光掩膜版及其制作方法技术

一种光掩膜版及其形成方法，其中所述形成方法包括，提供透明基板后，刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；在所述环形沟槽中填充满不透光材料，形成环形深沟槽结构；在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形。通过在遮蔽图形底部的透明基板中形成深沟槽结构，所述深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动或扩散，即所述深沟槽结构能将曝光光线约束在相邻遮蔽图形之间的透光区域内，使得曝光光线不会因为遮蔽图形边缘的散射和/或折射现象，到达或扩散到遮蔽图形底部的不透光区域内。达或扩散到遮蔽图形底部的不透光区域内。达或扩散到遮蔽图形底部的不透光区域内。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版及其制作方法


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能防止静电产生的光掩膜版及其制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]但是随着微影技术的极限被推向了制造采用深亚微米节点技术的器件，光掩膜技术面临着极大的挑战。光掩膜版的品质与性能必须能在更高端的复杂技术环境中维持下去，包括图形尺寸精度：绝对精度、CD均匀性、CD线形等。然而在进行光刻的过程中，光掩膜版中不透光的遮蔽图形的四周边缘，会发生光的散射，折射等现象，光量子散开，向定义的不透光区域移动或扩散，影响了光刻胶层中形成的光刻图形的精度。

技术实现思路

[0005]本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
[0006]提供透明基板；
[0007]刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；
[0008]在所述环形沟槽中填充满不透光材料，形成环形深沟槽结构；
[0009]在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形。
[0010]在一些实施例中，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成，或者所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成。
[0011]在一些实施例中，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板表面的不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构；在所述透明基板表面上和环形深沟槽
结构表面上形成遮蔽图形薄膜；在所述遮蔽图形薄膜表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上的遮蔽图形薄膜的表面，暴露出其他区域的遮蔽图形薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述遮蔽图形薄膜，在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形；去除所述图形化的第二掩膜层。
[0012]在一些实施例中，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构的材料相同或不相同。
[0013]在一些实施例中，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺平坦化所述不透光材料薄膜的表面；在所述平坦化后的所述不透光材料薄膜的表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形沟槽中间的透明基板表面上以及环形沟槽上的不透光材料薄膜的表面，暴露出其他区域的不透光材料薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构，在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形；去除所述图形化的第二掩膜层。
[0014]在一些实施例中，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构的材料相同。
[0015]在一些实施例中，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
[0016]在一些实施例中，所述环形沟槽的深度为500nm
‑
2.5um，宽度为10nm
‑
300nm。
[0017]在一些实施例中，所述遮蔽图形的侧面与所述环形深沟槽结构的侧面在竖直方向上齐平。
[0018]在一些实施例中，所述深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动或扩散。
[0019]在一些实施例中，还包括：在所述透明基板边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架；在所述环形框架的顶部表面形成封闭所述环形框架内空间的保护膜。
[0020]本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
[0021]透明基板；
[0022]位于所述透明基板中的若干分立的环形沟槽；
[0023]填充满所述环形沟槽的环形深沟槽结构；
[0024]位于所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上的遮蔽图形。
[0025]在一些实施例中，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构的材料相同或不相同。
[0026]在一些实施例中，所述遮蔽图形或所述环形深沟槽结构的材料为铬、镍、铝、钌、
钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
[0027]在一些实施例中，所述环形沟槽的深度为500nm
‑
2.5um，宽度为10nm
‑
300nm。
[0028]在一些实施例中，所述遮蔽图形的侧面与所述环形深沟槽结构的侧面在竖直方向上齐平。
[0029]在一些实施例中，所述深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动或扩散。
[0030]在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板边缘区域表面上的环绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面的封闭所述环形框架内空间的保护膜。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板；刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；在所述环形沟槽中填充满不透光材料，形成环形深沟槽结构；在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成，或者所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成。3.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板表面的不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构；在所述透明基板表面上和环形深沟槽结构表面上形成遮蔽图形薄膜；在所述遮蔽图形薄膜表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上的遮蔽图形薄膜的表面，暴露出其他区域的遮蔽图形薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述遮蔽图形薄膜，在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形；去除所述图形化的第二掩膜层。4.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构的材料相同或不相同。5.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺平坦化所述不透光材料薄膜的表面；在所述平坦化后的所述不透光材料薄膜的表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形沟槽中间的透明基板表面上以及环形沟槽上的不透光材料薄膜的表面，暴露出其他区域的不透光材料薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构，在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形；去除所述图形化的第二掩膜层。6.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：