防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种防护薄膜框架(1)，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面(13)及面向光掩模的下端面(14)的框状的防护薄膜框架(1)，其中，所述防护薄膜框架(1)为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面(13)或下端面(14)的切口部(20)，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，内侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上，且提供一种防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。本发明专利技术可提供一种防护薄膜框架，其在真空下进行EUV曝光时，耐受自大气压到真空的压力变化而不会产生防护薄膜膜片的破损，框架的加工性良好且在剥离防护薄膜时框架不会破损。会破损。会破损。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种作为异物去除器而装设于光刻(lithography)用光掩模的防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向次四分之一微米(sub
‑
quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(Extreme Ultra Violet Light，EUV光)的EUV曝光。
[0003]在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的光刻用光掩模及标线(reti本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，内侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上。2.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，防护薄膜的内空间侧的通气面积的合计为0.001mm2以上。3.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，外侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上。4.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，防护薄膜的外空间侧的通气面积的合计为0.001mm2以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中设置有至少在内侧面具有开口部的贯通孔。6.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中防护薄膜框架的金属材料选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。7.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，所述通气面积的合计为0.02mm2以下。8.根据权利要求1至4中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：簗瀬优，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：