率，本专利技术提供了一种提高无源晶振起振成功率的方法。
[0005]所述方法包括但不限于以下步骤：
[0006]使能晶振起振；
[0007]在晶振口引入扰动激励；
[0008]所述扰动激励与驱动激励配合驱动所述晶振；
[0009]判断所述晶振预热是否结束，若结束，则起振过程结束；若未结束，则继续判断所述晶振预热时间是否结束。
[0010]在一个实施例中，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励的开始时间先于所述驱动激励的开始时间。
[0011]在一个实施例中，所述扰动激励采用正弦信号。
[0012]在一个实施例中，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励的开始时间晚于所述驱动激励的开始时间。
[0013]在一个实施例中，所述扰动激励由两个信号组成。
[0014]在一个实施例中，所述扰动激励为正弦信号和脉冲信号的组合。
[0015]在一个实施例中，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励与所述驱动激励同时开始。
[0016]在一个实施例中，所述扰动激励采用方波信号。
[0017]本专利技术提出的无源晶振起振方法，提出在晶振输入口增加扰动激励，该扰动类似于噪声，有助于晶振起振。该扰动激励开始的时间可以在驱动激励之前，或者和驱动激励同时开始，或者在驱动激励开始之后。该方法能大大提高晶振起振的概率，减小产品晶振起振不良率。
附图说明
[0018]本专利技术的以上
技术实现思路
以及下面的具体实施方式在结合附图阅读时会得到更好的理解。需要说明的是，附图仅作为所请求保护的专利技术的示例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的元素。
[0019]图1示出根据本专利技术一实施例的提高无源晶振起振成功率的方法流程图；
[0020]图2示出根据本专利技术一实施例的提高无源晶振起振成功率的方法流程图；以及
[0021]图3示出根据本专利技术一实施例的提高无源晶振起振成功率的方法流程图。
具体实施方式
[0022]以下在具体实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的说明书、权利要求及附图，本领域技术人员可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。
[0023]传统的无源晶振起振系统都是单一给出驱动激励，没有在晶振输入口增加任何扰动激励，这种方法过于单一。由于晶振或者PCB或者产品的使用环境的差异等，通常会有部分产品表现出晶振起振异常。为了提高晶振起振的概率，减小产品晶振起振不良率，极需一种提高无源晶振起振成功率的方法。
[0024]本专利技术提出的无源晶振起振方法，提出在晶振输入口增加扰动激励，该扰动类似于噪声，有助于晶振起振。该扰动激励开始的时间可以在驱动激励之前，或者和驱动激励同时开始，或者在驱动激励开始之后。
[0025]本专利技术的无源晶振起振方法方法包括但不限于以下步骤：
[0026]使能晶振起振；
[0027]在晶振口引入扰动激励；
[0028]所述扰动激励与驱动激励配合驱动所述晶振；
[0029]判断所述晶振预热是否结束，若结束，则起振过程结束；若未结束，则继续判断所述晶振预热时间是否结束。
[0030]在一个实施例中，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励的开始时间先于所述驱动激励的开始时间。
[0031]在一个实施例中，所述扰动激励采用正弦信号。
[0032]在一个实施例中，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励的开始时间晚于所述驱动激励的开始时间。
[0033]在一个实施例中，所述扰动激励由两个信号组成。
[0034]在一个实施例中，所述扰动激励为正弦信号和脉冲信号的组合。
[0035]在一个实施例中，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励与所述驱动激励同时开始。
[0036]在一个实施例中，所述扰动激励采用方波信号。
[0037]本专利技术提出的无源晶振起振方法，提出在晶振输入口增加扰动激励，该扰动类似于噪声，有助于晶振起振。该扰动激励开始的时间可以在驱动激励之前，或者和驱动激励同时开始，或者在驱动激励开始之后。
[0038]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书
所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。虽然本专利技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此专利技术的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作专利技术介绍的目的是为了覆盖基于本专利技术的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本专利技术的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本专利技术也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本专利技术的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
[0039]以下以三个实施例的方式具体说明扰动激励与驱动激励配合驱动晶振的方式。
[0040]图1示出根据本专利技术一实施例的提高无源晶振起振成功率的方法流程图。在该实施例中，晶振口引入扰动激励，扰动激励开始的时间优先于驱动激励的开始时间。
[0041]该方法包括但不限于以下步骤：
[0042]步骤101：使能晶振起振；
[0043]步骤102：在晶振口引入扰动激励；
[0044]步骤103：在引入扰动激励后，驱动激励开始；
[0045]步骤104：判断晶振预热是否结束，若结束，则起振过程结束；若未结束，则继续判断晶振预热时间是否结束。
[0046]在一个实施例中，该扰动激励可以为正弦信号。
[0047]图2示出根据本专利技术一实施例的提高无源晶振起振成功率的方法流程图。在该实施例中，晶振口引入扰动激励，扰动激励的开始时间在驱动激励的开始时间之后。
[0048]该方法包括但不限于以下步骤：
[0049]步骤201：使能晶振起振；
[0050]步骤202：驱动激励开始；
[0051]步骤203：驱动激励开始后，在晶振口引入扰动激励。在一个实施例中，该扰动激励可以由第一扰动激励信号和第二扰动激励信号组成；
[0052]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高无源晶振起振成功率的方法，其特征在于，所述方法包括：使能晶振起振；在晶振口引入扰动激励；所述扰动激励与驱动激励配合驱动所述晶振；判断所述晶振预热是否结束，若结束，则起振过程结束；若未结束，则继续判断所述晶振预热时间是否结束。2.如权利要求1所述的提高无源晶振起振成功率的方法，其特征在于，所述扰动激励与所述驱动激励配合驱动所述晶振的步骤包括：所述扰动激励的开始时间先于所述驱动激励的开始时间。3.如权利要求2所述的提高无源晶振起振成功率的方法，其特征在于，所述扰动激励采用正弦信号。4.如权利要求1所述的提高无源晶振起振成功率的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁晓明，许成珅，
申请(专利权)人：西安中颖电子有限公司，
类型：发明
国别省市：