防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种防护膜组件(10)，其包含防护膜(12)和支撑防护膜的支撑框(14)，防护膜(12)包含碳含有率为40质量％以上的碳系膜，防护膜与支撑框接触，满足下述条件1和条件2中的至少一者。〔条件1〕支撑框的与防护膜接触的面的粗糙度Ra为1.0μm以下。〔条件2〕支撑框的位于与防护膜接触的一面侧且位于防护膜组件的内部侧的边缘部中的凹凸的宽度为10μm以下。内部侧的边缘部中的凹凸的宽度为10μm以下。内部侧的边缘部中的凹凸的宽度为10μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法和半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法和半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在电子部件、印刷基板、显示器面板等物体的表面涂布感光性的物质，并曝光成图案状来形成图案的技术(光刻法)中，使用被称为光掩模的在单面形成有图案的透明基板。
[0003]近年来，随着曝光图案的高精细化的发展，作为曝光的光源，更多利用更短波长的EUV(Extreme UltraViolet：极紫外)光来代替DUV(Deep UltraViolet：远紫外)光。使用EUV光的曝光方法中，有时使用具备对曝光光进行反射的反射层的光掩模。
[0004]例如，专利文献1公开了一种光刻法用，其特征在于，防护膜组件框内侧面的表面粗糙度处于Ra0.3～0.9μm、Rt4.0～8.5μm、RMS0.3～1.1μm的范围，框内侧面涂布有粘着性树脂。
[0005]例如，专利文献2公开了一种液晶用大型防护膜组件，其是防护膜组件面积为1000cm2以上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防护膜组件，其包含防护膜和支撑所述防护膜的支撑框，所述防护膜包含选自由碳含有率为40质量％以上的碳系膜、多晶硅以及碳化硅所组成的组中的至少1种，所述防护膜与所述支撑框接触，满足下述条件1和条件2中的至少一者，〔条件1〕所述支撑框的与所述防护膜接触的面的粗糙度Ra为1.0μm以下，〔条件2〕所述支撑框的位于与所述防护膜接触的一面侧且位于防护膜组件的内部侧的边缘部中的凹凸的宽度为10μm以下。2.根据权利要求1所述的防护膜组件，所述防护膜包含所述碳含有率为40质量％以上的碳系膜。3.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述碳系膜为包含碳纳米管的膜。4.根据权利要求1～3中任一项所述的防护膜组件，其满足所述条件1和所述条件2这两者。5.根据权利要求1～4中任一项所述的防护膜组件，所述支撑框具备支撑所述防护膜的第一支撑框和与所述第一支撑框连接的第二支撑框。6.一种曝光原版，其包含：具有图案的原版、和安装于所述原版的具有图案的一侧的面上的权利要求1～5中任一项所述的防护膜组件。7.一种曝光装置，其具有权利要求6所述的曝光原...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野阳介，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：