光掩膜版制造技术

一种光掩膜版，包括：透明基板，所述透明基板包括呈一体结构的第一部分和第二部分，所述第二部分呈环状，且所述第二部分的上表面凸出于所述第一部分的上表面；固定在所述第二部分中和/或表面的第一磁性结构；保护膜，放置于所述第二部分的上表面上，且横跨所述第一部分上方，用于密封所述第二部分之间的空间；第二磁性结构，所述第二磁性结构呈环状，所述第二磁性结构设置于保护膜的部分上表面上，所述第二磁性结构与所述第一磁性结构通过磁力吸附将所述保护膜固定。本申请中所述第一磁性结构与所述第二磁性结构与通过磁力吸附将所述保护膜固定，从而实现有效的安全的为光掩膜版安装保护膜。保护膜。保护膜。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种光掩膜版。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架上表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]现有的环形框架一般是通过有机粘合剂粘合在所述透明基板的表面上，这种方式存在以下缺点：(1)有机粘合剂(或胶)被曝光的条件下，会发生脆化，产生颗粒(Particle)，进入保护膜内侧或附着在遮蔽图形上，直接影响制造半导体器件的质量；(2)由于生产环境中的挥发性化合物等物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版，其特征在于，包括：透明基板，所述透明基板包括呈一体结构的第一部分和第二部分，所述第二部分呈环状，且所述第二部分的上表面凸出于所述第一部分的上表面；固定在所述第二部分中和/或表面的第一磁性结构；保护膜，放置于所述第二部分的上表面上，且横跨所述第一部分上方，用于密封所述第二部分之间的空间；第二磁性结构，所述第二磁性结构呈环状，所述第二磁性结构设置于保护膜的部分上表面上，所述第二磁性结构与所述第一磁性结构通过磁力吸附将所述保护膜固定。2.如权利要求1所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一磁性结构的材料与所述第二磁性结构的材料相同或不同。3.如权利要求2所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一磁性结构的材料为钕铁硼磁铁、铁氧体磁铁、铝镍钴磁铁、铁铬钴磁铁、塑料磁铁或磁化金属。4.如权利要求3所述的光掩膜版，其特征在于，所述磁化金属为镍金属、钴金属、钴镍合金或铝镍钴合金。5.如权利要求2所述的光掩膜版，其特征在于，所述第二磁性结构的材料为钕铁硼磁铁、铁氧体磁铁、铝镍钴磁铁、铁铬钴磁铁或塑料磁铁。6.如权利要求1所述的光掩膜版，其特征在于，所述固定在所述第二部分中和/或表面的第一磁性结构包括：所述第一磁性结构全部或至少部分嵌入所述第二部分中，或者所述第一磁性结构卡套在所述第二部分的上表面和内侧壁和外侧壁的表面，或者所述第一磁性结构吸附于所述第二部分的上表面、内侧壁和外侧壁的表面。7.如权利要求6所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一磁性结构至少部分嵌入所述第二部分中包括：所述第一磁性结构的一部分嵌入所述第二部分中，另一部分位于所述第二部分的上表面、内侧壁和外侧壁的表面。8.如权利要求1所述的光掩膜版，其特征在于，还包括：贯穿所述第二部分的部分上表面和部分内侧壁表面的环形缺口，所述环形缺口的深度大于或等于所述保护膜的厚度，所述保护膜放置于所述环形缺口中。9.如权利要求8所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一磁性结构全部或至少有部分位于环形缺口底部的第二部分中和/或表面。10.如权利要求9所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一磁性结构至少有部分位于环形缺口底部的第二部分中和/或表面包括：所述第一磁性结构包括连接的第一子磁性部分和第二子磁性部分，所述第一子磁性部分位于环形缺口底部的第二部分中和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：